等离子体设备的下电极结构和等离子体设备制造技术

本公开提供一种等离子体设备的下电极结构和等离子体设备。该下电极结构包括：下电极、绝缘层和基座，绝缘层设置在基座上，下电极设置在绝缘层上，在基座上设有排气通道并在基座的上表面形成至少一个排气口，下电极结构还包括整流结构，整流结构为绝缘材料并且高度超出下电极，整流结构位于排气口的朝向下电极的一侧，以减缓下电极的靠近排气口区域处的排气流速。该下电极结构有助于提高工艺结果的一致性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
等离子体设备的下电极结构和等离子体设备


[0001]本公开属于半导体设备
，更具体地，涉及一种等离子体设备的下电极结构和等离子体设备。

技术介绍

[0002]本部分旨在为权利要求书中陈述的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
[0003]等离子体设备通常是由上电极和下电极之间施加电场而激励等离子。等离子体可用于刻蚀等半导体工艺。在半导体工艺中，需要尽量提高工艺结果的一致性。例如等离子体刻蚀金属层而形成晶体管的源漏极时，相同规格的晶体管中源漏极之间的间距的一致性越高越好。

技术实现思路

[0004]本公开提供一种等离子体设备的下电极结构和等离子体设备。
[0005]本公开提供如下方案：一种等离子体设备的下电极结构，包括：下电极、绝缘层和基座，所述绝缘层设置在所述基座上，所述下电极设置在所述绝缘层上，在所述基座上设有排气通道并在所述基座的上表面形成至少一个排气口，所述下电极结构还包括整流结构，所述整流结构为绝缘材料并且高度超出所述下电极，所述整流结构位于所述排气口的朝向所述下电极的一侧，以减缓所述下电极的靠近所述排气口区域处的排气流速。
[0006]在一些实施例中，所述整流结构与所述下电极的边缘区域和/或与所述绝缘层的边缘区域彼此相对设置。
[0007]在一些实施例中，所述整流结构呈板状，其垂直于或接近垂直于所述下电极所处平面。
[0008]在一些实施例中，所述下电极呈矩形，所述排气口设在所述下电极的4角外侧，所述整流结构包括一一对应的4个第一平板和4个第二平板，所述第一平板与对应的第二平板拼接成直角二面角，所述第一平板的延伸方向与所述下电极的一组对边的延伸方向相同，所述第二平板的延伸方向与所述下电极的另一组对边的延伸方向相同，所述直角二面角的开口方向朝向所述下电极的中心区域。
[0009]在一些实施例中，所述下电极呈长方形，所述第一平板与所述长方形的长边具有相同的延伸方向，所述第二平板与所述长方形的短边具有相同的延伸方向，所述第一平板沿所述长方形长边延伸方向上的尺寸大于所述第二平板沿所述长方形短边延伸方向上的尺寸。
[0010]在一些实施例中，所述整流结构具有上下方向的通孔，由连接件穿过所述通孔而使所述整流结构固定在所述绝缘层上。
[0011]在一些实施例中，所述整流结构超出所述下电极的高度在6cm至10cm的范围内。
[0012]在一些实施例中，所述整流结构与所述下电极在水平方向上的间距在1cm至2cm的
范围内。
[0013]在一些实施例中，所述整流结构的材料包括陶瓷。
[0014]本公开提供如下方案：一种等离子体设备，包括上述的下电极结构。
附图说明
[0015]图1是本公开实施例的下电极结构中第一平板的结构示意图。
[0016]图2是本公开实施例的下电极结构中第二平板的结构示意图。
[0017]图3是图1所示第一平板与图2所示第二平板的拼接状态示意图。
[0018]图4是本公开实施例的下电极结构的俯视图。
[0019]图5是图4所示下电极结构的一种变式。
[0020]图6是本公开实施例的等离子体设备的结构示意图。
[0021]其中，1、基座；2、绝缘层；3、下电极；4、排气通道；41、排气口；5、整流结构；51、第一平板；52、第二平板；6、上电极；61、横梁；62、进气通道；7、绝缘层；8、腔室壁；H、通孔。
具体实施方式
[0022]下面结合附图所示的实施例对本公开作进一步说明。
[0023]结合图1至图6，本公开的实施例提供一种等离子体设备的下电极结构，包括：下电极3、绝缘层2和基座1，绝缘层2设置在基座1上，下电极3设置在绝缘层2上，在基座1上设有排气通道4并在基座1的上表面形成至少一个排气口41，下电极结构还包括整流结构5，整流结构5为绝缘材料并且高度超出下电极3，整流结构5位于排气口41的朝向下电极3的一侧，以减缓下电极3的靠近排气口41区域处的排气流速。
[0024]基座1例如是金属基座1。绝缘层2例如是陶瓷绝缘层2。在等离子体设备中，下电极3通常连接射频电源(未示出)。
[0025]当等离子体设备内的反应结束后，需要从排气口41排出残留的反应气体。整流结构5具有阻挡气流的作用，从而使得流经下电极3边缘区域的反应气体的流速缓慢、流量降低。反应气体中残留的等离子体与下电极3上方的被加工对象(例如是晶圆或者显示基板等)的边缘区域的反应得到抑制。从而有助于提升工艺的一致性。
[0026]在一些实施例中，整流结构5是固定在绝缘层2上的。在另一些实施例中，整流结构5是固定在基座1上的。
[0027]在一些实施例中，参考图4，整流结构5与绝缘层2的边缘区域彼此相对设置。
[0028]在另外一些实施例中，参考图5，整流结构5与绝缘层2的边缘区域和下电极3的边缘区域彼此相对设置。
[0029]在另外一些实施例中，整流结构5与下电极3的边缘区域彼此相对设置。
[0030]其中，下电极3在绝缘层2的正投影位于绝缘层2内。即绝缘层2在水平方向上超出下电极3。
[0031]在一些实施例中，参考图1至图3，整流结构5呈板状。板状的整流结构5垂直于或接近垂直于下电极3所处平面。换言之，板状的整流结构5的各个位置处的法线方向平行或接近平行下电极3所处平面。
[0032]板状的整流结构5有利于对排气气流进行阻挡。
[0033]在另一些实施例中，整流结构5呈其他形状，例如是设置在绝缘层2上的表面呈曲面的凸起结构。
[0034]在一些实施例中，参考图3、图4和图5，下电极3呈矩形，排气口41设在下电极3的4角外侧，整流结构5包括一一对应的4个第一平板51和4个第二平板52，第一平板51与对应的第二平板52拼接成直角二面角，所述第一平板51与所述下电极3的一组对边具有相同的延伸方向，所述第二平板52与所述下电极3的另一组对边具有相同的延伸方向，直角二面角的开口方向朝向下电极3的中心区域。
[0035]具体地，第一平板51和第二平板52相接的断面上形成缺口，以便于二者的固定。
[0036]在另外一些实施例中，第一平板51与第二平板52是一体成型的。
[0037]在另外一些实施例中，整流结构5包括4个曲面板，4个曲面板一一对应地设置在4个排气孔的朝向下电极3的一侧。
[0038]图4和图5所示实施例中，下电极3呈长方形，第一平板51与长方形的长边具有相同的延伸方向，第二平板52与长方形的短边具有相同的延伸方向，第一平板51沿长方形长边延伸方向上的尺寸大于第二平板52沿长方形短边延伸方向上的尺寸。
[0039]这进一步有助于提高等离子体工艺在下电极3长边附近区域与短边区域的一致性。
[0040]在另外一些实施例中，第一平板51沿长方形长边延伸方向上的尺寸等于第二平板52沿长方形短边延伸方向上的尺寸。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体设备的下电极结构，其特征在于，包括：下电极、绝缘层和基座，所述绝缘层设置在所述基座上，所述下电极设置在所述绝缘层上，在所述基座上设有排气通道并在所述基座的上表面形成至少一个排气口，所述下电极结构还包括整流结构，所述整流结构为绝缘材料并且高度超出所述下电极，所述整流结构位于所述排气口的朝向所述下电极的一侧，以减缓所述下电极的靠近所述排气口区域处的排气流速。2.根据权利要求1所述的下电极结构，其特征在于，所述整流结构与所述下电极的边缘区域和/或与所述绝缘层的边缘区域彼此相对设置。3.根据权利要求1所述的下电极结构，其特征在于，所述整流结构呈板状，其垂直于或接近垂直于所述下电极所处平面。4.根据权利要求3所述的下电极结构，其特征在于，所述下电极呈矩形，所述排气口设在所述下电极的4角外侧，所述整流结构包括一一对应的4个第一平板和4个第二平板，所述第一平板与对应的第二平板拼接成直角二面角，所述第一平板与所述下电极的一组对边具有相同的延伸方向，所述第二平板与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑞锋，钱海蛟，汪涛，陈亮，赵立星，刘泽旭，李秋静，沈世妃，刘建涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：