太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，背面包括第一区以及与第一区相邻接的第二区，第一区的基底内具有掺杂元素，掺杂元素为N型或者P型；沿第一方向，第一区的第一凸起结构的宽度小于第二区的第二凸起结构的宽度，第一凸起结构包括平台凸起结构，平台凸起结构的顶面为多边形平面；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层的表面，掺杂导电层内的掺杂元素类型与第一区内的掺杂元素类型相同；背电极，背电极沿第一方向排布，背电极与第一区的基底对应，背电极与掺杂导电层相接触，至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。

Solar cells and photovoltaic modules

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]影响太阳能电池性能（例如光电转换效率）的原因包括光学损失以及电学损失，光学损失包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失等，电学损失包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻以及金属和半导体的接触电阻等的损失。
[0003]为了减少太阳能电池的电学损失以及光学损失，一般需要对太阳能电池的背面进行抛光工艺。背面抛光工艺主要是利用湿化学法对背面硼掺杂金字塔绒面结构进行抛光处理，增加光的内反射，降低载流子表面复合速率，提升电池光电转换效率。在背面抛光工艺中，晶硅电池背面抛光面形貌有利于长波段光的背反射和后续形成在背面膜层的均匀性，对太阳能电池的效率提升具有重要作用。背面抛光工艺可以优化太阳能电池性能，但影响该类型太阳能电池性能的因素仍然较多，开发高效的钝化接触太阳能电池具有重要的意义。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
[0005]根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，背面包括第一区以及与第一区相邻接的第二区，第一区的基底内具有掺杂元素，掺杂元素为N型或者P型；沿第一方向，第一区的第一凸起结构的宽度小于第二区的第二凸起结构的宽度，第一凸起结构包括平台凸起结构，平台凸起结构的顶面为多边形平面；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与第一区内的掺杂元素类型相同；背电极，背电极沿第一方向排布，背电极与第一区的基底对应，背电极与掺杂导电层相接触。
[0006]另外，沿第一方向上，第一区的基底宽度大于等于背电极的宽度；第一区的基底上包括至少一个第一凸起结构。
[0007]另外，第一凸起结构的数量为两个；沿第一方向上，相邻的第一凸起结构的之间的间距范围为0.1μm ~10μm。
[0008]另外，第一凸起结构的底面宽度小于第二凸起结构的底面宽度。
[0009]另外，第一凸起结构的顶面宽度小于第二凸起结构的顶面宽度。
[0010]另外，第一凸起结构的顶面宽度小于第二凸起结构的顶面宽度。
[0011]另外，第一凸起结构的顶面与基底的背面的高度差小于等于第二凸起结构的顶面与基底的背面的高度差。
[0012]另外，第一凸起结构的顶面与基底的背面的高度差为200nm~500nm。
[0013]另外，第一区还包括第三凸起结构，沿第一方向上，第三凸起结构与第一凸起结构间隔排布。
[0014]另外，在同一背电极下，第一凸起结构与背面接触的截面总宽度大于等于第三凸起结构与背面接触的截面总宽度。
[0015]另外，第一凸起结构与背面接触的截面总宽度与第三凸起结构与背面接触的截面总宽度的比值范围为1:1~4:1。
[0016]另外，第一凸起结构的宽度小于第三凸起结构的宽度。
[0017]另外，第一凸起结构的顶面与基底的背面的高度差小于等于第三凸起结构的顶面与基底的背面的高度差。
[0018]根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：至少一个电池串，电池串由多个上述任一项的太阳能电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖电池串的表面；盖板，用于覆盖封装胶膜背离电池串的表面。
[0019]本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：本申请实施例提供的技术方案中，基底的背面包括第一区以及与第一区相邻接的第二区，第一区的基底具有掺杂元素，背电极与第一区的基底对应，第一区的基底上具有第一凸起结构，第一凸起结构有利于降低太阳能电池背面的接触电阻率，整体提高电池效率。第一区的第一凸起结构的宽度小于第二区的第二凸起结构的宽度，单位面积内，宽度更小的第一凸起结构的数量更多，从而形成的第一凸起结构的顶面的总面积更大，背电极所接触的区域均为第一区，有利于降低接触电阻。在基底的第一区以及第二区均形成常规的隧穿介质层以及掺杂导电层，背电极与掺杂导电层直接接触，钝化效果好，同时降低背面的载流子复合以及提高光的利用率。
附图说明
[0020]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本申请一实施例提供的太阳能电池的一种结构示意图；图2为本申请一实施例提供的太阳能电池的一种局部结构示意图；图3为本申请一实施例提供的太阳能电池的另一种局部结构示意图；图4为本申请一实施例提供的太阳能电池的又一种局部结构示意图；图5为本申请一实施例提供的光伏组件的一种结构示意图；图6为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中提供基底的一种结构示意图；图7为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成初始绒面结构的一种结
构示意图；图8为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成基底背面的一种结构示意图；图9为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成基底背面的另一种结构示意图；图10为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成初始绒面结构的另一种结构示意图；图11为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成基底背面的又一种结构示意图；图12为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成基底背面的再一种结构示意图；图13为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成第一凸起结构的一种结构示意图；图14为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成隧穿介质层的一种结构示意图；图15为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成掺杂导电层的一种结构示意图；图16为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成钝化层的一种结构示意图；图17为本申请一实施例提供的太阳能电池制备方法中形成背电极的一种结构示意图。
具体实施方式
[0022]由
技术介绍
可知，现有技术存在的太阳能电池的光电转换效率欠佳。
[0023]分析发现，导致太阳能电池的光电转换效率欠佳的原因之一在于，现有的工艺在对太阳能电池制绒后一般对太阳能电池的背面的绒面结构做抛光处理，提升电池对长波段光的背反射以及电池后续背膜的均匀性，有利于降低背面的载流子复合以及提高光的利用率。然而背面抛光后，后续形成的掺杂导电层与背面金属电极之间难以匹配，不可以形成良好的欧姆接触，掺杂导电层的接触电阻率较大，背本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对的正面以及背面，所述背面包括第一区以及与所述第一区相邻接的第二区，所述第一区的所述基底内具有掺杂元素，所述掺杂元素为N型或者P型；沿第一方向，所述第一区的第一凸起结构的宽度小于所述第二区的第二凸起结构的宽度，所述第一凸起结构包括平台凸起结构，所述平台凸起结构的顶面为多边形平面；隧穿介质层，所述隧穿介质层位于所述基底背面；掺杂导电层，所述掺杂导电层位于所述隧穿介质层远离所述基底背面的表面，所述掺杂导电层具有掺杂元素，所述掺杂导电层内的掺杂元素类型与所述第一区内的掺杂元素类型相同；背电极，所述背电极沿第一方向排布，所述背电极与所述第一区的所述基底对应，所述背电极与所述掺杂导电层相接触。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第一区的基底宽度大于等于所述背电极的宽度；所述第一区的基底上包括至少一个第一凸起结构。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一凸起结构的数量为两个；沿所述第一方向上，相邻的所述第一凸起结构的之间的间距范围为0.1μm~10μm。4.根据权利要求1至3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一凸起结构的底面宽度小于所述第二凸起结构的底面宽度。5.根据权利要求1至3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一凸起结构的顶面宽度小于所述第二凸起结构的顶面宽度。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张彼克，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：