半导体结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构，包括第一基板和与第一基板相邻的第二基板，第一基板的第一侧具有第一互连结构，第二基板具有第二侧与第一侧相对，第二侧具有第二互连结构。半导体结构还包括连接区，连接区包含第一互连结构和第二互连结构。第一互连结构与第二互连结构电性连接于连接区的上表面。性连接于连接区的上表面。性连接于连接区的上表面。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体的，涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]使用partition(分区)技术将大尺寸基板切割成小尺寸后，原本大尺寸基板中的各层互通的讯号被断开而无法串接。因此必须通过RDL(Redistribution layer，重分布层)重新设计。如图1所示，目前RDL 12的布线都是以最终的I/O数为基础，通过各层均匀横向分布加以布线，使用partition技术切割原本大尺寸基板10，则只能将各层的RDL 12全部布局至最上层再加以串接，以维持原本的设计功能。
[0003]目前基板RDL布线是各层均匀分布，若采用partition技术RDL布线被断开的问题没有解决方法，则此技术则没有应用至大尺寸的基板设计。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体结构，能够避免现有方法中讯号只能经RDL布局至最上层来串接的问题。
[0005]根据本专利技术的实施例，提供了一种半导体结构，半导体结构包括第一基板和与第一基板相邻的第二基板，第一基板的第一侧具有第一互连结构，第二基板具有第二侧与第一侧相对，第二侧具有第二互连结构。半导体结构还包括连接区，连接区包含第一互连结构和第二互连结构。第一互连结构与第二互连结构电性连接于连接区的上表面。
[0006]根据本专利技术的实施例，半导体结构还包括第三互连结构，第三互连结构在连接区的上表面上方延伸并且电性连接第一互连结构与第二互连结构。
[0007]根据本专利技术的实施例，半导体结构还包括绝缘材料，位于连接区内的第一基板和第二基板之间并将第一基板与第二基板隔离。
[0008]根据本专利技术的实施例，第一互连结构和第二互连结构中的每个包括多个垂直堆叠设置的通孔。
[0009]根据本专利技术的实施例，第一互连结构或第二互连结构包括：第一通孔；互连线，与第一通孔的顶面连接；第二通孔，第二通孔的底面与互连线连接，第一通孔与第二通孔横向偏移。
[0010]根据本专利技术的实施例，第一基板或第二基板还包括：第一线路层，位于连接区外的区域中；第二线路层，位于连接区外的区域中并位于第一线路层上方。第二线路层中的线路密度大于第一线路层中的线路密度。
[0011]根据本专利技术的实施例，第一基板的上表面或第二基板的上表面为用于连接芯片的芯片侧。
[0012]根据本专利技术的实施例，连接区内第一互连结构所处区域的宽度不大于100μm，或者，连接区内第二互连结构所处区域的宽度不大于100μm。
[0013]根据本专利技术的实施例，连接区的宽度不大于400μm。
[0014]根据本专利技术的实施例，第一互连结构或第二互连结构与连接区的下表面间隔开。
附图说明
[0015]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0016]图1是现有的半导体结构的截面图。
[0017]图2是根据本专利技术实施例的半导体结构的截面图。
[0018]图3是根据本专利技术实施例的连接区的俯视图和截面图。
[0019]图4是根据本专利技术另一实施例的连接区的俯视图和截面图。
具体实施方式
[0020]下列公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0021]图2是根据本专利技术实施例的半导体结构的截面图。如图2所示，半导体结构包括第一基板110和与第一基板110相邻的第二基板120。在第一基板110的与第二基板120相邻的第一侧111处具有第一互连结构112。第二基板120的第二侧121与第一基板110的第一侧111相对，在第二侧121处具有第二互连结构122。在第一基板110和第二基板120之间的位置处设置有连接区130。连接区130包含第一互连结构112和第二互连结构122。第一互连结构112和第二互连结构122在连接区130的上表面上电性连接。相邻的第一基板110和第二基板120例如在partition制程中所有被切断的讯号可以分别电性连接到此连接区130中的第一互连结构112和第二互连结构122，再通过第一互连结构112和第二互连结构122在连接区130的上表面上互连。这样，避免了现有方法中讯号只能经RDL布局至最上层来串接的问题，同时应用partition制程的大尺寸基板可以维持高良率，改善基板翘曲(warpage)程度。
[0022]继续参考图2所示，在一个实施例中，通过第三互连结构125电性连接第一互连结构112和第二互连结构122，第三互连结构125在连接区130的上表面上方横向延伸。在其他实施例中，第一互连结构112和第二互连结构122也可以通过其他可应用的方式在连接区130上方进行电连接。
[0023]连接区130中还设置有在第一基板110和第二基板120之间的绝缘材料，以将第一基板110与第二基板120相互隔离。第三互连结构125在连接区130的上表面上跨越该绝缘材料(参见图3和图4)。在一些实施例中，连接区130内第一互连结构112所处区域的宽度(从连接区130邻近第一基板110的边缘到绝缘材料的距离)不大于100μm，即，第一基板110被配置为连接区130的部分的宽度不大于100μm。连接区130内第二互连结构122所处区域的宽度不大于100μm。在一些实施例中，连接区130的宽度不大于400μm。
[0024]第一互连结构112和第二互连结构122可以与连接区130的下表面间隔开。也就是说，通过第一互连结构112或第二互连结构122只将被切断的讯号布线到第一基板110和第二基板120的上表面上。在一些实施例中，第一基板110和第二基板120分别具有芯板(core)124。芯板124与下表面之间被切断的线路也可以连接至第一互连结构112或第二互连结构122并同样连接至连接区130的上表面，而第一互连结构112和第二互连结构122与连接区130的下表面间隔开。
[0025]第一基板110和第二基板120可以分别包括位于连接区130外的第一线路层131和位于第一线路层131上方的第二线路层132。第二线路层132中的线路密度大于第一线路层131中的线路密度。在一个实施例中，位于上方的第二线路层132是第一基板110或第二基板120的最上一层。第一基板110的上表面和第二基板120的上表面可以是用于连接芯片的芯片侧，而下表面可以例如用于连接焊球的焊球本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一基板，所述第一基板的第一侧具有第一互连结构；第二基板，与所述第一基板相邻，所述第二基板具有第二侧与所述第一侧相对，所述第二侧具有第二互连结构；连接区，包含所述第一互连结构和所述第二互连结构；其中，所述第一互连结构与所述第二互连结构电性连接于所述连接区的上表面。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第三互连结构，在所述连接区的所述上表面上方延伸，并且电性连接所述第一互连结构与所述第二互连结构。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：绝缘材料，位于所述连接区内的所述第一基板和所述第二基板之间并将所述第一基板与所述第二基板隔离。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构和所述第二互连结构中的每个包括多个垂直堆叠设置的通孔。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构或所述第二互连结构包括：第一通孔；互连线，与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：