化学气相沉积设备制造技术

提供了一种化学气相沉积设备。所述化学气相沉积设备包括：室；基座，设置在室中，并支撑具有有机发光二极管的基底；背板，设置在基座上方，并与基座分隔开预定距离；以及扩散器，设置在背板与基座之间，并将沉积气体提供到基底。背板包括：导电板；冷却水管，嵌入导电板中，并且被构造为承载冷却水；以及绝缘口，设置在导电板上，并包括与冷却水管的入口和出口对准的连接管。的连接管。的连接管。

Chemical vapor deposition equipment

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积设备
[0001]本申请是于2018年6月22日提交到国家知识产权局的专利技术名称为“化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法”的第201810650227.9号中国专利申请的分案申请。


[0002]专利技术的实施例涉及一种化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法，更具体地，涉及一种利用等离子体的化学气相沉积设备和利用其制造显示设备的方法。

技术介绍

[0003]显示设备的制造工艺包括在基底的表面上形成薄层的沉积工艺、光刻工艺和蚀刻工艺。例如，沉积工艺包括溅射沉积工艺和化学气相沉积(CVD)工艺。溅射沉积工艺是薄层颗粒与基底直接碰撞并直接吸附到基底上的物理沉积工艺。
[0004]在化学气相沉积工艺中，可以在基底上方引起自由基的化学反应，并且反应产物的薄层颗粒可以落到并吸附到基底上。具体地，利用富含自由基和高能量的等离子体的等离子体化学气相沉积工艺可以用作化学气相沉积工艺。

技术实现思路

[0005]专利技术的实施例可以提供一种能够防止施加到背板的射频(RF)电力泄漏的化学气相沉积设备。
[0006]专利技术的实施例也可以提供一种能够在基底上均匀地形成无机封装层的制造显示设备的方法。
[0007]在专利技术的一方面中，化学气相沉积设备可以包括室、基座、背板、扩散器和绝缘体。
[0008]基座、背板、扩散器和绝缘体可以设置在室中。室中的温度可以在80摄氏度至100摄氏度的范围内。
[0009]基座可以支撑具有有机发光二极管的基底。
[0010]背板可以设置在基座上方，并可以与基座分隔开预定距离。背板可以接收频率为13.56MHz或更大的电力。
[0011]扩散器可以设置在背板与基座之间，并可以将沉积气体提供到基底。沉积气体可以包括甲硅烷(SiH4)、氨(NH3)、氢(H2)、一氧化二氮(N2O)和氮(N2)中的至少一种。沉积气体还可以包括惰性气体。
[0012]绝缘体可以包括第一绝缘体和与第一绝缘体组装在一起的第二绝缘体。
[0013]第一绝缘体可以包括第一部分和第二部分，第一部分覆盖背板的顶表面，第二部分与第一部分组装在一起并覆盖背板的侧壁。
[0014]第一部分和第二部分中的每个可以包括多个组装的块。第一部分可以完全覆盖背板的顶表面。
[0015]第一绝缘体可以包括聚四氟乙烯(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)和聚氟乙烯(PVF)中的至少一种。
[0016]第二绝缘体可以连接到室和扩散器。第二绝缘体可以具有暴露扩散器的框架形状，并可以包括多个组装的块。
[0017]第二绝缘体可以包括陶瓷，并可以使扩散器与室绝缘。
[0018]背板可以包括导电板、嵌入导电板中并且冷却水经其流过的冷却水管以及绝缘口。
[0019]绝缘口可以设置在导电板的顶表面上，并可以包括与冷却水管的入口和出口对准的连接管。
[0020]绝缘口可以包括塑料，绝缘口的至少一部分可以被第一部分围绕。
[0021]背板还可以包括设置在绝缘口上的供给管和排出管。供给管可以连接到连接管中的一个，排出管可以连接到连接管中的另一个。
[0022]在专利技术的另一方面中，制造显示设备的方法可以包括：在设置于第一室中的基座上准备具有有机发光二极管的基底；通过向设置于基座上方的背板施加电力来在基座与背板之间形成等离子体区，背板的顶表面和侧壁被绝缘体覆盖；以及将沉积气体提供到等离子体区中以在有机发光二极管上形成第一无机薄层。
[0023]在形成等离子体区的步骤中，可以将具有13.56MHz或更大的频率的电力施加到背板。
[0024]该方法还可以包括在第一无机薄层上形成有机薄层以及在有机薄层上形成第二无机薄层。
[0025]可以在第一室中形成第一无机薄层和第二无机薄层，可以在与第一室不同的第二室中形成有机薄层。
[0026]根据专利技术的实施例，可以防止从背板的电力泄漏以在室中形成均匀的等离子体。因此，可以减少工艺时间，并且可以改善工艺可靠性。
附图说明
[0027]通过参照附图进一步详细地描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的以上和其它的方面和特征将变得更加明显，在附图中：
[0028]图1是示出根据专利技术的实施例的化学气相沉积设备的示意性剖视图。
[0029]图2是示出根据专利技术的实施例的化学气相沉积设备的一部分的分解透视图。
[0030]图3是示出根据专利技术的实施例的背板的透视图。
[0031]图4是图3的区域AA的放大的分解透视图。
[0032]图5是沿图3的线I
‑
I'截取的剖视图。
[0033]图6是示出根据专利技术的实施例的第一绝缘体的分解透视图。
[0034]图7是图6的区域BB的放大的内部透视图。
[0035]图8是示出根据专利技术的实施例的第二绝缘体的透视图。
[0036]图9是沿图8的线II
‑
II'截取的剖视图。
[0037]图10是示出根据专利技术的实施例的显示设备的剖视图。
具体实施方式
[0038]现在将在下文中参照示出了各种实施例的附图来更加充分地描述专利技术。然而，本
专利技术可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达专利技术的范围。同样的附图标记始终指同样的元件。
[0039]将理解的是，当诸如层、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者可以存在中间元件。相反，术语“直接地”意味着不存在中间元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。在此使用的术语仅是出于描述具体实施例的目的，而不是意图成为限制。如在此使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”意图包括包含
“……
中的至少一个(种/者)”的复数形式。“或者”意味着“和/或”。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”或“包含”和/或其变型时，说明存在陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0040]为了易于描述，在此可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下面的”、“在
……
上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如图中所示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在
……
下方”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：室；基座，设置在所述室中，并支撑具有有机发光二极管的基底；背板，设置在所述基座上方，并与所述基座分隔开预定距离；以及扩散器，设置在所述背板与所述基座之间，并将沉积气体提供到所述基底，其中，所述背板包括：导电板；冷却水管，嵌入所述导电板中，并且被构造为承载冷却水；以及绝缘口，设置在所述导电板上，并包括与所述冷却水管的入口和出口对准的连接管。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备还包括设置在所述绝缘口上的供给管和排出管，其中，所述供给管连接到所述连接管中的一个，并且所述排出管连接到所述连接管中的另一个，并且其中，所述绝缘口使所述供给管和所述排出管与所述冷却水管绝缘。3.根据权利要求2所述的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备还包括设置在所述绝缘口上的结合部分，其中，所述供给管和所述排出管固定在所述结合部分处，彼此间隔开，并穿过所述结合部分以连接到所述连接管。4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟勋，郑石源，朱儇佑，崔宰赫，闵庚柱，朴元雄，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：