一种半导体功率器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体功率器件封装结构，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括基板、第一引脚和第二引脚，芯片设置在基板上，第一引脚与基板一体成型，第一引脚通过基板与芯片电性连接，第二引脚在封装体内部通过散热铜片桥接与芯片电性连接；封装体塑封芯片和引线框架，基板的底面外露，第一引脚、第二引脚均延伸至封装体外侧。本实用新型专利技术的散热铜片的表面在封装体的正面外露，散热铜片面积可根据需要自行调整，散热面积比传统封装更大，具有更好的散热效果；同时，能够大大降低封装热阻，尤其是Rthja。尤其是Rthja。尤其是Rthja。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率器件封装结构


[0001]本技术涉及半导体
，具体为一种半导体功率器件封装结构。

技术介绍

[0002]电子元器件的封装结构主要包括设置在塑封体内的芯片和引脚等，引脚用于将芯片的内部电路引出端引出，以通过引脚将芯片与外部线路或外部装置连接。
[0003]传统封装形式通过引线键合工艺，封装效率较低，芯片与封装体的面积比值远小于1:1，从而影响到电子产品的最终外形尺寸，传统封装形式已无法适应于电子产品小型化发展的要求。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种半导体功率器件封装结构，以解决上述提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了一种半导体功率器件封装结构，包括芯片、引线框架和封装体，所述引线框架包括基板、第一引脚和第二引脚，所述芯片设置在基板上，所述第一引脚与基板一体成型，所述第一引脚通过基板与芯片电性连接，所述第二引脚在封装体内部通过散热铜片桥接与芯片电性连接；
[0006]所述封装体塑封芯片和引线框架，所述基板的底面外露，所述第一引脚、第二引脚均延伸至封装体外侧。
[0007]优选的，所述散热铜片的表面在封装体的正面外露。
[0008]优选的，所述第一引脚与第二引脚的设置位置分别位于封装体的相对的两侧。
[0009]优选的，所述第一引脚和/或第二引脚的外侧开设有爬锡凹陷区域。
[0010]优选的，所述第一引脚和/或第二引脚为海鸥脚。
[0011]与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：
[0012](1)本技术的第二引脚通过散热铜片桥接与芯片电性连接，散热铜片作为电连接件的同时还能够起到散热作用，这种引脚设计能够采用更大的封装体，从而能够设置更大的半导体功率器件，提高封装利用率。
[0013](2)本技术的散热铜片的表面在封装体的正面外露，散热铜片面积可根据需要自行调整，散热面积比传统封装更大，具有更好的散热效果；同时，能够大大降低封装热阻，尤其是Rthja。
[0014](3)本技术的第一引脚和/或第二引脚的外侧开设有爬锡凹陷区域，具有更好的爬锡效果。
附图说明
[0015]图1为本技术实施例的半导体功率器件封装结构的主视图；
[0016]图2为本技术实施例的半导体功率器件封装结构的侧面剖视图；
[0017]图3为本技术实施例的半导体功率器件封装结构的后视图。
[0018]图中：封装体1、基板2、第一引脚3、第二引脚4、散热铜片5、爬锡凹陷区域6。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]图1示出了本实施例的半导体功率器件封装结构的主视图，包括芯片、引线框架和封装体1，引线框架包括基板2、第一引脚3和第二引脚4，芯片设置在基板2上(图中未示出)，第一引脚3与基板2一体成型，第一引脚3通过基板2与芯片电性连接，第二引脚4在封装体1内部通过散热铜片5桥接与芯片电性连接。
[0021]如图1和图2所示，散热铜片5的表面在封装体1的正面外露，散热铜片5面积可根据需要自行调整，散热面积比传统封装更大，具有更好的散热效果；同时，能够大大降低封装热阻，尤其是Rthja。散热铜片5作为电连接件的同时还能够起到散热作用，这种引脚设计能够采用更大的封装体1，从而能够设置更大的半导体功率器件，提高封装利用率。
[0022]需要说明的是，上述的散热铜片5的表面在封装体1的正面外露仅为一较佳地实施例，并不是本技术的全部，散热铜片5完全塑封在封装体1内也在本技术的保护范围之内，此时散热铜片5只起到桥接的作用，不再具有散热作用。
[0023]如图2所示，封装体1塑封芯片、基板2、部分第一引脚3、部分第二引脚4及散热铜片5，如图3所示，基板2的底面外露，第一引脚3、第二引脚4均延伸至封装体1外侧，第一引脚3与第二引脚4的设置位置分别位于封装体1的相对的两侧。本领域技术人员能够理解，第二引脚4在封装体1内部如何通过散热铜片5桥接与芯片电性连接是本领域的常用技术手段，在此不再赘述。
[0024]在一较佳地实施例中，第一引脚3和/或第二引脚4的外侧开设有爬锡凹陷区域6，具有更好的爬锡效果。
[0025]在其他实施例中，第一引脚3和/或第二引脚4为海鸥脚。
[0026]对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0027]此外，应当理解，虽然本说明书根据实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件封装结构，其特征在于，包括芯片、引线框架和封装体，所述引线框架包括基板、第一引脚和第二引脚，所述芯片设置在基板上，所述第一引脚与基板一体成型，所述第一引脚通过基板与芯片电性连接，所述第二引脚在封装体内部通过散热铜片桥接与芯片电性连接；所述封装体塑封芯片和引线框架，所述基板的底面外露，所述第一引脚、第二引脚均延伸至封装体外侧。2.根据权利要求1所述的半导体功率器件封装结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴平丽，黄健，孙闫涛，顾昀浦，宋跃桦，刘静，张楠，李力，
申请(专利权)人：捷捷微电上海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：