一种场效应管的串扰抑制电路、方法及设备技术

技术编号:34407789 阅读:32 留言:0更新日期:2022-08-03 21:55
本申请实施例提供了一种场效应管的串扰抑制电路、方法及设备,该串扰抑制电路包括电源模块、稳压模块以及驱动模块;其中,电源模块,用于接收输入电压,并对输入电压进行电压转换处理,得到输出电压;稳压模块,用于对输出电压进行稳压处理,得到稳定的正向驱动电压和可调节的负向驱动电压;驱动模块,用于根据正向驱动电压和负向驱动电压对第一控制信号进行驱动处理,生成目标驱动信号;其中,目标驱动信号用于控制场效应管的导通和关断。这样,能够基于稳压模块,在正向驱动电压保持不变的情况下,对场效应管的负向驱动电压进行调节,从而能够抑制场效应管之间产生的串扰现象,降低了了场效应管误开通或者器件损坏的风险。了了场效应管误开通或者器件损坏的风险。了了场效应管误开通或者器件损坏的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应管的串扰抑制电路、方法及设备


[0001]本申请涉及电子电路
,尤其涉及一种场效应管的串扰抑制电路、方法及设备。

技术介绍

[0002]碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal

Oxide

Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)(后简称为:场效应管)具有高开关速度,高工作频率,低导通电阻和更小的体积,而成为高频,高功率密度,高效率电力电子变换器的理想开关,越来越多的应用到中高端变换器中。
[0003]相关技术中,碳化硅MOSFET相比与传统的绝缘栅门极晶体管(Insulated Gate Bipolar Translator,IGBT)或硅基器件,串扰现象更加的严重,在场效应管的状态发生变化(例如由关断状态变为开通状态或者由开通状态变为关断状态)时,与之桥接的场效应管可能会发生串扰现象,进而导致场效应管误开通、或者器件损坏的风险。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种场效应管的串扰抑制电路、方法及设备,可以抑制场效应管之间的串扰现象,还可以降低场效应管误开通或者器件损坏的风险。
[0005]本申请实施例的技术方案是这样实现的:
[0006]第一方面,本申请实施例提供了一种场效应管的串扰抑制电路,所述串扰抑制电路包括电源模块、稳压模块以及驱动模块;其中,
[0007]所述电源模块,用于接收输入电压,并对所述输入电压进行电压转换处理,得到输出电压;<br/>[0008]所述稳压模块,用于对所述输出电压进行稳压处理,得到稳定的正向驱动电压和可调节的负向驱动电压;
[0009]所述驱动模块,用于根据所述正向驱动电压和所述负向驱动电压对第一控制信号进行驱动处理,生成目标驱动信号;其中,所述目标驱动信号用于控制所述场效应管的导通和关断。
[0010]在一些实施例中,所述串扰抑制电路还包括输入调节模块,所述输入调节模块与所述电源模块连接;其中,
[0011]所述输入调节电路,用于接收第二控制信号,根据所述第二控制信号对所述输入电压进行电压采样,得到采样电压;
[0012]所述电源模块,用于对所述采样电压进行电压转换处理,得到所述输出电压;其中,所述输出电压能够根据所述第二控制信号进行电压调节,以实现所述负向驱动电压的可调节。
[0013]在一些实施例中,所述输入调节模块包括辅助开关管、第一电阻、第一采样电阻和第二采样电阻;其中,
[0014]所述辅助开关管的栅极与所述第二控制信号连接,所述辅助开关管的漏极与所述第二采样电阻的一端连接,所述辅助开关管的源极和所述第一采样电阻的一端均与接地端连接,所述第一电阻的一端与所述输入电压连接,所述第一电阻的另一端、所述第一采样电阻的另一端、所述第二采样电阻的另一端均与基准参考电压连接。
[0015]在一些实施例中,所述串扰抑制电路还包括输出调节模块,所述输出调节模块与所述稳压模块的负向输出端连接;其中,
[0016]所述稳压模块,用于对所述输出电压进行稳压处理,得到稳定的正向驱动电压和初始负向驱动电压;
[0017]所述输出调节模块,用于接收第二控制信号,根据所述第二控制信号对所述初始负向驱动电压进行电压调节,得到可调节的负向驱动电压。
[0018]在一些实施例中,所述串扰抑制电路还包括隔离模块;其中,所述隔离模块处于所述第二控制信号和所述输出调节模块之间,以实现所述第二控制信号与所述输出调节模块的信号不共地。
[0019]在一些实施例中,所述串扰抑制电路还包括第一电容和第二电容;其中,
[0020]所述第一电容的一端、所述稳压模块的一端均与所述输出电压的正向端连接,所述第一电容的另一端、所述稳压模块的另一端均与接地端连接,以得到所述稳定的正向驱动电压;
[0021]所述第二电容的一端与所述输出电压的负向端连接,所述第二电容的另一端与所述接地端连接,以得到所述可调节的负向驱动电压。
[0022]在一些实施例中,所述场效应管可以为碳化硅MOSFET。
[0023]第二方面,本申请实施例提供了一种桥臂驱动电路,所述桥臂驱动电路包括桥臂模块和至少一个如第一方面任一项所述的串扰抑制电路。
[0024]在一些实施例中,所述桥臂模块包括第一场效应管和第二场效应管,所述串扰抑制电路的数量为两个;其中,
[0025]第一串扰抑制电路,用于对输入电压进行电压转换处理,得到输出电压;以及对所述输出电压进行稳压处理,得到稳定的第一正向驱动电压和可调节的第一负向驱动电压,并根据所述第一正向驱动电压和所述第一负向驱动电压对第一控制信号进行驱动处理,生成第一目标驱动信号;其中,所述第一目标驱动信号用于控制所述第一场效应管的导通和关断;
[0026]第二串扰抑制电路,用于对所述输入电压进行电压转换处理,得到输出电压;以及对所述输出电压进行稳压处理,得到稳定的第二正向驱动电压和可调节的第二负向驱动电压,并根据所述第二正向驱动电压和所述第二负向驱动电压对第二控制信号进行驱动处理,生成第二目标驱动信号;其中,所述第二目标驱动信号用于控制所述第二场效应管的导通和关断。
[0027]在一些实施例中,所述第一负向驱动电压是根据所述第二控制信号进行电压可调节;
[0028]所述第二负向驱动电压是根据所述第一控制信号进行电压可调节。
[0029]第三方面,本申请实施例提供了一种场效应管的串扰抑制方法,所述方法包括:
[0030]通过电源模块对输入电压进行电压转换处理,得到输出电压;
[0031]通过稳压模块对所述输出电压进行稳压处理,得到稳定的正向驱动电压和可调节的负向驱动电压;
[0032]根据所述正向驱动电压和所述负向驱动电压,通过驱动模块对第一控制信号进行驱动处理,生成目标驱动信号;其中,所述目标驱动信号用于控制所述场效应管的导通和关断。
[0033]在一些实施例中,当所述方法应用于包括第一场效应管和第二场效应管的桥臂驱动电路时,所述方法还包括:
[0034]通过第一稳压模块对所述输出电压进行稳压处理,得到稳定的第一正向驱动电压和可调节的第一负向驱动电压,其中,所述第一负向驱动电压是根据第二控制信号进行电压可调节;
[0035]根据所述第一正向驱动电压和所述第一负向驱动电压,通过第一驱动模块对第一控制信号进行驱动处理,生成第一目标驱动信号;其中,所述第一目标驱动信号用于控制所述第一场效应管的导通和关断;以及
[0036]通过第二稳压模块对所述输出电压进行稳压处理,得到稳定的第二正向驱动电压和可调节的第二负向驱动电压,其中,所述第二负向驱动电压是根据所述第一控制信号进行电压可调节;
[0037]根据所述第二正向驱动电压和所述第二负向驱动电压,通过第二驱动模块对所述第二控制信号进行驱动处理,生成第二目标驱动信号;其中,所述第二目标驱动信号用于控制所述第二场效应管的导通和本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应管的串扰抑制电路,其特征在于,所述串扰抑制电路包括电源模块、稳压模块以及驱动模块;其中,所述电源模块,用于接收输入电压,并对所述输入电压进行电压转换处理,得到输出电压;所述稳压模块,用于对所述输出电压进行稳压处理,得到稳定的正向驱动电压和可调节的负向驱动电压;所述驱动模块,用于根据所述正向驱动电压和所述负向驱动电压对第一控制信号进行驱动处理,生成目标驱动信号;其中,所述目标驱动信号用于控制所述场效应管的导通和关断。2.根据权利要求1所述的串扰抑制电路,其特征在于,所述串扰抑制电路还包括输入调节模块,所述输入调节模块与所述电源模块连接;其中,所述输入调节模块,用于接收第二控制信号,根据所述第二控制信号对所述输入电压进行电压采样,得到采样电压;所述电源模块,用于对所述采样电压进行电压转换处理,得到所述输出电压;其中,所述输出电压能够根据所述第二控制信号进行电压调节,以实现所述负向驱动电压的可调节。3.根据权利要求2所述的串扰抑制电路,其特征在于,所述输入调节模块包括辅助开关管、第一电阻、第一采样电阻和第二采样电阻;其中,所述辅助开关管的栅极与所述第二控制信号连接,所述辅助开关管的漏极与所述第二采样电阻的一端连接,所述辅助开关管的源极和所述第一采样电阻的一端均与接地端连接,所述第一电阻的一端与所述输入电压连接,所述第一电阻的另一端、所述第一采样电阻的另一端、所述第二采样电阻的另一端均与基准参考电压连接。4.根据权利要求1所述的串扰抑制电路,其特征在于,所述串扰抑制电路还包括输出调节模块,所述输出调节模块与所述稳压模块的负向输出端连接;其中,所述稳压模块,用于对所述输出电压进行稳压处理,得到稳定的正向驱动电压和初始负向驱动电压;所述输出调节模块,用于接收第二控制信号,根据所述第二控制信号对所述初始负向驱动电压进行电压调节,得到可调节的负向驱动电压。5.根据权利要求4所述的串扰抑制电路,其特征在于,所述串扰抑制电路还包括隔离模块;其中,所述隔离模块处于所述第二控制信号和所述输出调节模块之间,以实现所述第二控制信号与所述输出调节模块的信号不共地。6.根据权利要求1所述的串扰抑制电路,其特征在于,所述串扰抑制电路还包括第一电容和第二电容;其中,所述第一电容的一端、所述稳压模块的一端均与所述输出电压的正向端连接,所述第一电容的另一端、所述稳压模块的另一端均与接地端连接,以得到所述稳定的正向驱动电压;所述第二电容的一端与所述输出电压的负向端连接,所述第二电容的另一端与所述接地端连接,以得到所述可调节的负向驱动电压。7.根据权利要求1至6任一项所述的串扰抑制电路,其特征在于,所述场效应管为碳化
硅MOSFET。8.一种桥臂驱动电路,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:江添洋陶勇刘卓然
申请(专利权)人:美的集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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