一种双面或多层印制电路板的蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了一种双面或多层印制电路板的蚀刻方法，包括以下步骤：101）在坯板的面铜和金属化孔的外面覆盖正性感光膜，正性感光膜完整覆盖坯板孔壁及坯板表面；102）曝光显影；103）蚀刻；104）褪膜。本发明专利技术的正性感光膜工艺仅对坯板表面要去除金属的区域曝光，不会出现负性感光膜因孔壁上未被照射到的感光膜被显影液溶解冲洗掉，造成蚀刻漏液，产生线路板孔铜被蚀刻掉的缺陷。铜被蚀刻掉的缺陷。

An etching method of double-sided or multilayer printed circuit board

【技术实现步骤摘要】
一种双面或多层印制电路板的蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及线路板制作工艺，尤其涉及一种双面或多层印制电路板的蚀刻方法。

技术介绍

[0002]线路板蚀刻是用蚀刻液将导电线路以外的铜箔去除掉的方法。
[0003]申请号为CN202011477446.5的专利技术公开了一种具有电磁屏蔽结构的线路板的制作方法，该制作方法具体包括如下步骤：在大板坯料上切出需要尺寸的小板坯料，将内层线路图形转移到基板，将需要钻孔的基板叠合，并且在底部放置垫片，在顶部放置盖板，然后利用钻机钻孔，钻孔后的基板放入到沉铜缸内发生氧化还原反应，形成铜层从而对孔进行孔金属化,使原来绝缘的基材表面沉积上铜。该专利技术蚀刻的工艺包括以下步骤：贴膜，磨板后对PCB板热处理，然后通过热压或涂覆的方式贴上干膜；曝光，将底片与压好干膜的基板对位，在曝光机上利用紫外光的照射，将底片图形转移到感光干膜上；显影，利用显影液将未经曝光的干膜溶解冲洗掉，已曝光的部分保留；蚀刻、退膜，未经曝光的干膜被显影液去除后会露出铜面，用酸性氯化铜将这部分露出的铜面溶解腐蚀掉，得到所需的线路，将保护铜面的已曝光的干膜用氢氧化钠溶液剥掉，露出线路图形。
[0004]该专利技术采用负性感光膜，在显影过程中，显影液将未经曝光的干膜溶解冲洗掉，已曝光的部分保留。由于线路板环氧玻璃布的孔壁有较大的粗糙度，曝光工艺不能完整地将孔壁上的感光膜照射到，显影时，孔壁上未被照射到的感光膜会被显影液溶解冲洗掉，造成蚀刻漏液，产生线路板孔铜被蚀刻掉的缺陷。增加感光膜的厚度可以降低蚀刻漏液的风险，但随之带来的缺陷是蚀刻的解析度下降，无法得到精细的线路。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是提供一种不会产生蚀刻内孔漏液缺陷的双面或多层印制电路板的蚀刻方法。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是，一种双面或多层印制电路板的蚀刻方法，包括以下步骤：101）在坯板的面铜和金属化孔的外面覆盖正性感光膜，正性感光膜完整覆盖坯板孔壁及坯板表面；102）曝光显影；103）蚀刻；104）褪膜。
[0007]以上所述的蚀刻方法，在步骤101中，覆盖正性感光膜的方法为先浸涂后旋涂。
[0008]以上所述的蚀刻方法，正性感光膜的厚度为0.5μm
‑
5μm。
[0009]以上所述的蚀刻方法，覆盖正性感光膜使用的正性光刻胶的动力粘度为57cp
‑
60cp。
[0010]以上述的蚀刻方法，浸涂和旋涂的工艺温度为20
‑
25℃。
[0011]以上所述的蚀刻方法，在步骤101覆盖正性感光膜后，对坯板上的正性感光膜进行低温真空烘干，烘干的真空度为1
‑
10 kPa，温度为60
‑
90℃。
[0012]以上所述的蚀刻方法，覆盖正性感光膜所用的光刻胶为重氮萘醌
‑
酚醛树脂光刻胶。
[0013]褪膜工作液按重量百分比的组成为NaOH 3
‑
5%；水95
‑
97%；褪膜工作温度为50
‑
60℃。
[0014]本专利技术的正性感光膜工艺仅对坯板表面要去除金属的区域曝光，不会出现负性感光膜因孔壁上未被照射到的感光膜被显影液溶解冲洗掉，造成蚀刻漏液，产生线路板孔铜被蚀刻掉的缺陷。
具体实施方式
[0015]本专利技术实施例双面或多层印制电路板的蚀刻方法，包括以下步骤：1）在坯板的面铜和金属化孔的外面覆盖正性感光膜，正性感光膜完整覆盖坯板孔壁及坯板表面。
[0016]正性感光膜的厚度为0.5μm
‑
5μm。覆盖正性感光膜所用的光刻胶主要由感光剂、碱溶性树脂及溶剂组成。可以采用重氮萘醌
‑
酚醛树脂光刻胶，所用重氮萘醌
‑
酚醛树脂光刻胶的动力粘度为57cp
‑
60cp。
[0017]覆盖正性感光膜采用的方法为先浸涂后旋涂，浸涂和旋涂的工艺温度为20
‑
25℃。
[0018]覆盖正性感光膜后，对坯板上的正性感光膜进行低温真空烘干，烘干的真空度为1
‑
10 kPa，温度为60
‑
90℃。
[0019]2）曝光显影。
[0020]3）蚀刻。
[0021]4）褪膜，褪膜工作液按重量百分比的组成为NaOH 3
‑
5%；水95
‑
97%；褪膜工作温度为50
‑
60℃，浸泡或喷淋，喷淋压力2
‑‑
3Kg/平方厘米；时间 3
‑
5分钟。
[0022]本专利技术以上实施例双面或多层印制电路板的蚀刻方法具有以下优点：1）正性感光膜工艺仅对坯板表面要去除金属的区域曝光，坯板表面不需要去除金属的感光膜及孔内的感光膜不需要曝光；不会出现负性感光膜因孔壁上未被照射到的感光膜被显影液溶解冲洗掉，造成蚀刻漏液，产生线路板孔铜被蚀刻掉的缺陷。
[0023]2）正性感光膜生成采用浸涂+旋涂的工艺膜层结合力好，且可以获得较薄的膜层厚度；膜层厚度0.5—5 μm 解像能力高，蚀刻精度好，可制备细密的线路。
[0024]3） 正性感光膜通过低温真空进行烘干，可以避免感光膜在高温常压下烘干，感光膜剧烈收缩在金属化孔的边缘处出现裂纹，造成蚀刻漏液，孔铜被蚀刻掉的缺陷。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面或多层印制电路板的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：101）在坯板的面铜和金属化孔的外面覆盖正性感光膜，正性感光膜完整覆盖坯板孔壁及坯板表面；102）曝光显影；103）蚀刻；104）褪膜。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，在步骤101中，覆盖正性感光膜的方法为先浸涂后旋涂。3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，正性感光膜的厚度为0.5μm
‑
5μm。4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，覆盖正性感光膜使用的正性光刻胶的动力粘度为57cp
‑
60cp。5.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，浸涂和旋涂的工艺温度为20<...

【专利技术属性】
技术研发人员：何忠亮，卫璟霖，沈正，沈洁，
申请(专利权)人：深圳市鼎华芯泰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：