半导体晶圆位置检测装置制造方法及图纸

一种半导体晶圆位置检测装置，包括：腔室，顶部具有腔室开口；透明窗口，设置在真空的腔室的开口处，与腔室开口形成密封连接；承片台，位于真空腔体内部；晶圆，位于承片台上；发光装置，位于腔室外部，且位于透明窗口的上方；反光装置，在腔室中，且位于腔室开口和晶圆之间；图像获取装置，位于发光装置的上方；对准标记，位于所述腔室中。工作时，发光装置提供的照明光穿过透明窗口，经反光装置反射至晶圆表面，晶圆被照亮，图像获取装置获取高质量的晶圆和对准标记的图像。通过晶圆的图像识别获取晶圆中心，通过对准标记的识别获取腔室的基准坐标系，确定晶圆在腔室中的位置，从晶圆的图像中可识别晶圆边缘的缺口并据此确定晶圆的转角。可识别晶圆边缘的缺口并据此确定晶圆的转角。可识别晶圆边缘的缺口并据此确定晶圆的转角。

Semiconductor wafer position detection device

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆位置检测装置


[0001]本技术涉及半导体检测领域，尤其涉及一种半导体晶圆位置检测装置。

技术介绍

[0002]晶圆(Wafer)通常用作集成电路的载体以制作芯片，集成电路包括大量的晶体管，芯片制作的过程中，如果不同工序步骤中晶圆的位置和角度存在偏差，会导致不良的工艺结果。另外，当晶圆在工艺设备中被处理时，需要进行传送，传送位置的偏差可能带来晶圆传送失败、晶圆掉落、晶圆破碎等严重问题。例如，芯片的制作过程中，在采用离子注入工艺进行掺杂前，均需要对晶圆进行缺口识别，通过识别晶圆缺口确定晶圆的角度及位置。传统识别方法采用传感器检测，检测精度低，耗时较长。
[0003]现对真空腔体内的晶圆进行视觉识别，确定晶圆的位置和角度，通常需要配置合适的照明光源，提高相机拍到的晶圆图像的清晰度，从而提高视觉识别的准确率和检测精度。
[0004]但是现有的半导体晶圆位置检测装置中，很多场合需要对真空腔体内的晶圆进行监测，由于真空腔体的结构特殊性，视觉检测用光源的安装结构受到很大限制，照明光不能很好的对晶圆进行照明，不利于获取高质量的视觉识别图像。

技术实现思路

[0005]本技术解决的问题是提供一种半导体晶圆位置检测装置，通过发光装置和反光装置将照明光照射在晶圆上，获取高质量的晶圆和对准标记的图像以提升半导体晶圆位置检测装置的性能。
[0006]为解决上述问题，本技术提供了一种用于半导体晶圆位置检测装置，包括：真空的腔室，待检测的圆晶被放置在所述腔室中，所述腔室的顶部具有腔室开口；透明窗口，设置在所述腔室开口处，与所述腔室开口形成密封连接；承片台，位于所述真空的腔室内，用于承载晶圆；晶圆，被放置在所述承片台上；发光装置，位于所述腔室外部，且位于所述透明窗口的上方，用于提供穿过所述透明窗口的照明光；反光装置，在所述腔室中，且位于所述腔室开口和晶圆之间，用于反射所述照明光至所述晶圆的边缘；对准标记，位于所述腔室中，且位于晶圆边缘以外；图像获取装置，位于所述发光装置的上方，用于获取晶圆和对准标记的图片。
[0007]可选的，所述发光装置包括：环形安装部；第一锥度孔，位于所述环形安装部的底部，且所述第一锥度孔的顶部为小径端，所述第一锥度孔的底部为大径端；环形光源，沿周向设置在所述第一锥度孔的侧壁上。
[0008]可选的，所述发光装置还包括：匀光板，位于所述第一锥度孔的内壁上，覆盖所述环形光源。
[0009]可选的，所述环形光源包括多个间隔排布在第一锥度孔侧壁的发光二极管。
[0010]可选的，所述第一锥度孔为圆形锥孔或多边形锥孔。
[0011]可选的，所述反光装置包括：环形反射罩，所述环形反射罩包括第二锥度孔，所述第二锥度孔的顶部开口小于底部开口。
[0012]可选的，所述发光装置还包括：通孔，位于第一锥度孔的顶部，且贯穿所述环形安装部，用于使所述图像获取装置透过所述发光装置的通孔，获取晶圆表面图像。
[0013]可选的，所述半导体晶圆位置检测装置包括：对准标记固定部，位于腔室中，用于设置对准标记。
[0014]可选的，所述承片台固定的或者活动的设置在所述腔室中。
[0015]可选的，用所述图片中所述对准标记的图像定义一个基准坐标系。
[0016]与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下优点：
[0017]本技术实施例提供的半导体晶圆位置检测装置工作时，发光装置提供的照明光穿过所述腔室的透明窗口，经反光装置能够精准的反射至晶圆边缘，使得晶圆边缘内外一个环形区域能够被照亮，图像获取装置获取晶圆和对准标记的图片，通过晶圆的图像，获取晶圆中心，通过对准标记获取腔室的基准坐标系，依据基准坐标系确定晶圆在腔室中的位置，晶圆边缘的缺口(Notch)也呈现在晶圆的图像中，依据晶圆上的缺口位置确定晶圆的转角。发光装置提供的照明光照射晶圆表面，便于图像获取装置拍摄清晰度高的晶圆图片，易于获得准确度更高的晶圆位置以及晶圆转角的信息，提高半导体晶圆位置检测装置的准确率和检测精度。
附图说明
[0018]图1是本技术实施例中的半导体晶圆位置检测装置的结构示意图；
[0019]图2是本技术实施例中的半导体晶圆位置检测装置的光路图；
[0020]图3是本技术晶圆边缘缺口的示意图；
[0021]图4是本技术中所获得的晶圆及对准标记的图像；
[0022]图5是本技术实施例中的发光装置的剖面示意图；
[0023]图6是本技术实施例中的发光装置的爆炸图；
[0024]图7是本技术实施例中的反光装置的剖面示意图。
具体实施方式
[0025]由
技术介绍
可知，现有的半导体晶圆位置检测装置不能很好的对晶圆进行照明，导致晶圆的位置不能准确的确定，也不能够准确的获取晶圆边缘缺口的位置。
[0026]本技术实施例提供的半导体晶圆位置检测装置，包括：真空的腔室，待检测的圆晶被放置在所述腔室中，所述腔室的顶部具有腔室开口；透明窗口，设置在所述腔室开口处，与所述腔室开口形成密封连接；承片台，位于所述真空的腔室内，用于承载晶圆；晶圆，被放置在所述承片台上；发光装置，位于所述腔室外部，且位于所述透明窗口的上方，用于提供穿过所述透明窗口的照明光；反光装置，在所述腔室中，且位于所述腔室开口和晶圆之间，用于反射所述照明光至所述晶圆的边缘；对准标记，位于所述腔室中；图像获取装置，位于所述发光装置的上方，用于获取晶圆和对准标记的图片。
[0027]本技术实施例提供的半导体晶圆位置检测装置工作时，发光装置提供的照明光穿过所述腔室的透明窗口，经反光装置能够精准的反射至晶圆边缘，使得晶圆边缘内外
一个环形区域能够被照亮，图像获取装置获取晶圆和对准标记的图片，通过晶圆的图像，获取晶圆中心，通过对准标记获取腔室的基准坐标系，依据基准坐标系中确定晶圆在腔室中的位置，晶圆边缘的缺口(Notch)也呈现在晶圆的图像中，依据晶圆上的缺口位置确定晶圆的转角。发光装置提供的照明光照射晶圆表面，便于图像获取装置拍摄清晰度高的晶圆图片，易于获得准确度更高的晶圆位置以及晶圆转角的信息，提高半导体晶圆位置检测装置的准确率和检测精度。
[0028]为使本技术实施例的上述目的特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施例做详细的说明。
[0029]图1示出了本技术实施例中的半导体晶圆位置检测装置的结构示意图，图2示出了本技术实施例中半导体晶圆位置检测装置的光路图，图3示出了本技术晶圆边缘缺口的示意图。
[0030]所述半导体晶圆位置检测装置包括：真空的腔室200，待检测的圆晶被放置在所述腔室200中，所述腔室200的顶部具有腔室开口；透明窗口500，设置在所述腔室开口处，与所述腔室开口形成密封连接；承片台201，位于所述腔室200内，用于承载晶圆400；晶圆400，被放置在所述承片台201上；发光装置100，位于腔室200外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆位置检测装置，其特征在于，包括：真空的腔室，待检测的圆晶被放置在所述腔室中，所述腔室的顶部具有腔室开口；透明窗口，设置在所述腔室开口处，与所述腔室开口形成密封连接；承片台，位于所述真空的腔室内，用于承载晶圆；晶圆，被放置在所述承片台上；发光装置，位于所述腔室外部，且位于所述透明窗口的上方，用于提供穿过所述透明窗口的照明光；反光装置，在所述腔室中，且位于所述腔室开口和晶圆之间，用于反射所述照明光至所述晶圆的边缘；对准标记，位于所述腔室中，且位于晶圆边缘以外；图像获取装置，位于所述发光装置的上方，用于获取晶圆和对准标记的图片。2.如权利要求1所述的半导体晶圆位置检测装置，其特征在于，所述发光装置包括：环形安装部；第一锥度孔，位于所述环形安装部的底部，且所述第一锥度孔的顶部为小径端，所述第一锥度孔的底部为大径端；环形光源，沿周向设置在所述第一锥度孔的侧壁上。3.如权利要求2所述的半导体晶圆位置检测装置，其特征在于，所述发光装置还包括：匀光板，位于所述第一锥度孔的内壁上，覆盖所述环形光源。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：李轩，夏世伟，杰夫，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：