显示器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了显示器件的制备方法，属于半导体器件技术领域，提供驱动面板，在驱动面板上具有像素点；在像素点上覆设第一牺牲层，在第一牺牲层中形成第一波长转换区，第一波长转换区露出至少部分像素点；在第一牺牲层上覆设第一波长转换材料；第一波长转换材料填充第一波长转换区，用于形成第一波长转换层；去除第一牺牲层和覆盖在第一牺牲层上的第一波长转换材料，保留位于第一波长转换区中的第一波长转换层；第一波长转换层覆设在至少部分像素点上。本发明专利技术直接在牺牲层上图案化形成量子点，不需要量子点转移工艺，实现单色或者全彩显示；波长转换层直接和驱动面板形成一体式结构，实现单片全彩Micro

【技术实现步骤摘要】
显示器件的制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，尤其涉及显示器件的制备方法。

技术介绍

[0002]微显示(Micro
‑
LED，微型发光二极管)通过LED微缩化和矩阵化实现，与传统LED显示屏比较，Micro
‑
LED在晶粒、封装、集成工艺、背板、驱动等工艺均不相同。
[0003]Micro
‑
LED又称微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在1
‑
100微米量级，每一个LED像素都能自发光。由于同等面积的芯片上可以获得更高的集成数量，极大地提高了Micro
‑
LED地光电转换效率，可以实现高分辨率高亮度的显示器设计。在高分辨率下实现全彩的Micro
‑
LED微显示器一直是一项挑战，量子点色彩转换技术由于其优异的光学性能而被广泛应用于实现Micro
‑
LED全彩微显示器的技术上，然而工艺制作上的困难一直存在。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：本专利技术提供一种显示器件的制备方法，不需要量子点转移工艺，直接在像素点上方形成的波长转换层。
[0005]技术方案：为实现上述专利技术目的，本专利技术提供显示器件的制备方法，包括：
[0006]提供驱动面板，在所述驱动面板上具有像素点；
[0007]在所述像素点上覆设第一牺牲层，在所述第一牺牲层中形成第一波长转换区，所述第一波长转换区露出至少部分所述像素点；
[0008]在所述第一牺牲层上覆设第一波长转换材料；所述第一波长转换材料填充所述第一波长转换区，用于形成第一波长转换层；
[0009]去除所述第一牺牲层和覆盖在所述第一牺牲层上的第一波长转换材料，保留位于所述第一波长转换区中的第一波长转换层；所述第一波长转换层覆设在至少部分所述像素点上。
[0010]在一些实施例中，所述像素点选自有机发光二极管、LCD和微型发光二极管中任意一种；所述像素点呈阵列排布。
[0011]在一些实施例中，对所述像素点进行平坦化处理，在所述平坦化处理后的表面形成所述第一牺牲层。
[0012]在一些实施例中，所述第一波长转换层覆设在至少部分所述像素点上后，还包括：
[0013]在所述像素点上覆设第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖所述第一波长转换层；
[0014]在所述第二牺牲层中形成第二波长转换区，所述第二波长转换区露出其他的至少部分所述像素点；
[0015]在所述第二牺牲层上覆设所述第二波长转换材料，所述第二波长转换材料填充所述第二波长转换区，用于形成第二波长转换层；
[0016]去除所述第二牺牲层和覆盖在所述第二牺牲层上的第二波长转换材料，保留位于
所述第二波长转换区中的第二波长转换层；所述第二波长转换层覆设在其他的至少部分所述像素点上。
[0017]在一些实施例中，所述第二波长转换层覆设在其他的至少部分所述像素点上后，还包括：
[0018]在另外的所述像素点上形成透明层。
[0019]在一些实施例中，所述像素点发出第三颜色光，至少部分所述像素点叠加所述第一波长转换层发出第一颜色光，其他的至少部分所述像素点叠加所述第二波长转换层发出第二颜色光，另外的所述像素点叠加所述透明层发出第三颜色光。
[0020]在一些实施例中，所述第二波长转换层覆设在其他的至少部分所述像素点上后，还包括：
[0021]在所述像素点上覆设第三牺牲层，所述第三牺牲层覆盖所述第一波长转换层和所述第二波长转换层；
[0022]所述第三牺牲层中形成第三波长转换区，所述第三波长转换区露出另外的所述像素点；
[0023]在所述第三牺牲层上覆设所述第三波长转换材料，所述第三波长转换材料填充所述第三波长转换区，用于形成第三波长转换层；
[0024]去除所述第三牺牲层和覆盖在所述第三牺牲层上的第三波长转换材料，保留位于所述第三波长转换区中的第三波长转换层；所述第三波长转换层覆设在另外的所述像素点上。
[0025]在一些实施例中，所述像素点发出第四颜色光，至少部分所述像素点叠加所述第一波长转换层发出第一颜色光，其他的至少部分所述像素点叠加所述第二波长转换层发出第二颜色光，另外的所述像素点叠加所述第三波长转换层发出第三颜色光。
[0026]在一些实施例中，在所述第一波长转换层上覆设滤光层。
[0027]在一些实施例中，在所述第一波长转换层之间形成隔离层。
[0028]在一些实施例中，在所述驱动面板上设置有像素点的步骤包括：
[0029]在所述驱动面板上形成LED外延层，所述LED外延层包括第一掺杂型半导体层、第二掺杂型半导体层以及位于两者之间的有源层；
[0030]在所述LED外延层上形成所述像素点，所述像素点为微型发光二极管，形成所述微型发光二极管的步骤包括：
[0031]第一掺杂型半导体层包括连续的功能层结构；对第二掺杂型半导体层进行刻蚀形成台面结构，或者对第二掺杂型半导体层进行离子注入，形成阵列排布微型发光二极管；
[0032]或者，第二掺杂型半导体层包括连续的功能层结构；对第一掺杂型半导体层进行刻蚀形成台面结构，或者对第一掺杂型半导体层进行离子注入，形成阵列排布微型发光二极管；
[0033]或者，每个像素点中，第一掺杂型半导体层、第二掺杂型半导体层和有源层之间互相隔离。
[0034]在一些实施例中，在所述像素点的非出光面上淀积钝化层。
[0035]在一些实施例中，去除所述第一牺牲层采用湿法刻蚀，所述湿法刻蚀后，所述第一牺牲层和覆盖在所述第一牺牲层上的第一波长转换材料一并被去除。
[0036]在一些实施例中，在所述像素点上形成阻挡层，然后在所述阻挡层上形成所述第一牺牲层。
[0037]在一些实施例中，所述第一牺牲层的材质包括无机材料或者有机材料，所述无机材料包括金属和/或金属氧化物，所述金属包括Al、Cr、TiW、Cu中任意一种或几种的组合；所述金属氧化物包括SiO2、SiN
x
、Al2O3、TiO2中任意一种或几种的组合；所述有机材料包括光刻胶。
[0038]在一些实施例中，所述平坦化处理的方式包括：
[0039]在所述像素点之间形成平坦层，所述平坦层的材质为光刻胶，通过光刻工艺使所述平坦层露出所述像素点的出光面；
[0040]或者，形成平坦层之后，在所述平坦层上形成图案化的掩膜，然后通过刻蚀使所述平坦层露出所述像素点的出光面并去除所述掩膜；
[0041]或者，形成平坦层之后，通过刻蚀使所述平坦层露出所述像素点的出光面。
[0042]在一些实施例中，所述平坦层的材质包括无机材料或者有机材料，所述无机材料包括SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、Si3N4、HfO2中任意一种或几种的组合；所述有机材料包括黑矩阵光刻胶、彩色滤光光刻胶、聚酰亚胺、挡墙胶、Overco本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示器件的制备方法，其特征在于，包括：提供驱动面板(105)，在所述驱动面板(105)上具有像素点(102)；在所述像素点(102)上覆设第一牺牲层(100)，在所述第一牺牲层(100)中形成第一波长转换区(101)，所述第一波长转换区(101)露出至少部分所述像素点(102)；在所述第一牺牲层(100)上覆设第一波长转换材料(109)；所述第一波长转换材料(109)填充所述第一波长转换区(101)，用于形成第一波长转换层(110)；去除所述第一牺牲层(100)和覆盖在所述第一牺牲层(100)上的第一波长转换材料(109)，保留位于所述第一波长转换区(101)中的第一波长转换层(110)；所述第一波长转换层(110)覆设在至少部分所述像素点(102)上。2.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述像素点(102)选自有机发光二极管、LCD和微型发光二极管中任意一种；所述像素点(102)呈阵列排布。3.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，对所述像素点(102)进行平坦化处理，在所述平坦化处理后的表面形成所述第一牺牲层(100)。4.根据权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述第一波长转换层(110)覆设在至少部分所述像素点(102)上后，还包括：在所述像素点(102)上覆设第二牺牲层(119)，所述第二牺牲层(119)覆盖所述第一波长转换层(110)；在所述第二牺牲层(119)中形成第二波长转换区(120)，所述第二波长转换区(120)露出其他的至少部分所述像素点(102)；在所述第二牺牲层(119)上覆设第二波长转换材料(112)，所述第二波长转换材料(112)填充所述第二波长转换区(120)，用于形成第二波长转换层(111)；去除所述第二牺牲层(119)和覆盖在所述第二牺牲层(119)上的第二波长转换材料(112)，保留位于所述第二波长转换区(120)中的第二波长转换层(111)；所述第二波长转换层(111)覆设在其他的至少部分所述像素点(102)上。5.根据权利要求4所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述第二波长转换层(111)覆设在其他的所述像素点(102)上后，还包括：在另外的所述像素点(102)上形成透明层(115)。6.根据权利要求5所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述像素点(102)发出第三颜色光，至少部分所述像素点(102)叠加所述第一波长转换层(110)发出第一颜色光，其他的至少部分所述像素点(102)叠加所述第二波长转换层(111)发出第二颜色光，另外的所述像素点(102)叠加所述透明层(115)发出第三颜色光。7.根据权利要求4所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述第二波长转换层(111)覆设在其他的至少部分所述像素点(102)上后，还包括：在所述像素点(102)上覆设第三牺牲层(121)，所述第三牺牲层(121)覆盖所述第一波长转换层(110)和所述第二波长转换层(111)；所述第三牺牲层(121)中形成第三波长转换区(122)，所述第三波长转换区(122)露出另外的所述像素点(102)；在所述第三牺牲层(121)上覆设所述第三波长转换材料(114)，所述第三波长转换材料(114)填充所述第三波长转换区(122)，用于形成第三波长转换层(113)；
去除所述第三牺牲层(121)和覆盖在所述第三牺牲层(121)上的第三波长转换材料(114)，保留位于所述第三波长转换区(122)中的第三波长转换层(113)；所述第三波长转换层(113)覆设在另外的所述像素点(102)上。8.根据权利要求7所述的显示器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：仉旭，庄永漳，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：