本发明专利技术适用于材料技术领域，提供了一种发光层材料、发光器件和发光装置，本发明专利技术提供的发光层材料为扁平型的高共轭电子分布系统，让分子间有效并且有次序地堆栈，从而在一定的电场下发挥最佳的载子传输与迁移；同时将一些刚性的并具有高立体阻碍性的分子基团合成于分子结构中，分子以相当独特的方式结合了长程相互作用和离域，引起短距离高辐射衰减率的效应电荷密度改组可最大程度地降低单重态
A light-emitting layer material, light-emitting device and light-emitting device
【技术实现步骤摘要】
一种发光层材料、发光器件和发光装置
[0001]本专利技术属于材料
，尤其涉及一种发光层材料、发光器件和发光装置。
技术介绍
[0002]有机电致发光二极管(OLED：Organic Light Emission Diodes)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED显示技术具有自发光、高亮度、快响应、宽视角、广色域、柔性化、超薄、超轻、低驱动电压、低功耗、宽温度等显著的优点，是一种发展快、技术更迭迅速的新型显示技术，得到广泛地研究。
[0003]有机电致发光元件是利用了如下原理的自发光元件：通过施加电场，利用由阳极注入的空穴与由阴极注入的电子的复合能使荧光性物质发光。它具有如下结构：阳极、阴极以及介于两者之间的有机材料层。为了提高有机电致发光元件的效率和稳定性，有机材料层通常包括具有不同材料的多层，例如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。这种有机发光元件中，当在阳极和阴极之间施加电压时，来自阳极的空穴和来自阴极的电子注入有机材料层，产生的激子在迁移至基态时产生具有特定波长的光。
[0004]OLED显示技术的核心有机发光材料，基于红光材料、绿光材料、蓝光材料三者混合实现全色域。新型发光材料的开发是推动电致发光技术不断进步的源动力，也是有机电致发光产业的研究热点。新型蓝光有机电致发光材料的开发实现器件高发光效率和更优的使用寿命，同时，窄半峰宽、色纯度高的蓝光发光材料是开发蓝光发光材料的重点。
[0005]目前，采用多重振动效应(MR效应)，利用硼与氮氧等杂原子相反的振动，构建由硼原子与氮氧等杂原子将多个芳香族环缩合形成的多环芳香族化合物，即制备含有硼原子、氮氧杂原子的特殊刚性材料体系。这类荧光分子具有高辐射跃迁速率、窄的半峰宽、高色纯度，但在器件寿命以及发光效率上表现不是特别理想，而且该技术的产业化进程仍面临许多关键问题，所以，开发新的材料，一直是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目的在于提供一种发光层材料，旨在解决现有的发光材料在器件寿命以及发光效率上表现不理想，且不利于产业化的问题。
[0007]本专利技术是这样实现的，一种发光层材料，所述发光层材料的结构如通式I所示：
[0008][0009]通式I中n0为0
‑
3整数，R0为氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
‑
C20烷基、经取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基、经取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、经取代或未经取代的C6
‑
C30的杂芳基中的一种；
[0010]X，Y彼此相同或不同，并分别独立的选自连接键，氧或硫，且当X为氧或硫时，Y为连接键，当Y为氧或硫时，X为连接键；
[0011]其中通式I中Ar1选自下式1所示的化合物：
[0012][0013]Ar2、Ar3彼此相同或不同，分别为以下化合物中的一种：
[0014][0015]Z为C、N中的一种；当Z选自C时，n1取值范围为0
‑
13的整数；当Z选自N时，n1取值范围为0
‑
12的整数；
[0016]n2‑
n5为0或1；
[0017]R1为氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
‑
C20烷基、经取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基、经取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、经取代或未经取代的C6
‑
C30的杂芳基中的一种，其中杂原子选自氮，氧，硫；
[0018]R2‑
R4分别独立的选自氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
‑
C20烷基、经取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基、经取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、经取代或未经取代的C6
‑
C30的杂芳基中的一种，其中杂原子选自氮，氧，硫；
[0019]R5为氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
‑
C20烷基、经取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基、经取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、经取代或未经取代的C6
‑
C30的杂芳基中的一种，其中杂原子选自氮，氧，硫；
[0020]Ar4为氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
‑
C20烷基、经取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基、经取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、经取代或未经取代的C6
‑
C30的杂芳基中的一种，其中杂原子选自氮，氧，硫。
[0021]本专利技术的另一目的在于一种发光器件，所述发光器件包括所述的发光层材料。
[0022]本专利技术的另一目的在于一种发光装置，所述发光装置包括所述的发光层材料或者所述的发光器件。
[0023]本专利技术提供的发光层材料为扁平型的高共轭电子分布系统，让分子间有效并且有次序地堆栈，从而在一定的电场下发挥最佳的载子传输与迁移；同时将一些刚性的并具有高立体阻碍性的分子基团合成于分子结构中，分子以相当独特的方式结合了长程相互作用和离域，引起短距离高辐射衰减率的效应电荷密度改组可最大程度地降低单重态
‑
三重态的间隙；多元环共轭刚性结构有效地抑制了分子基态和激发态的振动，反应在更窄的发射带，同时引入叔丁基与叔戊基等基团以提高色纯度。利用本专利技术中的发光层材料所制备的器件寿命及效率明显提高。
附图说明
[0024]图1是本专利技术实施例1提供的化合物37的核磁共振氢谱图；
[0025]图2是本专利技术实施例3提供的非现有原料的核磁共振氢谱图。
具体实施方式
[0026]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0027]本专利技术提供了一种发光层材料，其结构式如下通式I所示：
[0028][0029]取代基范围：
[0030]X，Y彼此相同或不同，并分别独立的选自连接键，氧或硫，且当X为氧或硫时，Y为连接键，当Y为氧或硫时，X为连接键；
[0031]其中通式I中Ar1选自式1：
[0032][0033]式1中Z选自C、N；R1选自氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
‑
C20烷基；经取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基；经取代或未取代的C6
‑
C30的芳基；经取代或未经取代的C6
‑
C30的杂芳基，其中杂原子选自氧、氮、硫；
[0034]当Z选自C时，n1取值范围为0
‑
13的整数；
[0035]当Z选自N时，n1取值范围为0...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光层材料，其特征在于，所述发光层材料的结构如通式I所示：通式I中n0为0
‑
3整数，R0为氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
‑
C20烷基、经取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基、经取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、经取代或未经取代的C6
‑
C30的杂芳基中的一种；X，Y彼此相同或不同，并分别独立的选自连接键，氧或硫，且当X为氧或硫时，Y为连接键，当Y为氧或硫时，X为连接键；其中通式I中Ar1选自下式1所示的化合物：Ar2、Ar3彼此相同或不同，分别为以下化合物中的一种：Z为C、N中的一种；当Z选自C时，n1取值范围为0
‑
13的整数；当Z选自N时，n1取值范围为0
‑
12的整数；n2‑
n5为0或1；R1为氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
‑
C20烷基、经取代或未取代的C1
‑
C20烷氧基、经取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、经取代或未经取代的C6
‑
C30的杂芳基中的一种；R2‑
R4分别独立的选自氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
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C20烷基、经取代或未取代的C1
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C20烷氧基、经取代或未取代的C6
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C30的芳基、经取代或未经取代的C6
‑
C30的杂芳基中的一种；
R5为氘、腈基、卤素基团、经取代或未取代的C1
‑
C20烷基、经取代或未取代的C1
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C20烷氧基、经取代或未取代的C6
...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪康，徐佳楠，韩文坤，马晓宇，唐志杰，张思铭，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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