一种压敏成瓷工艺及其器件制备方法技术

本申请提供一种压敏成瓷工艺及其器件制备方法，属于电子元器件技术领域。压敏成瓷工艺包括依次对瓷胚进行排胶和烧成：排胶步骤包括依次进行且温度逐渐升高的升温预排胶、第一阶段保温排胶、第二阶段保温排胶和第三阶段保温排胶；升温预排胶用于去除瓷胚中的水分，第一阶段保温排胶用于排除瓷胚中的有机溶剂，第二阶段保温排胶和第三阶段保温排胶用于排除瓷胚中的粘结剂；烧成步骤包括依次进行且温度依次升高的升温预烧成、第一阶段保温烧成和第二阶段保温烧成；升温预烧成用于排除瓷胚的表面杂质，第一阶段保温烧成用于排除瓷胚中剩余的有机物，第二阶段保温烧成用于将瓷胚转变成瓷体，该工艺制备得到的瓷体具有孔洞少以及不易分层的特性。易分层的特性。易分层的特性。

【技术实现步骤摘要】
一种压敏成瓷工艺及其器件制备方法


[0001]本申请涉及电子元器件
，具体而言，涉及一种压敏成瓷工艺及其器件制备方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，压敏电阻器的制备会涉及压敏成瓷工艺，当前该工艺主要通过依次进行排胶和烧成来实现，但是，现有排胶和烧成工艺制备得到的瓷体存在孔洞多以及易分层等问题。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种压敏成瓷工艺及其器件制备方法，能够使得制备得到的瓷体具有孔洞少以及不易分层的优异性能。
[0004]本申请的实施例是这样实现的：
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种压敏成瓷工艺，包括依次对瓷胚进行排胶和烧成：
[0006]排胶步骤包括依次进行且温度逐渐升高的升温预排胶、第一阶段保温排胶、第二阶段保温排胶和第三阶段保温排胶；升温预排胶用于去除瓷胚中的水分，第一阶段保温排胶用于排除瓷胚中的有机溶剂，第二阶段保温排胶和第三阶段保温排胶用于排除瓷胚中的粘结剂。
[0007]烧成步骤包括依次进行且温度依次升高的升温预烧成、第一阶段保温烧成和第二阶段保温烧成；升温预烧成用于排除瓷胚的表面杂质，第一阶段保温烧成用于排除瓷胚中剩余的有机物，第二阶段保温烧成用于将瓷胚转变成瓷体。
[0008]上述技术方案中，将瓷胚依次进行排胶和烧成，在排胶阶段按照温度依次增加的升温预排胶、第一阶段保温排胶、第二阶段保温排胶和第三阶段保温排胶的工艺进行，在烧成阶段按照温度依次增加的升温预烧成、第一阶段保温烧成和第二阶段保温烧成的工艺进行，并将各个处理阶段按照不同的预设去除目标进行调控，该特定的排胶和烧成工艺能够保证制备得到的瓷体具有孔洞少以及不易分层的优异性能。
[0009]在一些可选的实施方案中，在升温预排胶过程中，处理温度从25℃上升至160℃，升温预排胶过程的时间为4～6h。
[0010]上述技术方案中，在升温预排胶过程中，将处理温度从25℃上升至160℃，并且将升温预排胶过程的时间控制在4～6h的范围内，使得瓷胚中的水分得到充分去除。
[0011]在一些可选的实施方案中，在第一阶段保温排胶过程中，处理温度为230℃～240℃，处理时间为3～5h。
[0012]可选地，在预排胶过程和第一阶段保温排胶过程之间，还包括第一阶段升温排胶，在第一阶段升温排胶过程中，处理时间为10～12h。
[0013]上述技术方案中，在第一阶段保温排胶过程中，将处理温度控制在230℃～240℃
的范围，并且将处理时间控制在3～5h的范围内，使得瓷胚中的有机溶剂得到充分去除。
[0014]进一步地，在预排胶过程和第一阶段保温排胶过程之间还设置有第一阶段升温排胶，并且将第一阶段升温排胶过程的处理时间控制在10～12h的范围内，一方面能够进一步地保障瓷胚中的水分得到充分去除，另一方面能够以适宜的升温速率将处理温度上升至第一阶段保温排胶过程所需温度。
[0015]在一些可选的实施方案中，在第二阶段保温排胶过程中，处理温度为270℃～280℃，处理时间为5～7h。
[0016]可选地，在第一阶段保温排胶过程和第二阶段保温排胶过程之间，还包括第二阶段升温排胶，在第二阶段升温排胶过程中，处理时间为10～12h。
[0017]上述技术方案中，在第二阶段保温排胶过程中，将处理温度控制在270℃～280℃的范围，并且将处理时间控制在5～7h的范围内，能够为瓷胚中粘接剂的初始去除阶段提供较好的去除条件。
[0018]进一步地，在第一阶段保温排胶过程和第二阶段保温排胶过程之间还设置有第二阶段升温排胶，并且将第二阶段升温排胶过程的处理时间控制在10～12h的范围内，一方面能够进一步地保障瓷胚中的有机溶剂得到充分去除，另一方面能够以适宜的升温速率将处理温度上升至第二阶段保温排胶过程所需温度。
[0019]在一些可选的实施方案中，在第三阶段保温排胶过程中，处理温度为330℃～340℃，处理时间为6～8h。
[0020]可选地，在第二阶段保温排胶过程和第三阶段保温排胶过程之间，还包括第三阶段升温排胶，在第三阶段升温排胶过程中，处理时间为10～12h。
[0021]上述技术方案中，在第三阶段保温排胶过程中，将处理温度控制在330℃～340℃的范围，并且将处理时间控制在6～8h的范围内，使得瓷胚中的粘结剂得到充分去除。
[0022]进一步地，在第二阶段保温排胶过程和第三阶段保温排胶过程之间还设置有第三阶段升温排胶，并且将第三阶段升温排胶过程的处理时间限定在10～12h的范围内，能够以适宜的升温速率将处理温度上升至第三阶段保温排胶过程所需温度，并且能够在缓慢升温过程中较好地去除瓷胚中的粘结剂。
[0023]在一些可选的实施方案中，在升温预烧成过程中，处理温度从25℃上升至500℃，升温预烧成过程的时间为1～2h。
[0024]上述技术方案中，在升温预烧成过程中，将处理温度从25℃上升至500℃，并且将升温预烧成过程的时间控制在1～2h的范围内，使得瓷胚中的表面杂质得到充分去除。
[0025]在一些可选的实施方案中，第一阶段保温烧成和第二阶段保温烧成满足以下条件A和B中的至少一个：
[0026]A，升温预烧成过程完成后保持温度不变并进行第一阶段保温烧成，在第一阶段保温烧成过程中，处理时间为2～3h。
[0027]B，在第二阶段保温烧成过程中，处理温度为900℃～950℃，处理时间为2～3h。
[0028]上述技术方案中，升温预烧成过程完成后保持温度不变并进行第一阶段保温烧成，在第一阶段保温烧成过程中，将处理时间控制在2～3h的范围内，使得瓷胚中残留的有机物得到充分去除。
[0029]在第二阶段保温烧成过程中，将处理温度控制在900℃～950℃的范围，并且将处
理时间控制在2～3h的范围内，能够保障瓷胚较好地转变成瓷体。
[0030]在一些可选的实施方案中，在第一阶段保温烧成过程和第二阶段保温烧成过程之间，还包括升温烧成，在升温烧成过程中，处理时间为1.2～1.8h；
[0031]可选地，升温烧成包括依次进行的第一阶段升温烧成和第二阶段升温烧成，第一阶段升温烧成的升温速率低于第二阶段升温烧成的升温速率。
[0032]可选地，在第一阶段升温烧成过程中，处理温度从500℃上升至750℃，第一阶段升温烧成过程的时间为0.8～1.2h；在第二阶段升温烧成过程中，处理温度从750℃上升至第二阶段保温烧成的温度，第二阶段升温烧成过程的时间为0.4～0.6h。
[0033]上述技术方案中，在第一阶段保温烧成过程和第二阶段保温烧成过程之间还设置有升温烧成，并且将升温烧成过程的处理时间控制在1.2～1.8h的范围内，一方面能够进一步的保障瓷胚中残留的有机物得到充分去除，另一方面能够以适宜的升温速率将处理温度上升至第二阶段保温烧成过程所需温度，并且适宜的升温速率便于瓷胚内部的晶粒缓慢生长，从而为接下来瓷胚转变成瓷体提供较好的转变基础。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压敏成瓷工艺，其特征在于，包括依次对瓷胚进行排胶和烧成；所述排胶步骤包括依次进行且温度逐渐升高的升温预排胶、第一阶段保温排胶、第二阶段保温排胶和第三阶段保温排胶；所述升温预排胶用于去除所述瓷胚中的水分，所述第一阶段保温排胶用于排除所述瓷胚中的有机溶剂，所述第二阶段保温排胶和所述第三阶段保温排胶用于排除所述瓷胚中的粘结剂；所述烧成步骤包括依次进行且温度依次升高的升温预烧成、第一阶段保温烧成和第二阶段保温烧成；所述升温预烧成用于排除所述瓷胚的表面杂质，所述第一阶段保温烧成用于排除所述瓷胚中剩余的有机物，所述第二阶段保温烧成用于将所述瓷胚转变成瓷体。2.根据权利要求1所述的压敏成瓷工艺，其特征在于，在所述升温预排胶过程中，处理温度从25℃上升至160℃，所述升温预排胶过程的时间为4～6h。3.根据权利要求1所述的压敏成瓷工艺，其特征在于，在所述第一阶段保温排胶过程中，处理温度为230℃～240℃，处理时间为3～5h；可选地，在所述预排胶过程和所述第一阶段保温排胶过程之间，还包括第一阶段升温排胶，在所述第一阶段升温排胶过程中，处理时间为10～12h。4.根据权利要求1所述的压敏成瓷工艺，其特征在于，在所述第二阶段保温排胶过程中，处理温度为270℃～280℃，处理时间为5～7h；可选地，在所述第一阶段保温排胶过程和所述第二阶段保温排胶过程之间，还包括第二阶段升温排胶，在所述第二阶段升温排胶过程中，处理时间为10～12h。5.根据权利要求1所述的压敏成瓷工艺，其特征在于，在所述第三阶段保温排胶过程中，处理温度为330℃～340℃，处理时间为6～8h；可选地，在所述第二阶段保温排胶过程和所述第三阶段保温排胶过程之间，还包括第三阶段升温排胶，在所述第三阶段升温排胶过程中，处理时...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗万先，鲁信勇，吴浩，李吉跃，肖中崛，曹金南，
申请(专利权)人：广州创天电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：