组合物和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术一种组合物，包含量子点(A)和树脂(B)，树脂(B)包含具有硫醚基、羧基和不饱和双键的聚合物(B1)。键的聚合物(B1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物和显示装置


[0001]本专利技术涉及一种组合物，进而，还涉及一种显示装置。

技术介绍

[0002]专利文献1中提出了一种固化性树脂组合物，含有具有下述通式表示的结构部位的聚合物和量子点。
[0003][0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2016－65178号公报

技术实现思路

[0007]专利文献1中记载的包含量子点的固化性树脂组合物有时在制作固化膜的工序中无法充分维持亮度并且在显影时产生残渣。另外，有时使用包含有机溶剂的硬涂层形成用组合物、着色层形成用组合物在包含含有量子点的固化性树脂组合物的固化物的膜上形成硬涂层、着色层，另外还要求固化后的耐溶剂性。
[0008]本专利技术的目的在于提供一种组合物，其在制作固化膜的工序中维持亮度并且减少显影时的残渣，在固化后也发挥优异的耐溶剂性。
[0009]本专利技术提供以下的组合物和显示装置。
[0010][1]一种组合物，包含量子点(A)和树脂(B)，
[0011]上述树脂(B)包含具有硫醚基、羧基和不饱和双键的聚合物(B1)。
[0012][2]根据[1]所述的组合物，其中，上述聚合物(B1)为具有来自单体(a)、单体(b)和单体(c)的结构单元的聚合物，上述单体(a)具有巯基和羧基，上述单体(b)为选自不饱和羧酸和不饱和羧酸酐中的至少1种，上述单体(c)具有环氧乙烷基和烯键式不饱和键。
[0013][3]根据[2]所述的组合物，其中，上述具有巯基和羧基的单体包含通式(1)表示的化合物。
[0014][0015][式中，
[0016]R表示烃基。存在多个R时，彼此可以相同，也可以不同。上述烃基可以具有1个以上的取代基。存在多个取代基时，它们可以相同或不同，它们也可以相互键合并与各自所键合
的原子一起形成环。上述烃基中所含的－CH2－可以取代为－O－、－CO－和－NH－中的至少1种。
[0017]p表示1～10的整数][0018][4]根据[2]或[3]所述的组合物，其中，上述具有环氧乙烷基和烯键式不饱和键的单体(c)包含单体(c1)和单体(c2)中的至少任一者，上述单体(c1)具有将不饱和链式脂肪族烃环氧化而得的结构以及烯键式不饱和键，上述单体(c2)具有将不饱和脂环式烃环氧化而得的结构以及烯键式不饱和键。
[0019][5]根据[1]～[4]中任一项所述的组合物，其中，上述聚合物(B1)具有通式(ba)、(bb)和(bc)表示的结构单元。
[0020][0021][式中，
[0022]R
61
、R
62
、R
63
相互独立地表示氢原子或甲基。
[0023]R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，该烷基中所含的氢原子可以被羟基取代。
[0024]X表示*－R8－X3－、*－R8－O－X3－、*－R8－S－X3－、*－R8－NH－X3－。*表示与R7侧的氧原子的键合位点。R8表示碳原子数1～6的链烷二基。X3表示亚乙基或二价脂环式烃基，它们具有羟基。
[0025]Y表示**－(R)p－。R表示烃基。存在多个R时，彼此可以相同，也可以不同。上述烃基可以具有1个以上的取代基。存在多个取代基时，它们可以相同或不同，它们也可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。上述烃基中所含的－CH2－可以取代为－O－、－CO－和－NH－中的至少1种。**表示与S的键合位点。p表示1～10的整数。
[0026]Z表示羧基][0027][6]根据[1]～[5]中任一项所述的组合物，其中，进一步包含聚合性化合物(C)和聚合引发剂(D)。
[0028][7]一种固化膜，由[1]～[6]中任一项所述的组合物形成。
[0029][8]一种显示装置，包含[7]所述的固化膜。
[0030][9]一种树脂，具有硫醚基、羧基和不饱和双键。
[0031]根据本专利技术，能够提供一种维持工序中的亮度并且减少显影时的残渣，在固化后
也发挥优异的耐溶剂性的组合物。
具体实施方式
[0032]＜组合物＞
[0033]本专利技术的组合物包含量子点(A)和树脂(B)。本专利技术的组合物可以进一步包含选自后述的光聚合性化合物(C)、光聚合引发剂(D)、抗氧化剂(E)、流平剂(F)、溶剂(G)和光散射剂(H)中的至少1种。本专利技术的组合物优选进一步包含聚合性化合物(C)和聚合引发剂(D)。
[0034][1]量子点(A)
[0035]量子点(A)为粒径1nm～100nm的半导体微粒，是利用半导体的带隙来吸收紫外光或可见光而发光的微粒。
[0036]作为量子点(A)，可举出CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdHgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe等IIB族元素与VIA族元素的化合物；GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、InAlPAs等IIIA族元素与VA族元素的化合物；PdS、PbSe等IVA族元素与VIA族元素的化合物等。
[0037]量子点(A)包含S、Se时，可以使用利用金属氧化物、有机物进行了表面修饰的量子点。通过使用经表面修饰的量子点，能够防止因形成有机层的材料中的反应成分而夺取S、Se。
[0038]另外，量子点(A)可以将上述化合物组合而形成核壳结构。作为这样的组合，可举出核为CdSe、壳为ZnS的微粒等。
[0039]量子点(A)的能量状态取决于其大小，因此可以通过改变粒径而自由地选择发光波长。例如，在仅由CdSe构成的量子点的情况下，粒径为2.3nm、3.0nm、3.8nm、4.6nm时的荧光光谱的峰值波长分别为528nm、570nm、592nm、637nm。另外，从量子点(A)发出的光的光谱宽度窄，通过组合具有这样陡峭的峰的光，显示装置的能够显示的色域扩大。进而，量子点(A)的响应性高，能够高效地利用从光源放射出的光。
[0040]本专利技术的组合物可以仅含有根据从光源放射出的光而发出特定波长的光的量子点，也可以组合含有2种以上的发出不同波长的光的量子点。作为上述特定波长的光，例如，可举出红色光、绿色光和蓝色光。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组合物，包含量子点A和树脂B，所述树脂B包含具有硫醚基、羧基和不饱和双键的聚合物B1。2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述聚合物B1为具有来自单体a、单体b和单体c的结构单元的聚合物，所述单体a具有巯基和羧基，所述单体b为选自不饱和羧酸和不饱和羧酸酐中的至少1种，所述单体c具有环氧乙烷基和烯键式不饱和键。3.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述具有巯基和羧基的单体a包含通式(1)表示的化合物，式中，R表示烃基，存在多个R时，可以彼此相同，也可以不同，所述烃基可以具有1个以上的取代基，存在多个取代基时，它们可以相同或不同，它们也可以相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，所述烃基中所含的－CH2－可以取代为－O－、－CO－和－NH－中的至少1种，p表示1～10的整数。4.根据权利要求2或3所述的组合物，其中，所述具有环氧乙烷基和烯键式不饱和键的单体c包含单体c1和单体c2中的至少任一者，所述单体c1具有将不饱和链式脂肪族烃环氧化而得的结构以及烯键式不饱和键，所述单体c2具有将不饱和脂环式烃环氧化而得的结构以及烯键式不饱和键。5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，所述聚合物B1具有通式(ba)、(bb)和(bc)表示...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田好宽，小松庆史，德田真芳，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：