基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够兼顾旋转臂的旋转机构向真空处理容器的中央部的设置和排气路径的简单化的基板处理装置。基板处理装置具有真空处理容器和旋转轴位于真空处理容器的中央部的旋转臂，在旋转臂中，内部为中空的旋转筒构成旋转轴，旋转筒的中空部构成真空处理容器的排气路径。的排气路径。的排气路径。

Substrate processing device

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本公开涉及基板处理装置。

技术介绍

[0002]在减压干燥装置中，提案有以在与四边形的腔室盖部的相邻的边缘部交叉的方向上延伸的方式接合加强肋，从而抑制减压时的腔室盖部的变形，抑制焊接部分的剥离等的产生(专利文献1)。另外，作为基板处理系统中的对基板(以下，也称作晶圆)进行处理的基板处理装置，公知有一种在一个腔室同时处理四张晶圆的形态的基板处理装置(专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
41790号公报
[0006]专利文献2：日本特开2019
‑
220509号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种能够兼顾旋转臂的旋转机构向真空处理容器的中央部的设置和排气路径的简单化的基板处理装置。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的一技术方案的基板处理装置具有真空处理容器和旋转轴位于真空处理容器的中央部的旋转臂，在旋转臂中，内部为中空的旋转筒构成旋转轴，旋转筒的中空部构成真空处理容器的排气路径。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本公开，能够兼顾旋转臂的旋转机构向真空处理容器的中央部的设置和排气路径的简单化。
附图说明
[0013]图1是表示本公开的一实施方式中的基板处理装置的结构的一个例子的分解立体图。
[0014]图2是表示待机位置处的处理空间与旋转臂的位置关系的一个例子的图。
[0015]图3是表示晶圆的保持位置处的处理空间与旋转臂的位置关系的一个例子的图。
[0016]图4是表示本实施方式的基板处理装置内的晶圆的移动路径的一个例子的图。
[0017]图5是表示本实施方式的基板处理装置的排气路径的一个例子的图。
[0018]图6是表示本实施方式的基板处理装置的结构的一个例子的概略剖视图。
[0019]图7是表示变形例1的基板处理装置的结构的一个例子的分解立体图。
[0020]图8是表示变形例2的合流排气口附近的剖面的一个例子的局部放大图。
具体实施方式
[0021]以下，基于附图详细地说明所公开的基板处理装置的实施方式。此外，公开技术并不被以下的实施方式所限定。
[0022]在上述的在一个腔室同时处理四张晶圆的形态的基板处理装置中，在该基板处理装置的中央部(中央区域)设有供来自各晶圆的处理空间的排气通路合流的合流排气通路。相对于此，若在腔室的中央部设置旋转臂以在各处理空间之间输送晶圆，则在各处理空间的外周侧设置排气通路，并使各排气通路在腔室的下部合流，使得腔室大型化并且排气路径复杂化。而且，在设为这样的结构的情况下，无法在腔室的中央部设置梁，因此，成为真空气氛的中央部有可能在大气压的作用下变形，而对各处理空间的工艺性能造成影响。因此，期待兼顾旋转臂的旋转机构向真空处理容器(腔室)的中央部的设置和排气路径的简单化。另外，期待抑制真空处理容器的变形。
[0023][基板处理装置的结构][0024]图1是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的结构的一个例子的分解立体图。在本实施方式中，说明将图1所示的基板处理装置2应用于例如对晶圆W进行等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)处理的成膜装置的例子。此外，基板处理装置2是处理模块和真空处理装置的一个例子。如图1所示，基板处理装置2包括俯视时呈长方形的处理容器(真空容器)20。处理容器20构成为能够将内部维持为真空气氛。也就是说，处理容器20是真空处理容器的一个例子。处理容器20构成为利用后述的气体供给部4和歧管36封闭上表面的开放部。此外，在图1中，以容易判断处理空间S1～S4与旋转臂3之间的关系的方式省略了内部的隔壁等。处理容器20在与未图示的真空输送室连接的一侧的侧面以沿Y方向排列的方式形成有两个送入送出口21。送入送出口21利用未图示的闸阀进行开闭。
[0025]在处理容器20的内部设有多个处理空间S1～S4。在处理空间S1～S4分别配置有载置台22。载置台22能够在上下方向上移动，在进行晶圆W的处理时向上部移动，在进行晶圆W的输送时向下部移动。在处理空间S1～S4的下部设有将处理空间S1～S4连接并利用旋转臂3进行晶圆W的输送的输送空间T。另外，处理空间S1、S2的下部的输送空间T与各送入送出口21连接，利用未图示的基板输送机构在与真空输送室之间进行晶圆W的送入送出。此外，基板输送机构构成为，基板输送机构的基板保持部例如能够同时保持两张晶圆W，以向基板处理装置2一并交接两张晶圆W。
[0026]在从上表面侧观察时，处理空间S1～S4的各载置台22以两行两列的方式布局。该布局的行间隔与列间隔成为不同的尺寸。也就是说，若比较载置台22的作为Y方向间距(行间隔)的间距Py与作为X方向间距(列间隔)的间距Px，则间距Py＞间距Px。
[0027]图2是表示待机位置处的处理空间与旋转臂的位置关系的一个例子的图。图3是表示晶圆的保持位置处的处理空间与旋转臂的位置关系的一个例子的图。如图2和图3所示，旋转臂3具有：四个末端执行器32，其能够保持分别载置于载置台22的晶圆W；和基部构件33，其旋转轴线位于两行两列的布局的中心位置。四个末端执行器32以成为X形状的方式连接于基部构件33。也就是说，旋转臂3具有与各处理空间S1～S4的数量相同的数量的末端执行器32。旋转臂3的X形状成为如下这样的结构：在图3所示的晶圆W的保持位置处，X形状的与行间隔对应的Y方向上的尺寸和与所述列间隔对应的X方向上的尺寸不同。
[0028]在图2所示的待机位置处，旋转臂3位于各个处理空间S1～S4之间，从而不妨碍各
载置台22的上下方向上的移动。图2是在各载置台22载置有晶圆W的状态。说明从该状态例如以调换第一列和第二列的晶圆W的方式进行输送的情况、也就是将处理空间S1、S2的晶圆W向处理空间S3、S4输送并将处理空间S3、S4的晶圆W向处理空间S1、S2输送的情况下的旋转臂3的运动。
[0029]首先，将各载置台22移动到下侧的输送空间T的交接位置，使设于各载置台22的后述的升降销26上升而抬起晶圆W。接着，使旋转臂3顺时针旋转大约30
°
，如图3所示，将各末端执行器32插入于载置台22与晶圆W之间。接着，使升降销26下降而将晶圆W载置于各末端执行器32。接着，使旋转臂3顺时针旋转180
°
，将晶圆W向各载置台22上的保持位置输送。当各载置台22使升降销26上升而接收晶圆W时，使旋转臂3逆时针旋转大约30
°
，而向待机位置移动。如此，能够利用旋转臂3以调换第一列和第二列的晶圆W的方式进行输送。由此，例如，在处理空间S1、S2和处理空间S3、S4重复进行不同的处理这样的情况(例如，重复进行成膜处理和退火处理的情况)下，能够缩短与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：真空处理容器；以及旋转臂，其旋转轴位于所述真空处理容器的中央部，在所述旋转臂中，内部为中空的旋转筒构成所述旋转轴，所述旋转筒的中空部构成所述真空处理容器的排气路径。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述旋转筒由同轴磁性流体密封件的外筒构成，所述排气路径由所述同轴磁性流体密封件的内筒构成。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述旋转筒由同轴磁性流体密封件的外筒构成，所述排气路径由所述同轴磁性流体密封件的位于比内筒更靠内侧的位置的最内筒构成。4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，所述旋转筒包括第1旋转筒和第2旋转筒，所述外筒包括第1外筒和位于比所述第1外筒靠外侧的位置的第2外筒，所述第1旋转筒由所述第1外筒构成，所述第2旋转筒由所述第2外筒构成。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第1外筒和所述第2外筒能够分别独立地旋转。6.根据权利要求2～5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述内筒的下端固定于所述真空处理容器的底壁，所述内筒的上端固定于所述真空...

【专利技术属性】
技术研发人员：森淳，川上聪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：