用于干燥半导体基底的改进设备制造技术

一种用于干燥圆盘形基底的设备，包括伸长体(1)，该伸长体(1)向上逐渐变细以形成楔形部(A)，该楔形部(A)具有在两个表面之间的角度α和上边缘，其中该上边缘适合保持该圆盘形基底，其特征在于，该两个表面包括多于一个的孔(2)，每个孔(2)形成通道，该通道延伸至该伸长体的下部排放部分(B)。体的下部排放部分(B)。体的下部排放部分(B)。

Improved equipment for drying semiconductor substrates

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于干燥半导体基底的改进设备
[0001]本专利技术的目的是一种用于干燥圆盘形半导体基底的设备。
[0002]专利技术背景
[0003]本专利技术涉及一种被用于处理半导体晶片的设备，在该设备中，将半导体晶片浸入含有液体的浴槽中一段时间，并且然后缓慢地从该浴槽中取出，使得实际上全部量的液体都留在浴槽中。
[0004]
技术介绍
/问题
[0005]这种方法可以例如用于在各种基底上制造电路，诸如，例如半导体晶片(例如硅)上的集成电路、用于玻璃或石英的透明板上的液晶显示器的驱动器或合成材料板上的电路(电路板)。该方法还可用于制造电视显像管的荫罩(shadow masks)或制造CD或VLP唱片。在所有这些情况下，将基底多次浸入含有液体的浴槽中一段时间，例如用于沉积金属的电镀浴槽中，用于将图案蚀刻到金属层内或半导体材料中的蚀刻浴槽中，用于显影曝光的光漆层的显影浴槽中和用于清洁基底的冲洗浴槽中。在液体浴槽中处理后，将基底从液体取出并干燥。可以将基底从液体取出，其中它们被从液体提起或撤出，但当然也使液体流出浴槽。
[0006]当被从浴槽取出时，半导体晶片驻留在用于将半导体晶片保持在适当位置的设备上。在该过程期间，能出现液体的残留物留在基底的边缘的问题。这会导致基底的边缘上的不需要的颗粒，这些颗粒随后会影响半导体晶片的质量。
[0007]CN1045539A(EP 03 85536 A1)中描述了由此利用的物理效应，以及在某种程度上适于实施该方法的装置。
[0008]DE 10 2014 207 266 A1中给出了一种用于提高关于半导体晶片的剩余颗粒的清洁质量的设备和方法。然而，使用它仍然会留下降低半导体晶片质量的颗粒。
[0009]本专利技术的目的是改进所述设备，并且更具体地展示如何通过使用该设备来减少在干燥基底上发现的颗粒的数量。
具体实施方式
[0010]图1示出了根据本专利技术的设备(圆盘保持器)。
[0011]该设备包括伸长体(1)，该伸长体(1)向上逐渐变细以形成楔形部(A)，该楔形部具有在两个表面之间的角度α和上边缘。该上边缘适合搁置圆盘形基底。优选地，该楔形部的两个表面包括多于一个的孔(2)，每个孔(2)形成通道，该通道延伸至该伸长体的下部排放部分(B)。孔以这样的方式被放置，即该上边缘不会被孔中断。
[0012]优选地，该两个表面之间的角度α大于30
°
且小于90
°
。更优选地，其小于70
°
且大于50
°
。
[0013]优选地，用于该设备的材料包括陶瓷填充的聚醚醚酮(CFM PEEK)。
[0014]优选地，该上边缘的曲率半径大于0.1mm且小于1mm，更优选地大于0.1mm且小于0.4mm。
[0015]优选地，该两个表面是疏水的。
[0016]优选地，该通道具有大于0.5mm且小于3mm的直径。
[0017]优选地，该排放部分(B)包括通道，该通道具有大于3mm且小于8mm的直径。
[0018]优选地，该排放部分(B)具有大于20mm且小于26mm的长度(L2)。
[0019]优选地，该楔形部(A)具有大于4mm且小于10mm的高度(L1)。
[0020]附图标记列表
[0021]A 伸长体的楔形部区域
[0022]B 伸长体的排放部分
[0023]L1 形成在伸长体的顶部上的楔形部的高度
[0024]L2 排放部分的高度
[0025]1 伸长体
[0026]2 (多个)孔
[0027]α 楔形部的开口角度、两个表面之间的角度
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于干燥圆盘形基底的设备，包括伸长体(1)，该伸长体(1)向上逐渐变细以形成楔形部(A)，该楔形部(A)具有在两个表面之间的角度α和上边缘，其中该上边缘适合保持该圆盘形基底，其特征在于，该两个表面包括多于一个的孔(2)，每个孔(2)形成通道，该通道延伸至该伸长体(1)的下部排放部分(B)。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，该角度α大于30
°
且小于90
°
，优选地大于50
°
且小于70
°
。3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，用于该设备的材...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：