半导体热处理设备及其控制方法技术

本发明专利技术公开一种半导体热处理设备及其控制方法，半导体热处理设备包括工艺腔室、进气管路、送气管路和排气管路，所述进气管路的一端与气源连通，所述进气管路的另一端与位于所述工艺腔室中的所述送气管路连通，且所述送气管路和所述工艺腔室的中心轴平行，所述排气管路与所述工艺腔室连通，在进气管路上设置有储气组件，所述储气组件用于在储气量达到第一预设值时，向所述工艺腔室提供工艺气体。上述技术方案可以解决工艺过程中工艺腔室中距离进气管路相对较远的位置的工艺气体的浓度相对较小的问题。较小的问题。较小的问题。

Semiconductor heat treatment equipment and its control method

【技术实现步骤摘要】
半导体热处理设备及其控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体热处理设备及其控制方法。

技术介绍

[0002]在半导体的制造过程中，可以利用工艺气体在晶圆等半导体的表面形成绝缘层或介质层等结构。目前，通常将多个晶圆沿特定方向，如高度方向排列且容纳在工艺腔室内，利用进气管路将气源提供的工艺气体供入工艺腔室内，以使工艺气体沉积在多个晶圆的表面。但是，受工艺特性影响，在通入工艺气体的过程中，工艺气体的压力相对较小，且由于工艺腔室设有排气管路，在工艺气体被通入工艺腔室之后，工艺腔室中距离进气管路相对较远的位置的工艺气体的浓度相对较小，导致位于该区域内的晶圆的工艺结果不满足要求。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开一种半导体热处理设备及其控制方法，以解决目前工艺过程中，工艺腔室中距离进气管路相对较远的位置的工艺气体的浓度相对较小，导致位于该区域内的晶圆的工艺结果不满足要求的问题。
[0004]为了解决上述问题，本专利技术采用下述技术方案：
[0005]第一方面，本专利技术公开一种半导体热处理设备，包括工艺腔室、进气管路、送气管路和排气管路，所述进气管路的一端与气源连通，所述进气管路的另一端与位于所述工艺腔室中的所述送气管路连通，且所述送气管路和所述工艺腔室的中心轴平行，所述排气管路与所述工艺腔室连通，在进气管路上设置有储气组件，所述储气组件用于在储气量达到第一预设值时，向所述工艺腔室提供工艺气体。
[0006]第二方面，本专利技术公开一种半导体热处理设备的控制方法，其包括：
[0007]通过所述进气管路向所述储气组件充气；
[0008]在所述储气组件的储气量达到第一预设值的情况下，向所述工艺腔室提供工艺气体。
[0009]本专利技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：
[0010]本申请实施例共公开一种半导体热处理设备，其中，气源通过进气管路的进气段与储气件连通，储气件通过进气管路的连通段与位于工艺腔室内的送气管路连通，送气管路和工艺腔室的中心轴平行，以向工艺腔室输送工艺气体。工艺腔室还与排气管路连通，以保证气路通畅，还可以利用排气管路稳定工艺腔室内的工作压力。
[0011]在上述半导体热处理设备中，当储气件内的工艺气体的储气量达到第一预设值的情况下，再向工艺腔室提供工艺气体，进而使储气件内的工艺气体即可在自身压力的作用下，较为迅速地经连通段扩散至送气管路内，由于储气件的工艺气体具有一定的压力，从而使得工艺气体自储气件内输出之后，工艺气体可以较为可靠地移动至送气管路中与储气件距离较远的送气孔处，保证送气管路的多个送气孔内可以输出较为均匀的工艺气体，保证
任一晶圆的工艺结果均满足工艺要求。
附图说明
[0012]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0013]图1为本申请实施例公开的半导体热处理设备的结构示意图；
[0014]图2为本申请实施例公开的半导体热处理设备中送气管路的一种结构示意图；
[0015]图3为本申请实施例公开的半导体热处理设备中送气管路的另一种结构示意图；
[0016]图4为本申请实施例公开的半导体热处理设备中储气件的一种结构示意图；
[0017]图5为本申请实施例公开的半导体热处理设备中储气件的另一种结构示意图；
[0018]图6为本申请实施例公开的半导体热处理设备的控制方法的流程图。
[0019]附图标记说明：
[0020]110
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进气段、120
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连通段、130
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排气管路、140
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送气管路、141
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送气孔、
[0021]210
‑
工艺腔室、220
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旋转机构、
[0022]310
‑
储气件、311
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第一缓冲段、312
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平直段、313
‑
第二缓冲段、320
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真空连接径向密封接头、330
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接头连接件、
[0023]410
‑
第一阀门、420
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第二阀门、430
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第三阀门、440
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第一调压阀、450
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第二调压阀、
[0024]510
‑
第一压力检测件、520
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第二压力检测件、530
‑
质量流量控制器、
[0025]600
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废气处理设备、
[0026]900
‑
晶圆。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案。
[0029]如图1
‑
图5所示，本专利技术实施例公开一种半导体热处理设备，采用该半导体热处理设备可以使晶圆900与工艺气体相互作用，进而使工艺气体沉积在晶圆900的表面。半导体热处理设备具体包括进气管路、排气管路130、送气管路140、工艺腔室210和储气组件。其中，进气管路上设置有储气组件，为了便于下文描述，此处将进气管路分为进气段110和连通段120；储气组件具有储气阶段和放气阶段，为了保证储气组件能够在储气阶段和放气阶段之间相互切换，储气组件可以包括储气件310、第一阀门410和第二阀门420。
[0030]其中，工艺腔室210可以为晶圆900的加工提供工艺环境和容纳空间，且使工艺气体可以供给至工艺腔室210内与晶圆900作用。在晶圆900的加工过程中，可以使多个晶圆900等半导体容纳在工艺腔室210内，且使多个晶圆900规律排布。具体地，可以使多个晶圆900沿工艺腔室210的高度方向分布。当然，为了保证工艺气体可以沉积在任一晶圆900的表面，多个晶圆900中任意相邻的两个晶圆900之间均需要预留空隙。另外，工艺腔室210内可以设置有承载机构，以利用承载机构承载多个晶圆900，承载机构具体可以为晶舟。
[0031]工艺气体可以利用气源提供，气源具体可以为储气装置，出于对半导体加工中所用的工艺气体的安全性考虑，气源可以为供气管路，以防止工艺气体长时间处于相对高压的状态而存在安全隐患。
[0032]在工艺气体的输送过程中，可以使进气管路的进气段110的一端与气源连通，且使进气段110的另一端与储气件310连通，进而使工艺气体可以经进气段110被输送至储气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体热处理设备，包括工艺腔室、进气管路、送气管路和排气管路，所述进气管路的一端与气源连通，所述进气管路的另一端与位于所述工艺腔室中的所述送气管路连通，且所述送气管路和所述工艺腔室的中心轴平行，所述排气管路与所述工艺腔室连通，其特征在于，在进气管路上设置有储气组件，所述储气组件用于在储气量达到第一预设值时，向所述工艺腔室提供工艺气体。2.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述半导体热处理设备还包括第一压力检测件，所述第一压力检测件设置于所述进气管路中所述储气组件背离所述工艺腔室的部分上，所述第一压力检测件用于检测所述储气组件内的气压。3.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述半导体热处理设备还包括质量流量控制器，所述质量流量控制器安装于所述进气管路上。4.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述送气管路设有多个送气孔，且各送气孔均用于向所述工艺腔室内输送工艺气体，多个所述送气孔沿所述中心轴分布，沿送气方向，多个送气孔的送气截面积逐渐增大。5.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述送气管路设有多个送气孔，且各送气孔均用于向所述工艺腔室内输送工艺气体，多个所述送气孔沿所述中心轴分布，沿送气方向，多个所述送气孔中任意相邻的两个所述送气孔之间的间距逐渐减小。6.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述储气组件包括储气件、第一阀门和第二阀门，所述第一阀门设置于所述进气管路中位于所述储气件的上游的部分上，所述第二阀门设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周厉颖，杨帅，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：