显示面板及其制作方法、移动终端技术

本申请提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，该显示面板包括层叠设置于基底上的薄膜晶体管层、补氧功能层以及电极层；薄膜晶体管层包括设置于基底上方的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏电极层，有源层的材料为金属氧化物半导体，电极层的材料为金属氧化物材料，其中，补氧功能层靠近电极层一侧的含氧量大于补氧功能层靠近有源层一侧的含氧量。补氧功能层靠近有源层一侧的含氧量。补氧功能层靠近有源层一侧的含氧量。

Display panel and its manufacturing method, mobile terminal

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法、移动终端


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、移动终端。

技术介绍

[0002]氧化物(Oxide)型薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)凭借其低的工艺温度、高的迁移率、对可见光透明，可以在室温制作大面积优质薄膜并可与现有产线设备兼容、可以制作在柔性衬底上等优点，被认为是最有希望的下一代薄膜晶体管之一。
[0003]通常，薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，源极和漏极分设于有源层的两端且分别与有源层接触；在实际应用中，源极和漏极通过有源层导通，载流子从源极流向漏极或者从漏极流向源极，其中，有源层通常采用湿法刻蚀形成，而源极和漏极也是采用湿法刻蚀形成，因此，在制作源极和漏极时，有源层容易受到刻蚀剂的影响而产生缺陷(氧空位增加)，在外界热刺激或者光刺激的影响下，降低载流子传输的速率，使阈值电压发生正偏移或负偏移，影响薄膜晶体管的工作稳定性。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种移动终端，用以缓解相关技术中的不足。
[0005]为实现上述功能，本申请实施例提供的技术方案如下：
[0006]本申请实施例提供一种显示面板，包括：
[0007]基底；
[0008]薄膜晶体管层，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管层包括设置于所述基底上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏电极层；
[0009]补氧功能层，位于所述源漏电极层远离所述有源层的一侧；
[0010]电极层，位于所述补氧功能层远离所述薄膜晶体管层的一侧，所述电极层的材料为金属氧化物材料；
[0011]其中，所述补氧功能层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述补氧功能层靠近所述有源层一侧的含氧量。
[0012]在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板包括位于所述薄膜晶体管层远离所述基底一侧的第一钝化层，所述补氧功能层包括所述第一钝化层；所述电极层为像素电极、公共电极或阳极中的一种。
[0013]在本申请实施例所提供的显示面板中，所述电极层为像素电极或公共电极中的一种，所述显示面板还包括位于所述电极层远离所述补氧功能层一侧的第二钝化层。
[0014]在本申请实施例所提供的显示面板中，所述电极层为阳极，所述显示面板还包括位于所述电极层远离所述补氧功能层一侧的像素定义层。
[0015]本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，所述制作方法的步骤包括：
[0016]提供一基底，在所述基底上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层以及第一钝化层；
[0017]在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层上形成金属氧化物层；以及
[0018]蚀刻所述金属氧化物层，并对蚀刻后的所述金属氧化物层进行导体化以形成电极层，其中，所述第一钝化层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述第一钝化层靠近所述有源层一侧的含氧量。
[0019]在本申请实施例所提供的制作方法中，所述在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层上形成金属氧化物层的步骤包括：
[0020]在所述第一钝化层远离所述源漏电极层的一侧形成金属氧化物薄膜；
[0021]所述在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，对所述金属氧化物薄膜进行图案化处理，形成金属氧化物层。
[0022]在本申请实施例所提供的制作方法中，所述电极层为像素电极或公共电极中的一种，所述显示面板的制作方法还包括以下步骤：
[0023]采用沉积工艺在所述电极层远离所述第一钝化层的一侧形成第二钝化层。
[0024]在本申请实施例所提供的制作方法中，所述电极层为阳极，所述显示面板的制作方法还包括以下步骤：
[0025]采用沉积工艺在所述电极层远离所述补氧功能层的一侧形成像素定义层。
[0026]在本申请实施例所提供的制作方法中，所述沉积工艺为等离子体增强气相沉积工艺，所述等离子体包括氦气、氩气、氢气和氧气中的一种或一种以上的混合气体。
[0027]本申请实施例提供一种移动终端，包括终端主体和上述任一所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
[0028]本申请实施例的有益效果：本申请提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，所述显示面板包括层叠设置于基底上的薄膜晶体管层、补氧功能层以及电极层；所述薄膜晶体管层包括设置于所述基底上方的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏电极层，所述有源层的材料为金属氧化物半导体，所述电极层的材料为金属氧化物材料，其中，所述补氧功能层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述补氧功能层靠近所述有源层一侧的含氧量，所述补氧功能层用于在制作所述电极层时被注入氧离子、及释放氧离子以填补有源层中的氧空位，从而解决现有技术中，因有源层氧空位增加，在外界热刺激或者光刺激的影响下，降低载流子传输的速率，使阈值电压发生正偏移或负偏移，影响所述显示面板器件的工作稳定性缺陷。
附图说明
[0029]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0030]图1为本申请实施例所提供的显示面板的第一种结构示意图；
[0031]图2为本申请实施例所提供显示面板的制作方法的流程图；
[0032]图3A至图3D为图1中显示面板制作的结构工艺流程图；
[0033]图4为本申请实施例所提供的显示面板的第二种结构示意图；
[0034]图5为本申请实施例所提供的显示面板的第三种结构示意图；
[0035]图6A至图6C为图5中显示面板制作的结构工艺流程图。
具体实施方式
[0036]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0037]本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
[0038]请参阅图1～图6C，本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，所述显示面板1包括：
[0039]基底10；
[0040]薄膜晶体管层20，设置于所述基底10上，所述薄膜晶体管层20包括设置于所述基底10上方的栅极21、栅极绝缘层22、有源层23以及源漏电极层24，所述有源层23的材料为金属氧化物半导体；
[0041]补氧功能层30，位于所述有源层23远离所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基底；薄膜晶体管层，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管层包括设置于所述基底上方的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏电极层，所述有源层的材料为金属氧化物半导体；补氧功能层，位于所述源漏电极层远离所述有源层的一侧；电极层，位于所述补氧功能层远离所述薄膜晶体管层的一侧，所述电极层的材料为金属氧化物材料；其中，所述补氧功能层靠近所述电极层一侧的含氧量大于所述补氧功能层靠近所述有源层一侧的含氧量。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括位于所述薄膜晶体管层远离所述基底一侧的第一钝化层，所述补氧功能层包括所述第一钝化层；所述电极层为像素电极、公共电极或阳极中的一种。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述电极层为像素电极或公共电极中的一种，所述显示面板还包括位于所述电极层远离所述补氧功能层一侧的第二钝化层。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述电极层为阳极，所述显示面板还包括位于所述电极层远离所述补氧功能层一侧的像素定义层。5.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法的步骤包括：提供一基底，在所述基底上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层以及第一钝化层；在氧气与惰性气体的气压比大于40％的环境下，在所述第一钝化层上形成金属氧化物层；以及蚀刻所述金属氧化物层，并对...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，王航，赵军，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：