微型发光二极管和显示面板制造技术

微型发光二极管和显示面板。微型发光二极管，包括第一电连接层、第二电连接层和位于所述第一电连接层和第二电连接层之间的外延叠层：所述外延叠层的上表面包含有欧姆接触区和非欧姆接触区，所述非欧姆接触区至少包括位于所述外延叠层上表面周边的外边缘区；所述外边缘区掺杂有非导电元素，所述非导电元素的掺杂浓度为1E16/cm3~1E19/cm3；所述第一电连接层和外延叠层之间还具有电流扩展层，所述电流扩展层位于所述欧姆接触区上。所述微型发光二极管能够实现小电流密度效率提升。管能够实现小电流密度效率提升。管能够实现小电流密度效率提升。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管和显示面板


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种微型发光二极管和显示面板。

技术介绍

[0002]微型发光二极管（Micro LED）是新一代的显示技术，继承了发光二极管的特性，具有尺寸小、寿命长、功耗低、响应时间快及可控性强的优点，且微型发光二极管的色域能大于120％，像素密度(每英寸所拥有的像素数量)能超过1500。
[0003]微型发光二极管的尺寸小于50μm，此时在芯粒侧壁易产生非辐射复合，热效应增加，会严重影响微型发光二极管的发光效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的问题是提供一种微型发光二极管和显示面板，以实现小电流密度下发光效率的提升。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种微型发光二极管，包括第一电连接层、第二电连接层和位于所述第一电连接层和第二电连接层之间的外延叠层：所述外延叠层的上表面包含有欧姆接触区和非欧姆接触区，所述非欧姆接触区至少包括位于所述外延叠层上表面周边的外边缘区；所述外边缘区掺杂有非导电元素，所述非导电元素的掺杂浓度为1E16/cm3~1E19/cm3；所述第一电连接层和外延叠层之间还具有电流扩展层，至少部分所述电流扩展层位于所述欧姆接触区上。
[0006]可选的，在俯视方向上，所述电流扩展层的形状呈扩展矩形，所述外延叠层具有上台阶面，所述扩展矩形和上台阶面的形状中心重合，所述扩展矩形的边长为所述上台阶面边长的0.8以下。
[0007]可选的，所述第一电连接层为第一电极层，所述第二电连接层为第二电极层。
[0008]可选的，所述非导电元素为惰性元素。
[0009]可选的，所述非导电元素为氩、氦或者氮；所述非导电元素的掺杂深度为0.2μm~2μm。
[0010]可选的，采用离子注入方法掺杂所述非导电元素。
[0011]为解决上述问题，本专利技术还提供了一种微型发光二极管，包括第一电连接层、第二电连接层和位于所述第一电连接层和第二电连接层之间的外延叠层：所述外延叠层的上表面包含有欧姆接触区和非欧姆接触区，所述非欧姆接触区至少包括位于所述外延叠层上表面周边的外边缘区；所述外边缘区掺杂有非导电元素，所述非导电元素的掺杂浓度为1E16/cm3~1E19/cm3；所述第一电连接层覆盖于所述欧姆接触区上；所述外延叠层上表面还具有电流阻挡层，所述电流阻挡层位于被所述欧姆接触区包围的所述非欧姆接触区上，所述电流阻挡层的侧面和上表面被所述第一电连接层覆盖。
[0012]可选的，在俯视方向上，所述第一电连接层的形状呈电连接矩形，所述外延叠层具有上台阶面，所述电连接矩形和上台阶面的形状中心重合，所述电连接矩形的边长为所述
上台阶面边长的0.8以下。
[0013]可选的，在俯视方向上，所述电流阻挡层的形状呈阻挡矩形，所述阻挡矩形和上台阶面中心重合，所述阻挡矩形的边长为所述上台阶面边长的0.5以下。
[0014]可选的，所述第一电连接层直接覆盖于所述欧姆接触区上；所述电流阻挡层的侧面和上表面被所述第一上电连接层极覆盖。
[0015]可选的，所述非导电元素为惰性元素。
[0016]可选的，所述非导电元素为氩、氦或者氮；所述非导电元素的掺杂深度为0.2μm~2μm。
[0017]可选的，采用离子注入方法掺杂所述非导电元素。
[0018]为解决上述问题，本专利技术还提供了一种微型发光二极管，包括第一电连接层、第二电连接层和位于所述第一电连接层和第二电连接层之间的外延叠层：所述外延叠层的上表面包含有欧姆接触区和非欧姆接触区，所述非欧姆接触区至少包括位于所述外延叠层上表面周边的外边缘区；所述外边缘区掺杂有非导电元素，所述非导电元素的掺杂浓度为1E16/cm3~1E19/cm3；所述第一电连接层覆盖于所述欧姆接触区上；所述外延叠层还嵌入有电流阻挡层，所述电流阻挡层上表面与所述外边缘区上表面在同一平面，所述电流阻挡层上表面被所述欧姆接触区包围，所述电流阻挡层的上表面也被所述第一电连接层覆盖。
[0019]可选的，在俯视方向上，所述第一电连接层的形状呈电连接矩形，所述外延叠层具有上台阶面，所述电连接矩形和上台阶面的中心重合，所述电连接矩形的边长为所述上台阶面边长的0.8以下。
[0020]可选的，在俯视方向上，所述电流阻挡层的形状呈阻挡矩形，所述阻挡矩形和上台阶面的形状中心重合，所述阻挡矩形的边长为所述上台阶面边长的0.5以下。
[0021]可选的，所述第一电连接层的材料为透明导电材料。
[0022]可选的，所述第一电连接层覆盖于所述欧姆接触区上，所述电流阻挡层的上表面也被所述第一电连接层覆盖。
[0023]可选的，所述非导电元素为惰性元素。
[0024]可选的，所述非导电元素为氩、氦或者氮；所述非导电元素的掺杂深度为0.2μm~2μm。
[0025]可选的，采用离子注入方法掺杂所述非导电元素。
[0026]为解决上述问题，本专利技术还提供了一种显示面板，包括如上所述的微型发光二极管。
[0027]本专利技术提供的微型发光二极管结构中，设计外延叠层表面的外边缘区具有相应浓度的非导电元素掺杂，从而使外边缘区导电性下降，使得外边缘区无论与何种材料层结构接触，均不会传导电流，即外边缘区始终是非欧姆接触区。这种结构可以更好地避免电流向边缘扩散，进而避免因电流流经台面结构侧壁区域而导致的非辐射复合问题，因此能够实现小电流密度下光电效率提升。
附图说明
[0028]图1是本专利技术实施例提供的微型发光二极管剖面结构示意图；图2是图1所示微型发光二极管的局部俯视结构示意图；
图3是本专利技术另一实施例提供的另一种微型发光二极管剖面结构示意图；图4是图3所示微型发光二极管的局部俯视结构示意图；图5是本专利技术另一实施例提供的另一种微型发光二极管剖面结构示意图；图6是图5所示微型发光二极管的局部俯视结构示意图；图7是本专利技术另一实施例提供的另一种微型发光二极管剖面结构示意图；图8是图7所示微型发光二极管的俯视结构示意图；图9是本专利技术另一实施例提供的微型发光二极管的俯视结构示意图；图10是本专利技术实施例提供显示面板示意图。
具体实施方式
[0029]在解决
技术介绍
提到的技术问题时，现有微型发光二极管一般采用的方法为以下两种：一、改变电流扩展层上金属电极的设计，达成不同电流扩散效果；这种方法，会造成金属电极因经退火（annealing）或本身金属反射率高，而造成反光，反而使出光效率下降；二、利用电流扩展层的透明电极来做图形化传导；这种方法虽然可以改变电流路径，避开小电流流经台面边缘，克服非辐射复合效应，但纯靠透明电极做图形化分散电流，其效果并不好，比如芯片电压高的问题。
[0030]为此，本专利技术提供一种新的微型发光二极管和显示面板，以解决上述现有的不足。
[0031]为更加清楚的表示，下面结合附图对本专利技术做详细的说明。
[0032]本专利技术实施例提供一种微型发光二极管，请参考图1和图2，它包括第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管，包括第一电连接层、第二电连接层和位于所述第一电连接层和第二电连接层之间的外延叠层，其特征在于：所述外延叠层的上表面包含有欧姆接触区和非欧姆接触区，所述非欧姆接触区至少包括位于所述外延叠层上表面周边的外边缘区；所述外边缘区掺杂有非导电元素，所述非导电元素的掺杂浓度为1E16/cm3~1E19/cm3；所述第一电连接层和外延叠层之间还具有电流扩展层，至少部分所述电流扩展层位于所述欧姆接触区上。2.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，在俯视方向上，所述电流扩展层的形状呈扩展矩形，所述外延叠层具有上台阶面，所述扩展矩形和上台阶面的形状中心重合，所述扩展矩形的边长为所述上台阶面边长的0.8以下。3.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电连接层为第一电极层，所述第二电连接层为第二电极层。4.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述非导电元素为惰性元素。5.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述非导电元素为氩、氦或者氮；所述非导电元素的掺杂深度为0.2μm~2μm。6.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，采用离子注入方法掺杂所述非导电元素。7.一种微型发光二极管，包括第一电连接层、第二电连接层和位于所述第一电连接层和第二电连接层之间的外延叠层，其特征在于：所述外延叠层的上表面包含有欧姆接触区和非欧姆接触区，所述非欧姆接触区至少包括位于所述外延叠层上表面周边的外边缘区；所述外边缘区掺杂有非导电元素，所述非导电元素的掺杂浓度为1E16/cm3~1E19/cm3；所述第一电连接层覆盖于所述欧姆接触区上；所述外延叠层上表面还具有电流阻挡层，所述电流阻挡层位于被所述欧姆接触区包围的所述非欧姆接触区上，所述电流阻挡层的侧面和上表面被所述第一电连接层覆盖。8.如权利要求7所述的微型发光二极管，其特征在于，在俯视方向上，所述第一电连接层的形状呈电连接矩形，所述外延叠层具有上台阶面，所述电连接矩形和上台阶面的形状中心重合，所述电连接矩形的边长为所述上台阶面边长的0.8以下。9.如权利要求8所述的微型发光二极管，其特征在于，在俯视方向上，所述电流阻挡层的形状呈阻挡矩形，所述阻挡矩形和上台阶面中心重合，所述阻挡矩形的边长为所述上台阶面边长的0.5以下。10.如权利要求7所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李水清，吴政，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：