阵列基板、其制作方法及显示面板技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，阵列基板包括：衬底；第一绝缘层，设置于衬底上；第一有源层，设置于第一绝缘层上；保护层，设置于第一有源层上；第一栅极，设置于第一有源层上，且与保护层间隔设置；第二绝缘层，设置在第一绝缘层、第一有源层、保护层以及第一栅极上；以及第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极通过设置在第二绝缘层中的第一过孔与保护层连接；其中，保护层的材料包括氧化铟锡或铟镓锌氧化物。通过在第一有源层上设置透明的保护层，可以在后续形成第一过孔时对第一有源层进行保护，从而提升面板的良率和可靠性。与此同时，采用透明的保护层可以提升面板的穿透率。以提升面板的穿透率。以提升面板的穿透率。

Array substrate, its manufacturing method and display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、其制作方法及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板、其制作方法及显示面板。

技术介绍

[0002]低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)是广泛用于平板电脑、移动通信设备等中小电子产品中的一种液晶显示技术。与传统的非晶硅液晶显示器相比，低温多晶硅液晶显示器具有解析度高、反应速度快、开口率大、显示亮度高等诸多优点。同时，低温多晶硅液晶显示器可以将周边驱动电路也制作在玻璃基板上，有利于减少联结组件，可以节省空间与生产成本以及提高产品的可靠性和稳定性。而金属氧化物具有漏电流低的优势，可以将低温多晶硅与金属氧化物结合，形成低温多晶硅氧化物(Low Temperature Poly Silicon Oxide，LTPO)。
[0003]然而，由于LTPO半导体器件的体积小、集成度高，所以整个LTPO阵列基板(LTPO TFT)的制备工艺复杂，生产周期较长，且由于每一步刻蚀都难于控制，因此增加了各层膜加工工艺的误差。其中，断路会对LTPO阵列基板的性能造成极大的影响，而对LTPO半导体器件的源、漏极的过刻蚀是造成断路的一个主要原因。目前，在过孔加工工艺中需要对源漏极进行多次刻蚀，刻蚀量过大或过小都将增加像素电极与源漏极之间的接触阻抗，若将源漏极完全刻蚀掉，将造成阵列基板的失效。
[0004]因此，现有技术存在缺陷，有待改进与发展。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，以提升面板的穿透率，提高面板的良率和可靠性。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种阵列基板，包括：衬底；第一绝缘层，设置于衬底上；第一有源层，设置于第一绝缘层上；保护层，设置于第一有源层上；第一栅极，设置于第一有源层上，且与保护层间隔设置；第二绝缘层，设置在第一绝缘层、第一有源层、保护层以及第一栅极上；以及第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极通过设置在第二绝缘层中的第一过孔与保护层连接；其中，保护层的材料包括氧化铟锡或铟镓锌氧化物。
[0007]其中，阵列基板，还包括：
[0008]第二有源层，设置于衬底上，第一绝缘层覆盖第二有源层；
[0009]第二栅极，对应于第二有源层设置于第一绝缘层中；以及
[0010]第二源电极和第二漏电极，第二源电极和第二漏电极通过设置于第二绝缘层和第一绝缘层中的第二过孔与第二有源层连接，第二栅极位于第二源电极和第二漏电极之间。
[0011]其中，阵列基板，还包括：
[0012]依次设置于第一绝缘层上的第一介电层、第一导电层、第二介电层和第二导电层，第一导电层、第二介电层和第二导电层位于第二源电极和第二漏电极之间；
[0013]其中，第一导电层、第二介电层和第二导电层在衬底上的投影至少部分重叠，第一导电层的材料包括透明导电金属氧化物。
[0014]其中，阵列基板还包括第一栅极绝缘层，第一栅极绝缘层设置在第一栅极与第一有源层之间，第一介电层与第一有源层同层设置，第一导电层与保护层同层设置，第二介电层与第一栅极绝缘层同层设置，第二导电层与第一栅极同层设置。
[0015]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种阵列基板的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成透明导电层，透明导电层的材料包括氧化铟锡或铟镓锌氧化物；在透明导电层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行图案化以形成至少一个第一开口；以及
[0016]蚀刻去除与第一开口对应的位置处的透明导电层形成保护层。
[0017]其中，第一绝缘层包括栅极绝缘层和层间绝缘层，在衬底上形成第一绝缘层之前还包括：在衬底上形成第二有源层；
[0018]在衬底上形成第一绝缘层的步骤包括：
[0019]在第二有源层上形成栅极绝缘层；
[0020]在栅极绝缘层上形成第二栅极；
[0021]在第二栅极上形成层间绝缘层。
[0022]其中，在对光刻胶层进行图案化以形成至少一个第一开口之前还包括：
[0023]对光刻胶层进行图案化以形成至少一个第二开口和多个第三开口；
[0024]蚀刻去除与至少一个第二开口和多个第三开口分别对应的位置处的透明导电层，以形成第一导电层和第一金属层；
[0025]蚀刻去除与至少一个第二开口和多个第三开口对应的位置处的氧化物半导体层以形成第一有源层和第一介电层，其中，第一介电层和第一导电层层叠设置在衬底上，第一有源层和第一金属层层叠设置在衬底上。
[0026]其中，湿法刻蚀去除透明导电层和湿法刻蚀去除氧化物半导体层的步骤同时进行，氧化物半导体层的材料包括氧化铟锡或铟镓锌氧化物，湿法刻蚀的刻蚀液包括草酸。
[0027]其中，对光刻胶层进行图案化以形成至少一个第一开口的步骤包括：
[0028]对光刻胶层进行图案化，去除第一导电层上的光刻胶层，并去除位于第一金属层上的部分光刻胶层以形成第一开口。
[0029]其中，方法还包括：
[0030]在保护层和第一导电层上形成第三绝缘层，并对第三绝缘层进行图案化，形成第二介电层和第一栅极绝缘层，第二介电层与第一导电层至少部分重叠，第一栅极绝缘层位于保护层之间；
[0031]在第一栅极绝缘层和第二介电层上形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化形成第一栅极和第二导电层，其中，第一栅极与第一栅极绝缘层至少部分重叠，第二导电层与第二介电层至少部分重叠。
[0032]其中，阵列基板的制作方法，还包括：
[0033]在第一栅极和第二导电层上形成第二绝缘层；
[0034]在第二绝缘层和第一绝缘层中形成第一过孔和第二过孔；
[0035]在第二绝缘层上形成第三金属层；
[0036]对第三金属层图案化后分别形成第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极；
[0037]其中，第一源电极和第一漏电极通过设置在第二绝缘层中的第一过孔与保护层连接，第二源电极和第二漏电极通过设置于第二绝缘层和第一绝缘层中的第二过孔与第二有源层连接。
[0038]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种显示面板，显示面板包括对置基板和如上述任一项的阵列基板，对置基板与阵列基板相对间隔设置。
[0039]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术，本专利技术提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，阵列基板包括：衬底；第一绝缘层，设置于衬底上；第一有源层，设置于第一绝缘层上；保护层，设置于第一有源层上；第一栅极，设置于第一有源层上，且与保护层间隔设置；第二绝缘层，设置在第一绝缘层、第一有源层、保护层以及第一栅极上；以及第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极通过设置在第二绝缘层中的第一过孔与保护层连接；其中，保护层的材料包括氧化铟锡或铟镓锌氧化物。通过在第一有源层上设置透明的保护层，可以在后续形成第一过孔时对第一有源层进行保护，从而提升面板的良率和可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；第一绝缘层，设置于所述衬底上；第一有源层，设置于所述第一绝缘层上；保护层，设置于所述第一有源层上；第一栅极，设置于所述第一有源层上，且与所述保护层间隔设置；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层、第一有源层、保护层以及第一栅极上；以及第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极通过设置在所述第二绝缘层中的第一过孔与所述保护层连接；其中，所述保护层的材料包括氧化铟锡或铟镓锌氧化物。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板，还包括：第二有源层，设置于所述衬底上，所述第一绝缘层覆盖所述第二有源层；第二栅极，对应于所述第二有源层设置于所述第一绝缘层中；以及第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和所述第二漏电极通过设置于所述第二绝缘层和所述第一绝缘层中的第二过孔与所述第二有源层连接，所述第二栅极位于所述第二源电极和所述第二漏电极之间。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板，还包括：依次设置于所述第一绝缘层上的第一介电层、第一导电层、第二介电层和第二导电层，所述第一导电层、所述第二介电层和所述第二导电层位于所述第二源电极和所述第二漏电极之间；其中，所述第一导电层、所述第二介电层和所述第二导电层在所述衬底上的投影至少部分重叠，所述第一导电层的材料包括透明导电金属氧化物。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设置在所述第一栅极与所述第一有源层之间，所述第一介电层与所述第一有源层同层设置，所述第一导电层与所述保护层同层设置，所述第二介电层与所述第一栅极绝缘层同层设置，所述第二导电层与所述第一栅极同层设置。5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成透明导电层，所述透明导电层的材料包括氧化铟锡或铟镓锌氧化物；在所述透明导电层上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行图案化以形成至少一个第一开口；以及蚀刻去除与所述第一开口对应的位置处的透明导电层形成保护层。6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括栅极绝缘层和层间绝缘层，所述在所述衬底上形成第一绝缘层之前还包括：在所述衬底上形成第二有源层；所述在所述衬底上形成第一绝缘层的步骤包括：
在所述第二有源层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第二栅极；在所述第二栅极上...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙艳红，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：