发光二极管芯片及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体光电器件技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。本发明专利技术提供一种发光二极管包括：半导体外延叠层，其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；绝缘层，至少覆盖部分所述半导体外延叠层；反射层，设置于所述绝缘层中，所述反射层包含依次远离所述半导体外延叠层设置的金属反射层和防氧化层。本发明专利技术提供的发光二极管芯片具有高发光强度及高可靠性。性。性。

LED chip and light-emitting device

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件
，特别涉及发光二极管及发光装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文Light Emitting Diode，简称LED)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光元件。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种具有高可靠性的发光二极管芯片。
[0004]本专利技术实施例所采用的技术方案如下：
[0005]具体来说，本专利技术一实施例提供一种发光二极管，包括：
[0006]半导体外延叠层，其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；
[0007]绝缘层，至少覆盖部分所述半导体外延叠层；
[0008]反射层，设置于所述绝缘层中，所述反射层包含依次远离所述半导体外延叠层设置的金属反射层和防氧化层。
[0009]在一些实施例中，所述防氧化层包含Cr。
[0010]在一些实施例中，所述防氧化层的厚度在以上且以下。
[0011]在一些实施例中，所述金属反射层包含有Al、Ag或Rh中的至少一种。
[0012]在一些实施例中，所述金属反射层的厚度在以上且以下。
[0013]在一些实施例中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；
[0014]所述反射层的下表面与所述第一绝缘层接触，所述反射层的上表面与所述第二绝缘层接触。
[0015]在一些实施例中，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。
[0016]在一些实施例中，所述第一绝缘层的厚度在以上且以下，所述第二绝缘层的厚度在以上且以下。
[0017]在一些实施例中，所述第一绝缘层包括低折射率的材料层；所述第二绝缘层包括低折射率的材料层。
[0018]在一些实施例中，所述发光二极管还包括一第一接触层，所述第一接触层形成于所述第一导电类型半导体层之上。
[0019]在一些实施例中，所述发光二极管还包括一第一连接电极，该第一连接电极位于所述第一接触层之上，所述绝缘层覆盖第一接触层的部分表面。
[0020]在一些实施例中，所述反射层在所述半导体外延叠层上的投影位于所述第二导电类型半导体层内。
[0021]在一些实施例中，所述发光二极管还包括一第二连接电极，所述绝缘层具有一系
列贯穿所述绝缘层的第一孔洞，所述第二连接电极通过所述第一孔洞电连接至所述第二导电类型半导体层。
[0022]在一些实施例中，所述反射层在所述半导体外延叠层上的投影不与所述第一孔洞重叠或者交叠。
[0023]在一些实施例中，所述第一孔洞的直径在10μm以上且50μm以下，相邻的第一孔洞的距离在10μm以上且100μm以下。
[0024]在一些实施例中，所述发光二极管还包括第三绝缘层、第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第三绝缘层形成于第二连接电极上，具有第一开口和第二开口，所述第一焊盘电极通过所述第一开口电连接所述第一接触层，所述第二焊盘电极通过所述第二开口电连接所述第二连接电极。
[0025]本专利技术一实施例还提供一种发光装置，具有如上所述的发光二极管芯片。
[0026]与现有技术相比，本专利技术提供的发光二极管，包括以下有益效果：
[0027](1)通过金属反射层、防氧化层的加入，进而提升发光二极管的发光强度及可靠性；
[0028](2)通过将金属反射层、防氧化层形成电绝缘，减少电致迁移问题。
[0029]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0031]图1所示出的为本专利技术一实施例提供的一种发光二极管的俯视图；
[0032]图1A所示出的为图1所示实施例的发光二极管的侧视剖面示意图；
[0033]图1B所示出的是图1A虚线框中结构的放大示意图；
[0034]图2至图14是用以说明本专利技术图1所示实施例发光二极管的制造方法的剖面图。
[0035]附图标记：
[0036]10
‑
衬底；11
‑
上表面；12
‑
下表面；20
‑
半导体外延叠层；21
‑
第一导电类型半导体层；22
‑
发光层；23
‑
第二导电类型半导体层；24
‑
缓冲层；30
‑
绝缘层；31
‑
第一绝缘层；32
‑
第二绝缘层；33
‑
第三绝缘层；34
‑
第一孔洞；35
‑
第一开口；36
‑
第二开口；40
‑
反射层；41
‑
金属反射层；42
‑
防氧化层；50
‑
第二接触层；61
‑
第一接触层；62
‑
第二连接电极；71
‑
第一连接电极；81
‑
第一焊盘电极；82
‑
第二焊盘电极。
具体实施方式
[0037]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是
本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本专利技术不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0038]在本专利技术的描述中，需要说明的是，本专利技术所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义，不能理解为对本专利技术的限制；应进一步理解，本专利技术所使用的术语应被理解为具有与这些术语在本说明书的上下文和相关领域中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来理解，除本专利技术中明确如此定义之外。
[0039]以下所公开的不同实施例可能重复使用相同的参考符号和/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例和/或结构之间有特定的关系；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：半导体外延叠层，其包含依次层叠设置的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；绝缘层，至少覆盖部分所述半导体外延叠层；反射层，设置于所述绝缘层中，所述反射层包含依次远离所述半导体外延叠层设置的金属反射层和防氧化层。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述防氧化层包含Cr。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述防氧化层的厚度在以上且以下。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属反射层包含有Al、Ag或Rh中的至少一种。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属反射层的厚度在以上且以下。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述反射层的下表面与所述第一绝缘层接触，所述反射层的上表面与所述第二绝缘层接触。7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层的厚度在以上且以下，所述第二绝缘层的厚度在以上且以下。9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层包括低折射率的材料层；所述第二绝缘层包括低折射率的材料层。10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括一第一接触层，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾明俊，彭康伟，林素慧，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：