一种集成LED芯片、发光装置制造方法及图纸

本专利涉及消毒杀菌领域，具体而言涉及一种集成LED芯片、发光装置。所述集成LED芯片，包括支架，所述支架包括导体；凹槽，所述凹槽包括第一电触点和第二电触点，多个所述凹槽设置在所述支架上；以及LED芯粒，一个所述LED芯粒置于一个所述凹槽中，所述LED芯粒包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第一电触点电连接，所述第二电极和所述第二电触点电连接。本公开的凹槽成放射状的设置在所述支架周围，同时一个凹槽对应一个芯粒的设置能够尽可能地将芯粒的发光面暴露在外界，以提高发光效率。率。率。

An integrated LED chip and light-emitting device

【技术实现步骤摘要】
一种集成LED芯片、发光装置


[0001]本专利涉及消毒杀菌领域，具体而言涉及一种集成LED芯片、发光装置。

技术介绍

[0002]半导体深紫外发光二极管(LED)作为一种新型的高效固态光源，被广泛的应用于医疗、公共卫生、水体杀菌等领域。与汞灯相比半导体深紫外发光二极管它具有效率高、寿命长、体积小、环境友好等优点，具有极大的市场和全新的应用场景。尽管深紫外LED比紫外汞灯更具有成本效益和环保性，但由于其光输出功率低，无法轻易取代紫外汞灯。且随着发射波长的减小，深紫外LED主要发平行于蓝宝石c面传播的横磁(TM)偏振光，使得光损耗较大而导致光提取效率降低。

技术实现思路

[0003]本专利正是基于现有技术的上述需求而提出的，本专利要解决的技术问题是提供一种集成LED芯片、发光装置以提高深紫外光灯的光效率。
[0004]为了解决上述问题，本专利提供的技术方案包括：
[0005]提供了一种集成LED芯片，包括支架，所述支架包括导体；凹槽，所述凹槽包括第一电触点和第二电触点，多个所述凹槽设置在所述支架上；以及 LED芯粒，一个所述LED芯粒置于一个所述凹槽中，所述LED芯粒包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第一电触点电连接，所述第二电极和所述第二电触点电连接。
[0006]本公开的凹槽设置在所述支架周围，同时一个凹槽对应一个芯粒的设置能够尽可能地将芯粒的发光面暴露在外界，以提高发光效率。
[0007]优选的，所述凹槽均匀的设置在所述支架上，任一所述凹槽和与其相邻的凹槽之间的距离相等。
[0008]通过设置支架上的芯粒均匀的分布以使得LED集成芯片的均匀的发光。
[0009]优选的，所述凹槽的形状结构与所述LED芯粒的形状结构相适配。
[0010]如此设置以将LED芯粒固定在凹槽中，以防发生脱落。
[0011]优选的，所述凹槽的开口朝向远离所述支架的方向设置，且在所述凹槽的底壁上设置有所述第一电触点和所述第二电触点，与置于其后端的所述导体相连。
[0012]如此设置有利于所述凹槽上的电触点与导体电连接，简化布线，所述LED 芯粒以及所述凹槽配合放置，以提高发光效率。
[0013]优选的，所述LED芯粒的发光外延层包括第一半导体层、第二半导体层和发光层，所述发光层置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间。
[0014]优选的，所述第一电极包括按照顺序堆叠的第一半导体焊盘电极和第一半导体电极，所述第一半导体焊盘电极的顶面与所述第一电触点电连接，所述第一半导体电极与所述第一半导体层相连。
[0015]优选的，所述第二电极包括按照顺序堆叠的第二半导体焊盘电极和第二半导体电
极，所述第二半导体焊盘电极的顶面与所述第二电触点电连接，所述第二半导体电极与所述第二半导体层相连。
[0016]优选的，所述第一半导体电极的厚度大于所述第二半导体电极的厚度，所述第一半导体焊盘电极的顶面与所述第二半导体焊盘电极的顶面在同一平面上。
[0017]如此设置能够使LED芯粒和凹槽平稳的连接。
[0018]优选的，所述支架包括柱体支架，所述凹槽设置在至少包括柱体支架一端的顶面以及围绕所述顶面设置的靠近顶面的侧壁上。
[0019]如此设置使得所述凹槽发散的放射的排布在所述支架上，能够形成以支架为中心的发光体，以使外界接收均匀的杀菌光线。
[0020]还提供了一种发光装置，其特征在于，包括上述中任意一项所述的集成 LED芯片。
[0021]与现有技术相比，本公开的凹槽成放射状的设置在所述支架周围，同时一个凹槽对应一个芯粒的设置能够尽可能地将芯粒的发光面暴露在外界，以提高发光效率。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本说明书实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书实施例中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本公开实施例的外延层叠结构示意图；
[0024]图2为本公开实施例的外延层叠结构经过刻蚀后的结构示意图；
[0025]图3为本公开实施例的蒸镀半导体电极的结构示意图；
[0026]图4为本公开实施例的沉积钝化层后的结构示意图；
[0027]图5为本公开实施例的LED芯粒的剖面结构图；
[0028]图6为本公开实施例的凹槽立体结构图；
[0029]图7为本公开实施例的支架与凹槽的连接示意图。
[0030]附图标记：
[0031]1、LED芯粒；110、衬底；120、缓冲层；130、第一半导体层；131、第一半导体电极；132、第一半导体加厚电极；133、第一半导体焊盘电极； 140、发光层；150、第二半导体层；151、第二半导体电极；152、第二半导体加厚电极；153、第二半导体焊盘电极；160、钝化层；2、凹槽；201、第一电触点；202、第二电触点；3、支架。
具体实施方式
[0032]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0033]在本专利实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接可以是机械连接，也可以是电连接可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通
技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
[0034]全文中描述使用的术语“顶部”、“底部”、“在
……
上方”、“下”和“在
……
上”是相对于装置的部件的相对位置，例如装置内部的顶部和底部衬底110 的相对位置。可以理解的是装置是多功能的，与它们在空间中的方位无关。
[0035]为便于对本申请实施例的理解，下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明，实施例并不构成对本申请实施例的限定。
[0036]实施例1
[0037]本实施例提供了一种集成LED芯片，如图1～7所示。
[0038]所述发光装置包括LED芯粒1、凹槽2和支架。
[0039]所述LED芯粒1是一种氮化镓基的深紫外光发光结构，如图1～5所示，所述LED芯粒1包括外延层叠结构，包括衬底110、缓冲层120、第一半导体层130、发光层140和第二半导体层150。
[0040]所述衬底110作为所述LED芯粒1的根基以支撑在其上设置的多层结构，所述衬底110还作为生长晶体的附着点，为其上层的缓冲层120提供成核点。
[0041]所述缓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成LED芯片，其特征在于，包括支架，所述支架包括导体；凹槽，所述凹槽包括第一电触点和第二电触点，多个所述凹槽设置在所述支架上；以及LED芯粒，一个所述LED芯粒置于一个所述凹槽中，所述LED芯粒包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第一电触点电连接，所述第二电极和所述第二电触点电连接。2.根据权利要求1所述的一种集成LED芯片，其特征在于，所述凹槽均匀的设置在所述支架上，任一所述凹槽和与其相邻的凹槽之间的距离相等。3.根据权利要求1所述的一种集成LED芯片，其特征在于，所述凹槽的形状结构与所述LED芯粒的形状结构相适配。4.根据权利要求1所述的一种集成LED芯片，其特征在于，所述凹槽的开口朝向远离所述支架的方向设置，且在所述凹槽的底壁上设置有所述第一电触点和所述第二电触点，与置于其后端的所述导体相连。5.根据权利要求1所述的一种集成LED芯片，其特征在于，所述LED芯粒的发光外延层包括第一半导体层、第二半导体层和发光层，所述发光层置于所述第一半导体层和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雪，张晓娜，郭凯，张向鹏，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：