【技术实现步骤摘要】
用于玩具的光电晶体管
[0001]本技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种用于玩具的光电晶体管。
技术介绍
[0002]光电晶体管是一种依靠曝光工作的电子开关和电流放大组件，可用于有源模式也可用于开关模式，其基极暴露，光线入射基极表面时激活光电晶体管。光电晶体管和光电二极管不同，其工作不依赖外部放大器，而根据其应用范围的区别，对其尺寸、光谱范围、电流大小等也有不同的要求。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种用于玩具的光电晶体管。
[0004]为实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]一种光电晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，所述集电区为正方形，所述基区呈圆角正方形，位于集电区中央；基区一角有圆弧状凹陷，使基区一角缺失；所述发射区沿基区缺失角走势设置，呈半圆环状，发射区上依次沉积氮化硅层和碳纳米层。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述圆弧状凹陷对应的完整圆位于基区内且接近基区外边缘。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述圆弧状凹陷对应的完整圆的直径小于基区边长的一半。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述发射区上沉积的氮化硅层、碳纳米层宽度小于发射区宽度。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述发射区上沉积的氮化硅层、碳纳米层位于发射区中部。
[0010]作为本技术的进一步改进，基区缺失角对角侧沉积方形氮化硅层，所述方形氮化硅层上设有等平面尺寸的碳纳米层。
[0011]作...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于玩具的光电晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，其特征在于，所述集电区为正方形，所述基区呈圆角正方形，位于集电区中央；基区一角有圆弧状凹陷，使基区一角缺失；所述发射区沿基区缺失角走势设置，呈半圆环状，发射区上依次沉积氮化硅层和碳纳米层。2.根据权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，所述发射区上沉积的氮化硅层、碳纳米层宽度小于发射区宽度。3.根据权利要求2所述的光电晶体管，其特征在于，所述发射区上沉积的氮化硅层、碳纳米层位于发射区中部。4.根据权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，基区缺失角对角侧沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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