【技术实现步骤摘要】
一种4H
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SiC JBS二极管正面金属化的管芯及其制造方法
[0001]本专利技术涉及一种4H
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SiC JBS二极管正面金属化的管芯及其制造方法。
技术介绍
[0002]现有技术中的4H
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SiC JBS二极管在制作肖特基接触层的方法是在有源区开孔后,溅射一层肖特基金属Ti,然后进行金属剥离,后进行快速退火,界面形成肖特基接触,然后腐蚀未反应完全的金属Ti,然后蒸发一层金属铝,最后进行光刻和刻蚀形成金属铝电极。此方法的主要缺点在于其工序较为繁琐,流程复杂。针对于肖特基器件,对肖特基界面的要求较高,如果界面杂质或缺陷较多,势必会增大器件的寄生电阻和器件的漏电通道,进而会影响器件的正向压降和反向漏电流。溅射肖特基金属Ti后,经过金属剥离、快速退火、金属腐蚀等工序后,界面必然会引入一些杂质或缺陷,最终会影响器件的电参数,导致器件的正向压降和反向漏电流增大,进而增大了器件的功率损耗,导致系统回路热量较高,引起系统电路损坏。
技术实现思路
[0003]为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种4H
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SiC JBS二极管正面金属化的管芯及其制造方法。
[0004]本专利技术通过以下技术方案得以实现。
[0005]本专利技术提供的一种4H
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SiC JBS二极管正面金属化的管芯及其制造方法,包括N+衬底;N+衬底的两个端面分别与欧姆接触层和外延区接触,欧姆接触层的另一端面与阴极金属层接触,外延区另一端面内加 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种4H
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SiC JBS二极管正面金属化管芯,包括N+衬底(1),其特征在于:N+衬底(1)的两个端面分别与欧姆接触层(2)和外延区(4)接触,欧姆接触层(2)的另一端面与阴极金属层(3)接触,外延区(4)另一端面内加工有若干P+区(5),外延区(4)的端面外端上覆盖有氧化硅层(6),氧化硅层(6)上覆盖有氮化硅层(7),所述外延区(4)的中部、氧化硅层(6)和氮化硅层(7)的内侧、氮化硅层(7)的上端面内端均与肖特基接触区(8)接触,肖特基接触区(8)的上端被阳极(9)覆盖,所述阳极(9)的外端及氮化硅层(7)的上端通过钝化层(10)覆盖。2.如权利要求1所述的4H
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SiC JBS二极管正面金属化管芯,其特征在于:所述P+区(5)在外延区(4)上加工有多个。3.如权利要求1所述的4H
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SiC JBS二极管正面金属化管芯,其特征在于:所述肖特基接触区(8)为Ti金属,阳极(9)为铝金属,所述钝化层(10)为聚酰亚胺。4.如权利要求1所述的4H
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SiC JBS二极管正面金属化管芯,其特征在于:所述P+区(5)的宽度为1.5
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2μm,P+区(5)之间的间距为2
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3μm。5.一种4H
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SiC JBS二极管管芯的制造方法,其方法步骤为:S1、制作N+衬底(1),生长低掺杂的外延区(4)。S2、采用PECVD方式在外延区(4)上淀积氧化硅薄膜形成氧化硅层(6);S3、在上光刻出P+离子注入窗口;S4、在P+离子注入窗口进行Al
3+
离子注入形成P+区(5),后将氧化硅全部腐蚀;S5、采用溅射方式在P+区(5)上溅射碳膜,然后进行高温退火,激活Al
3+
后除去表面碳膜;S6、采用热氧化方式生在外延区(4)和P+区(5)表面上长一层薄氧化层,后采用PECVD方式正面分别淀积氧化硅层(6)和氮化硅层(7)薄膜;S7、采用溅射方式在N+衬底(1)背面淀积一层Ni金属薄膜,然后进行快速退火,背面形成欧姆接触;S8、将外延区(4)表面中部上的氧化硅层(6)和氮化硅层(7)光刻去除;S9、采用磁控溅射方式,在外延区(4)表面中部淀积金属Ti和金属Al薄膜;S10、光...
【专利技术属性】
技术研发人员:孟繁新,贺晓金,陆超,袁强,姚秋原,王博,张思文,杨春梅,岳兰,
申请(专利权)人:中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂,
类型:发明
国别省市:
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