防止半导体侧壁损坏的方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，公开了一种防止半导体侧壁损坏的方法，通过将透光带固定在透光夹具的一面上，并将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上，先在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜，再从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光，使得光线通过透光夹具、透光带，并穿过相邻两个半导体之间的间隔之后，到达负干膜，由于边界效应，使得光线还能够到达半导体上方的一部分区域，从而完成曝光，本发明专利技术实施例无需在相邻两个半导体的间隔中采用填充材料，避免了现有技术由于在光刻工艺中采用填充材料导致半导体侧壁损坏的问题。材料导致半导体侧壁损坏的问题。材料导致半导体侧壁损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
防止半导体侧壁损坏的方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，特别是涉及一种防止半导体侧壁损坏的方法。

技术介绍

[0002]如图1所示，传统的光刻工艺需要在半导体10表面制作图形，常用的方法是先在半导体10表面涂上感光材料(例如湿菲林)，以便在半导体上形成湿阻涂层20，在曝光时，光线由上往下进行照射，曝光完毕后再进行蚀刻。此外，还可以在半导体侧壁注入填充材料30(即封装胶)，以将填充材料30作为半导体侧壁的保护材料，防止不需要的涂层或蚀刻工艺损坏产品侧壁。然而，这种用大量填充材料的方式在成型后很难去除和清洁，另外，填充材料在固化后也有高应力材料，特别是在脱胶过程中，容易造成半导体的断裂。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种防止半导体侧壁损坏的方法，其能够避免现有技术由于在光刻工艺中采用填充材料导致半导体侧壁损坏的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种防止半导体侧壁损坏的方法，包括：
[0005]将透光带固定在透光夹具的一面上；
[0006]将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上；
[0007]在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜；
[0008]从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光。
[0009]作为优选方案，所述从透光夹具往负干膜的方向进行曝光，具体包括：
[0010]使用平行光线从透光夹具往负干膜的方向进行曝光。
[0011]作为优选方案，所述平行光线为UV光线。
[0012]作为优选方案，所述透光带远离所述透光夹具的一面上设有多个透光凸起，所述透光凸起设于相邻两个半导体之间。
[0013]作为优选方案，所述透光凸起的形状为半圆柱。
[0014]作为优选方案，所述透光带上还设有第一挡板和第二挡板，多个半导体设于所述第一挡板和所述第二挡板之间。
[0015]作为优选方案，所述第一挡板由吸光材料制成。
[0016]作为优选方案，所述第二挡板由吸光材料制成。
[0017]作为优选方案，所述透光带为透明胶带。
[0018]相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：本专利技术实施例提供了一种防止半导体侧壁损坏的方法，通过将透光带固定在透光夹具的一面上，并将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上，先在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜，再从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光，使得光线通过透光夹具、透光带，并穿过相邻两个半导体之间的间隔之后，到达负干膜，由于边界效应，使得光线还
能够到达半导体上方的一部分区域，从而完成曝光，本专利技术实施例无需在相邻两个半导体的间隔中采用填充材料，避免了现有技术由于在光刻工艺中采用填充材料导致半导体侧壁损坏的问题。
附图说明
[0019]图1是现有技术中使用填充材料进行曝光的结构示意图；
[0020]图2是本专利技术实施例中使用负干膜进行曝光的结构示意图；
[0021]图3是本专利技术实施例中使用负干膜进行曝光的原理图；
[0022]图4是图3在A处的局部放大图。
[0023]其中，10、半导体；20、湿阻涂层；30、填充材料；1、负干膜；11、第一曝光区域；12、第二曝光区域；13、第三曝光区域；2、半导体；3、透光带；4、透光夹具；5、第一挡板；6、第二挡板。
具体实施方式
[0024]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]结合图2和图3所示，本专利技术实施例的防止半导体侧壁损坏的方法包括：
[0026]将透光带3固定在透光夹具4的一面上；
[0027]将多个半导体2间隔固定在所述透光带3的另一面上；
[0028]在多个所述半导体2远离所述透光带3的一面上形成负干膜1；
[0029]从所述透光夹具4往所述负干膜1的方向对所述负干膜1进行曝光。
[0030]在本专利技术实施例中，通过将透光带3固定在透光夹具4的一面上，并将多个半导体2间隔固定在所述透光带3的另一面上，先在多个所述半导体2远离所述透光带3的一面上形成负干膜1，再从所述透光夹具4往所述负干膜1的方向对所述负干膜1进行曝光，使得光线通过透光夹具4、透光带3，并穿过相邻两个半导体2之间的间隔之后，到达负干膜1，由于边界效应，使得光线还能够到达半导体2上方的一部分区域，从而完成曝光，本专利技术实施例无需在相邻两个半导体2的间隔中采用填充材料，避免了现有技术由于在光刻工艺中采用填充材料导致半导体2侧壁损坏的问题。此外，用干菲林(一种感光材料)代替封装胶填平半导体2间缝隙的要求，消除了填料使用，可以直接简化脱胶清洗工艺。
[0031]此外，使用传统的光刻工艺在半导体2表面制作图形时，在曝光环节中，半导体2表面曝光设备需要用带有对准标记的步进机来工作，涉及昂贵的曝光步进机，资金投入和机器维护成本都很高，而且模具的制作成本很高，从而导致加工成本高。而本专利技术实施例提供的防止半导体2侧壁损坏的方法简化了工艺时间，无需填料成本。并且，利用物理光学边界效应，可以在不需要对准标记和步进曝光的情况下进行光刻，通过从半导体2产品底部进行闪光曝光，可以降低高成本的机器和工艺要求(不使用步进机)。本专利技术实施例取消了材料的特殊涂层，而用干膜代替湿抗蚀剂，使得永久性图层材料无法到达半导体2侧壁。由于干膜对产品表面的附着力不太敏感，并且用胶带粘合代替具有高应力的填充材料，因此解决
了脱胶过程中的半导体2断裂问题，同时可以保护腐蚀过程损坏半导体2产品侧壁。
[0032]在具体应用中，在曝光工序之后，还会进行显影，以在半导体上方形成具有特定图案的抗蚀刻层，并在形成抗蚀刻层后进行蚀刻，在完成蚀刻后再去除抗蚀刻层，而本专利技术仅对曝光环节进行详细描述，其他工序不做更多的赘述。
[0033]在本专利技术实施例中，所述透光带3为透明胶带，透光夹具4为透明夹具。
[0034]如图4所示，在本专利技术实施例中，负干膜1的曝光区域除了包括相邻两个半导体2之间的间隔上方的区域(第二曝光区域12)，还包括位于半导体2正上方且靠近半导体2间隔的区域(第一曝光区域11、第三曝光区域13)。曝光区域作为抗蚀层，会在显影工序会被保留，并且在后续进行蚀刻工艺时，能保护其下方区域的半导体2不被蚀刻；而负干膜1的非曝光区域则会在显影工序中去除，并且在后续进行蚀刻工艺时，其下方区域的半导体2会被蚀刻，完成蚀刻后，可以去除负干膜1，从而得到具有预设图案的半导体2。
[0035]在本专利技术实施例中，通过采用附着力好、功能性好的干膜作为封堵材料，替代填充材料，防止了半导体2顶面真空工艺的副作用(例如，溅射工艺或过度刻蚀工艺等产生的永久性涂层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止半导体侧壁损坏的方法，其特征在于，包括：将透光带固定在透光夹具的一面上；将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上；在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜；从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光。2.如权利要求1所述的防止半导体侧壁损坏的方法，其特征在于，所述从透光夹具往负干膜的方向进行曝光，具体包括：使用平行光线从透光夹具往负干膜的方向进行曝光。3.如权利要求2所述的防止半导体侧壁损坏的方法，其特征在于，所述平行光线为UV光线。4.如权利要求2所述的防止半导体侧壁损坏的方法，其特征在于，所述透光带远离所述透光夹具的一面上设有多个透光凸起，所述透光凸起设于...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘习卫，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：