薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置，在从薄化晶片分离剩余晶片时，能够尽量不使薄化晶片破损。具备：脆弱层形成工序，形成沿着半导体晶片(WF)的一个面(WFA)的面状的脆弱层(WL)，并以该脆弱层(WL)为界将半导体晶片(WF)划分为薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)；以及分离工序，支撑半导体晶片(WF)中的薄化晶片(WF1)侧和剩余晶片(WF2)侧中的至少一个，使薄化晶片(WF1)与剩余晶片(WF2)分离，在分离工序中，使薄化晶片(WF1)和剩余晶片(WF2)从半导体晶片(WF)的外缘部的一端部(WFF)朝向该半导体晶片(WF)的外缘部的另一端部(WFR)逐渐分离。一端部(WFR)逐渐分离。一端部(WFR)逐渐分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置


[0001]本专利技术涉及一种薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置。

技术介绍

[0002]已知有在半导体晶片(以下，也简称为“晶片”))上形成脆弱层而由该晶片形成薄化晶片的薄化晶片的制造方法(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：日本特开2016
‑
35965号公报

技术实现思路

(一)要解决的技术问题
[0004]但是，在专利文献1所记载的那样的板状部件的分割方法(薄化晶片的制造方法)中，为了将上半晶片WF2(剩余晶片)整体从下半晶片WF1(薄化晶片)分离所需的全部负荷在它们的相对移动初期一次性施加在薄化晶片和剩余晶片上，因此存在薄化晶片破损的可能性。
[0005]本专利技术的目的在于提供一种在从薄化晶片分离剩余晶片时，能够尽量不使薄化晶片破损的薄化晶片的制造方法和薄化晶片的制造装置。(二)技术方案
[0006]本专利技术采用了权利要求所述的结构。(三)有益效果
[0007]根据本专利技术，由于使薄化晶片与剩余晶片逐渐分离，因此，用于将剩余晶片整体从薄化晶片分离所需的全部负荷不会在它们的相对移动初期一次性施加在薄化晶片和剩余晶片上。因此，在从薄化晶片分离剩余晶片时，能够尽量不使薄化晶片破损。
附图说明
[0008]图1是本专利技术的第一实施方式的薄化晶片的制造装置的说明图。图2是本专利技术的第一实施方式的薄化晶片的制造装置的说明图。图3的(A)是本专利技术的第二实施方式的薄化晶片的制造装置的说明图，图3的(B)、图3的(C)是变形例的说明图。
具体实施方式
[0009]以下，根据附图说明本专利技术的一实施方式。此外，本实施方式的X轴、Y轴、Z轴处于彼此正交的关系，X轴及Y轴设定为规定平面内的轴，Z轴设定为与所述规定平面正交的轴。而且，在本实施方式中，以从平行于图1的(A)所示的Y轴的箭头BD方向观察的情况为基准，当在未指定图的情况下表示方向时，“上”是Z
轴的箭头方向且“下”是其相反方向，“左”是X轴的箭头方向且“右”是其相反方向，“前”是平行于Y轴的图1中近前方向且“后”是其相反方向。
[0010][第一实施方式]本专利技术的薄化晶片的制造装置EA具备：脆弱层形成构件10，其形成沿着晶片WF的一个面WFA的面状的脆弱层WL，并以该脆弱层WL为界将晶片WF划分成薄化晶片WF1和剩余晶片WF2；以及分离构件20，其支撑晶片WF中的剩余晶片WF2侧，使薄化晶片WF1和剩余晶片WF2分离，该薄化晶片的制造装置EA配置在支撑并输送晶片WF的晶片输送构件30的附近。此外，晶片WF具备一个面WFA和另一个面WFB，在一个面WFA侧形成有未图示的规定的电路，在该电路面上粘贴有保护带PT。
[0011]脆弱层形成构件10具备：支撑于作为驱动设备的线性马达11的滑块11A且能够照射激光LB的激光照射装置12。激光照射装置12使焦点对准晶片WF内部的规定位置，在成为该焦点的位置形成脆弱的脆弱层WL。在本实施方式的情况下，激光照射装置12以多个焦点在前后方向上排列的方式构成其输出部。
[0012]分离构件20具备：配置构件21，其在支撑于晶片输送构件30的晶片WF的周边配置作为框架部件的环形框架RF；片材粘贴构件22，其在晶片WF和环形框架RF上粘贴粘接片材AS；以及分离力施加构件23，其使薄化晶片WF1和剩余晶片WF2分离，分离构件20构成为使薄化晶片WF1和剩余晶片WF2从晶片WF的外缘部的一端部WFF朝向该晶片WF的外缘部的另一端部WFR逐渐分离(参照图2)。配置构件21具备：作为驱动设备的直动马达21C，其支撑于作为驱动设备的线性马达21A的滑块21B；吸附臂21F，其支撑于直动马达21C的输出轴21D，具有能够通过减压泵、真空喷射器等未图示的减压构件(保持构件)进行吸附保持的吸附部21E；以及储料器21G，其储存环形框架RF。片材粘贴构件22具备：支撑辊22A，其支撑粘接片材AS临时粘接于带状的剥离片材RL而成的原材料RS；引导辊22B，其引导原材料RS；作为剥离构件的剥离板22D，其在剥离缘22C将剥离片材RL折回，从该剥离片材RL剥离粘接片材AS；作为按压构件的按压辊22E，其将粘接片材AS按压并粘贴于环形框架RF及晶片WF；驱动辊22H，其支撑于作为驱动设备的转动马达22F的未图示的输出轴，与夹送辊22G一起夹持剥离片材RL；以及作为回收构件的回收辊22J，其支撑于未图示的驱动设备的输出轴，在进行薄化晶片的制造装置EA的自动运转的期间，始终对存在于回收辊22J与夹送辊22G之间的剥离片材RL施加规定的张力，并回收该剥离片材RL。分离力施加构件23具有吸附臂22D，该吸附臂22D支撑于作为驱动设备的转动马达23A的输出轴23B，具有能够通过减压泵、真空喷射器等未图示的减压构件(保持构件)进行吸附保持的吸附部23C。
[0013]晶片输送构件30包括：外侧台32，其支撑于作为驱动设备的线性马达31的滑块31A，具有能够通过减压泵、真空喷射器等未图示的减压构件(保持构件)进行吸附保持的框架载置面32A；作为驱动设备的转动马达33，其配置在形成于外侧台32的凹部32B内；以及内侧台34，其支撑于转动马达33的输出轴33A，具有能够通过减压泵、真空喷射器等未图示的减压构件(保持构件)进行吸附保持的支撑面34A。
[0014]对以上的薄化晶片的制造装置EA的动作进行说明。
首先，对于各部件配置在图1中实线所示的初始位置(仅晶片输送构件30在图1的(A)、(B)所示的位置为初始位置)的薄化晶片的制造装置EA，该薄化晶片的制造装置EA的使用者(以下，简称为“使用者”)如图1的(E)所示那样设置了原材料RS之后，经由操作面板、个人计算机等未图示的操作构件输入自动运转开始的信号。然后，分离构件20驱动转动马达22F，送出原材料RS，当最先的粘接片材AS的送出方向前端部在剥离板22D的剥离缘22C被剥离规定长度时，停止转动马达22F的驱动。接着，如图1的(A)、(B)所示，当使用者或多关节机器人或带式输送机等未图示的输送构件将晶片WF载置在内侧台34上时，晶片输送构件30驱动未图示的减压构件，开始晶片WF在支撑面34A上的吸附保持。之后，晶片输送构件30驱动线性马达31，使滑块31A向右方移动，在从箭头BD方向观察的正面观察中，当晶片WF的左右方向的中心位置到达激光照射装置12的左右方向的中心位置时，停止线性马达31的驱动。
[0015]接着，脆弱层形成构件10以及晶片输送构件30驱动线性马达11、激光照射装置12以及转动马达33，如图1的(C)中双点划线所示，一边使晶片WF旋转，一边使激光照射装置12从该晶片WF的外缘侧朝向中央移动。由此，在成为激光照射装置12的焦点位置的晶片WF的内部，形成沿着一个面WFA的面状的脆弱层WL。然后，在晶片WF的内部的激光照射装置12的焦点位置整体上形成脆弱层WL，当该晶片WF被划分为薄化晶片WF1和剩余晶片WF2时，在脆弱层形成构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄化晶片的制造方法，其特征在于，实施：脆弱层形成工序，形成沿着半导体晶片的一个面的面状的脆弱层，并以该脆弱层为界将所述半导体晶片划分为薄化晶片和剩余晶片；以及分离工序，支撑所述半导体晶片中的所述薄化晶片侧和所述剩余晶片侧中的至少一个，使所述薄化晶片与所述剩余晶片分离，在所述分离工序中，使所述薄化晶片和剩余晶片从所述半导体晶片的外缘部的一端部朝向该半导体晶片的外缘部的另一端部逐渐分离。2.一种薄化晶片的制造方法，其特征在于，实施：脆弱层形成工序，形成沿着半导体晶片的一个面的面状的脆弱层，并以该脆弱层为界将所述半导体晶片划分为薄化晶片和剩余晶片；以及分离工序，支撑所述半导体晶片中的所述薄化晶片侧和所述剩余晶片侧中的至少一个，使所述薄化晶片与所述剩余晶片分离，在所述分离工序中，使所述薄化晶片和剩余晶片从所述半导体晶片的外缘部的一端部以及该半导体晶片的外缘部的另一端部朝向该半导体晶片的中央部逐渐分离。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：泉直史，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：