光调制器模块制造技术

一种光调制器模块，在其芯片载体上具备根电信号变换输出光的半导体光调制器、带状导体、第１电阻以及第２电阻，第１电阻和第２电阻串联地电连接，半导体光调制器和第１电阻电连接，半导体光调制器和带状导体电连接，通过选择是否有短路第１电阻的两端的线来调整光调制器模块的频率特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具备光调制器的光调制器模块，特别涉及用于光通信用发送机(a transmitter for optical fiber communications)的光调制器模块。
技术介绍
为了改善电场吸收型光调制器集成型激光模块(anelectroabsorption modulator integrated laser diode module(an EAmodulator integrated LD module))的频率特性，对于电场吸收型光调制器集成型激光的安装方式不断改进。图1是特开2001-257412号公报的图1(b)中公开的电场吸收型光调制器集成型激光模块的芯片载体部的平面图。如图1所示，在芯片载体10上搭载有电场吸收型光调制器集成型激光二极管3和芯片电容4。电场吸收型光调制器集成型激光二极管3是集成激光二极管2和电场吸收型光调制器1的半导体元件。电场吸收型光调制器1与用于光输出的光学系统(图中没有示出)光结合。向激光二极管2的供电通过与芯片电容4连接的线14、15进行。在芯片载体10上配置有带状导体5。该带状导体5其一端作为输入端与信号源11连接，另一端通过线12与电场吸收型光调制器1电连接。另外，载带状导体5的中间部分插入阻抗匹配用电阻7。另外，带状导体5与芯片载体10和接地导体6一起形成高频线路。在芯片载体10的末端侧配置有由薄膜电阻形成的终端电阻8。终端电阻8的一端通过线13与电场吸收型光调制器1电连接，另一端通过柱孔9与里面的接地金属连接。图2是图1的等价电路图。信号源11通过图中没有示出的传送线路与由带状导体5和芯片载体10构成的微波传输线23连接。在微波传输线23的一部分上形成电阻匹配用电阻7的电阻R7。微波传输线23的另一端与线12的电感L12连接。电感25的左侧25进行分支，一方与通过二极管30表现的电场吸收型光调制器1连接，在二极管30的另一端接地。另一方通过串联连接的线13的电感L13和终端电阻8的电阻R8接地。在上述电场吸收型光调制器集成型激光模块中，特别是通过经电场吸收型光调制器1的电极以线12和线13连接带状导体5和终端电阻8之间，改善了10Gbps(bit per second)传送时的光输出波形(awaveform of the optical output or an eye pattern)。另外，在特开2003-279907号公报中公开了由通过第1电阻向调制器输出调制信号的第1带状线路、调制器、通过调制器与第1带状线路连接并串联形成第2电阻和第3电阻的第2带状线路构成的光调制器激振电路。在搭载的电场吸收型光调制器的品种增加、光调制器的电容变化时，电场吸收型光调制器集成型激光模块的频率特性变化。其结果，有时反射损失或传送损失或其双方增加。此时，有必要重新设计芯片载体部使电场吸收型光调制器集成型激光模块的频率特性最优化。芯片载体部的重新设计成为发生开发费用、成本提高的原因。另外，还有需要开发时间的问题。
技术实现思路
鉴于上述问题的存在，本专利技术的目的在于提供一种即使在电场吸收型光调制器的电容不同时，也没有必要重新设计芯片载体部的光调制器模块。本专利技术的主题在于，以多个电阻元件形成阻抗匹配用电阻和终端电阻中的至少一个，通过利用金属线短路/选择电阻匹配用电阻和终端电阻中的至少一个来选择与光调制器的电容相应的电阻值。附图说明图1是现有的电场吸收型光调制器集成型激光模块的芯片载体部的平面图。图2是现有的电场吸收型光调制器集成型激光模块的芯片载体部的等价电路图。图3是说明以电场吸收型光调制器的电容为参数的频带内偏差(in-band peak-to-peak ripple(S21 ripple))的仿真结果的频带内偏差的频率依存性的图。图4是说明本专利技术的实施例1的电场吸收型光调制器集成型激光二极管模块的芯片载体部的平面图。图5是说明以电场吸收型光调制器的电容和终端电阻的电阻值为参数的频带内偏差的仿真结果的频带内偏差的频率依存性的图。图6是说明本专利技术的实施例2的电场吸收型光调制器集成型激光二极管模块的芯片载体部的平面图。图7是说明本专利技术的实施例3的电场吸收型光调制器集成型激光二极管模块的芯片载体部的平面图。图8是说明以电场吸收型光调制器的电容和与终端电阻连接的电感为参数的频带内偏差的仿真结果的频带内偏差的频率依存性的图。图9是说明以电场吸收型光调制器的电容为参数的反射损失(return loss)的仿真结果的反射损失的频率依存性的图。图10是说明本专利技术的实施例4的电场吸收型光调制器集成型激光二极管模块的芯片载体部的平面图。图11是说明以电场吸收型光调制器的电容和阻抗匹配电阻的电阻值为参数的反射损失的仿真结果的反射损失的频率依存性的图。图12是说明本专利技术的实施例5的电场吸收型光调制器集成型激光二极管模块的芯片载体部的平面图。具体实施例方式以下，利用实施例参照附图对为本专利技术的实施方式的光调制器模块进行说明。参照图3-图5对本专利技术的实施例1进行说明。在此，图3是以电场吸收型光调制器的电容为参数的频带内偏差的仿真结果。图4是说明本专利技术的实施例1的电场吸收型光调制器集成型激光二极管模块的主要部分的平面图。图5是以电场吸收型光调制器的电容和终端电阻的电阻值为参数的频带内偏差的仿真结果。首先，利用图3说明电场吸收型光调制器的电容变化时的频带内偏差的变化。在此，仿真利用图2的等价电路来实施。其中，阻抗匹配用电阻的电阻值为0Ω，终端电阻的电阻值为50Ω。另外，所谓频带内偏差是指在频带内的光输出变化之比，在此，通过10MHz下的值进行评价。由于本实施例的光调制器模块的调制速度是10Gbps，因此解析到20GHz的频率特性。3个记号分别表示电场吸收型光调制器的电容(C(EA)Electro-Absorption Modulator)为0.5倍、1.0倍(基准)、1.5倍时的频带内偏差。通过该图可以看到，在光调制器的电容为0.5倍时，偏差向正方向增加，在波形中产生阻尼振荡；另一方面，在光调制器的电容增加到1.5倍时，频带内偏差向负方向恶化。接着，参照图4。在芯片载体10上搭载有电场吸收型光调制器集成型激光二极管3。被集成到电场吸收型光调制器集成型激光二极管3的电场吸收型光调制器1与用于光输出的光学系统(图中未示出)光结合。在芯片载体10上配置有带状导体5，带状导体与芯片载体10一起形成微波传输线。微波传输线的带状导体5在连接信号源11侧的输入端和电场吸收型光调制器1的输出端之间具有阻抗匹配用电阻7。在芯片载体10的终端侧配置有由薄膜材料构成的终端电阻8。终端电阻8串联配值电阻(电阻元件)8a和电阻(电阻元件)8b。终端电阻8的一端与电场吸收型光调制器1连接，另一端通过柱孔9与接地金属连接。电场吸收型光调制器1和导状导体5之间以及电场吸收型光调制器1和终端电阻8a以直径25μm(千分尺)的金属线12、13连接在一起。在芯片载体10上还另外配置有芯片电容4和接地导体6。为电场吸收型调制器集成激光二极管3的一部分的激光二极管2经芯片电容4通过金属线14、15供电。另外，由于接地导体6通过多个柱孔接地，因此，可以说是高频线路的一部分。终端电阻8a和8b的电阻值分别为10Ω合40Ω，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光调制器模块，包括：根据电信号来进行光调制的光调制器；一端与上述电信号的输入连接，另一端与上述光调制器连接的第１电阻；以及一端与上述光调制器连接，另一端接地的第２电阻，其特征在于，上述第１电阻和上述第２电阻中的至少一方包含有多个 电阻元件，通过用金属线连接上述多个电阻元件来选择电阻值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：有马宏幸，加贺谷修，冈安雅信，加藤哲哉，笹田道秀，
申请(专利权)人：日本光进株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]