导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法技术

本申请提供一种导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法。该导电陶瓷材料的制备方法包括：获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1

【技术实现步骤摘要】
导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法


[0001]本专利技术涉及导电陶瓷材料
，尤其涉及一种导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法。

技术介绍

[0002]导电陶瓷材料，由于其具有高温稳定的导电性能、均匀更快的载流特性，以及优良的抗氧化性能、耐腐蚀性能、更高的击穿强度得到越来越广泛的关注和应用。
[0003]然而，目前所制得的导电陶瓷材料，其存在电阻率较高、功率密度较小的问题，例如有用溅射镀膜方法制导电陶瓷材料不仅工艺复杂，而且需要承载导电陶瓷膜的基质相配合，使用范围和方式受限的问题。

技术实现思路

[0004]本申请提供的导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法，能够解决现有导电陶瓷材料的电阻率较高，功率密度较低，以及使用范围和方式受限的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是：一种导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括：获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1
‑
8％的添加剂，并与溶剂进行混合研磨，以制得料浆；其中，添加剂为Sb2O3，Li2CO3，Ba2CO3，SiO2，Bi2O3，ZnO，MgO中的至少一种或多种；对料浆进行烧结，以制得导电陶瓷材料。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是：提供一种导电陶瓷材料。该导电陶瓷材料采用上述所涉及的导电陶瓷材料的制备方法所制得。
[0007]为解决上述技术问题，本申请采用的第三个技术方案是：提供一种导电陶瓷体的制备方法，该方法包括：获取导电陶瓷材料；导电陶瓷材料采用上述所涉及的导电陶瓷材料的制备方法所制得；对导电陶瓷材料进行造粒以得到造粒粉；对造粒粉进行压制成型，以获得陶瓷生坯；在预设条件下对陶瓷生坯进行烧结并冷却，以制得导电陶瓷体。
[0008]为解决上述技术问题，本申请采用的第四个技术方案是：提供一种导电陶瓷体，该导电陶瓷体采用上述所涉及的导电陶瓷材料的制备方法所制得。
[0009]本申请提供的导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法，通过获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1
‑
8％的添加剂，并与溶剂进行混合研磨，以制得料浆；其中，添加剂为Sb2O3，Li2CO3，Ba2CO3，SiO2，Bi2O3，ZnO，MgO中的至少一种或多种；然后对料浆进行烧结，以制得导电陶瓷材料；该方法所制得的导电陶瓷材料的电阻率范围为1
×
10
‑4Ω
·
m～1
×
10
‑6Ω
·
m，功率密度大于2600mW/cm2，导热系数大于20w/℃.m；且该方法所制得的导电陶瓷材料大大降低了所制得的导电陶瓷材料的电阻率，提高了功率密度，且相比于采用溅射薄膜的方法制备导电陶瓷材料，无需与相应介质配合使用，使用范围和方式较为广泛。
附图说明
[0010]图1为本申请一实施例提供的导电陶瓷材料的制备方法的流程图；
[0011]图2为本申请一实施例提供的导电陶瓷体的制备方法的流程图；
[0012]图3为本申请一实施例提供的图2中步骤S22的子流程图；
[0013]图4为本申请一实施例提供的第一组实验至第三组实验所制得的导电陶瓷体的晶型组成分析XRD图；
[0014]图5为本申请一实施例提供的第一组实验所制得的导电陶瓷体的SEM图；
[0015]图6为本申请一实施例提供的第二组实验所制得的导电陶瓷体的SEM图；
[0016]图7为本申请一实施例提供的第三组实验所制得的导电陶瓷体的SEM图。
具体实施方式
[0017]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0018]本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0019]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0020]为此，本申请提供一种导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法，该导电陶瓷材料的制备方法采用一次原料直接固相反应合成高导电陶瓷材料，该方法的配方主体体系为重量百分数为92.0～99.0％的SnO2。该方法所制得的导电陶瓷材料的电阻率可达到1
×
10
‑4Ω
·
m～1
×
10
‑6Ω
·
m；在具体制备过程中，可根据使用要求进行电阻率的设计；该导电陶瓷材料的导电性能可接近金属导电性能，且功率密度超过2600mW/cm2，抗折强度可达到120MPa以上，可进行电阻加热(雾化加热等)、电极、高温电阻控制电路等电子零件设计使用。
[0021]下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。
[0022]请参阅图1，图1为本申请一实施例提供的导电陶瓷材料的制备方法的流程图；在本实施例中，提供一种导电陶瓷材料的制备方法，该方法具体采用固相反应制备导电陶瓷
材料，该方法包括：
[0023]步骤S11：获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1
‑
8％的添加剂，并与溶剂进行混合研磨，以制得料浆。
[0024]在具体实施过程中，步骤S11具体包括获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1
‑
8％的添加剂，然后加入溶剂和球磨珠后进行混合球磨，以制得料浆；其中，SnO2和添加剂的重量与球磨珠的重量以及溶剂的重量比为1:2:0.8～1.2。溶剂可为纯度为98％及以上的水或无水乙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括：获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1
‑
8％的添加剂，并与溶剂进行混合研磨，以制得料浆；其中，所述添加剂为Sb2O3，Li2CO3，Ba2CO3，SiO2，Bi2O3，ZnO，MgO中的至少一种或多种；对所述料浆进行烧结，以制得导电陶瓷材料。2.根据权利要求1所述的导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述Sb2O3的重量百分数为1.0
‑
7.0％，所述Li2CO3的重量百分数为0.1
‑
2.0％，所述Ba2CO3的重量百分数为0.1
‑
2.0％，所述SiO2的重量百分数为0.1
‑
3.0％，所述Bi2O3的重量百分数为0.1
‑
3.0％，所述ZnO的重量百分数为0.1
‑
2.0％，所述MgO的重量百分数为0.1
‑
2.0％。3.根据权利要求2所述的导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1
‑
8％的添加剂，并与溶剂进行混合研磨，以制得料浆的步骤具体包括：获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO2以及重量百分数为1
‑
8％的添加剂，加入溶剂和球磨珠后进行混合球磨，以制得料浆；其中，所述SnO2和所述添加剂的重量与所述球磨珠的重量以及所述溶剂的重量比为1:2:0.8～1.2。4.根据权利要求1所述的导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述添加剂为所述Sb2O3，Li2CO3，Ba2CO3，SiO2，Bi2O3，ZnO，MgO中的至少两种。5.根据权利要求1所述的导电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述溶剂为水或无水乙醇。6.一种导电陶瓷材料，其特征在于，所述导电陶瓷材料采用如权利要求1
‑
5中任意一项所述的导电陶瓷材料的制备方法所制得。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王守平，朱林林，赵晓阳，江雪涛，张琳，西克宇，
申请(专利权)人：深圳麦克韦尔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：