一种声表面波器件以及使用该声表面波器件的双工机和通信器件,该声表面波器件包括:形成梯形滤波器电路的第一声表面波滤波器;以及通带所在的频率比所述第一声表面波滤波器的通带高的第二声表面波滤波器。这里,所述第一声表面波滤波器包括:至少一个具有IDT电极的串联臂声表面波谐振器,其连接到所述梯形滤波器电路的串联臂;具有IDT电极的并联臂声表面波谐振器,其连接到所述梯形滤波器电路的并联臂;以及具有IDT电极的附加的声表面波谐振器,其与所述串联臂声表面波谐振器并联连接并且谐振频率比所述第二声表面波滤波器的通带的频率高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及声表面波器件以及使用该声表面波器件的双工机和通信器件;并且,更具体地,涉及声表面波器件以及使用该声表面波器件的双工 机和通信器件,该声表面波器件在通带中具有较陡的侧翼特性(shoulder characteristics),其在比通带的频率高的那些频率具有衰减极。
技术介绍
最近,随着具有高功率耐用性的电极材料和电极结构的发展,声表面 波滤波器已经成为用于在移动通信器件中将发送信号从接收信号中分开的 双工机所必须的。在双工机中,需要将发送带的信号与靠近发送带的信号的接收带的信 号充分分开。例如,如果发送带在比接收带低的频率,则在发送带的高频 区需要陡的侧翼特性。具有具备极好额定功率的梯形滤波器的电路结构通 常用于发送滤波器中,发送滤波器传递由功率放大器放大的信号。此外, 提出了一种技术,用于增加与梯形滤波器的谐振器并联的电容以获得梯形 滤波器的陡的侧翼特性。对移动电话的通信标准和全球漫游的修改的最近趋势已经促使了对用 作双工机的通带附近的另一标准的频带的严格衰减的需求。
技术实现思路
已经设计了本专利技术来满足上述需求,并且提供声表面波器件、及使用 该声表面波器件的双工机和通信器件,该声表面波器件具有通带的较陡的 侧翼特性并在比通带的频率高的频率具有衰减极。根据本专利技术的一个方面,提供了一种声表面波器件,包括形成梯形 滤波器电路的第一声表面波滤波器;以及通带所在的频率比所述第一声表面波滤波器的通带高的第二声表面波滤波器。这里,所述第一声表面波滤波器包括至少一个具有IDT电极的串联臂声表面波谐振器,其连接到所述梯形滤波器电路的串联臂;具有IDT电极的并联臂声表面波谐振器,其 连接到所述梯形滤波器电路的并联臂;以及具有IDT电极的附加的声表面 波谐振器,其与所述串联臂声表面波谐振器并联连接并且谐振频率比所述 第二声表面波滤波器的通带的频率高。此外,"通带处于比所述第一声表面 波滤波器的通带高的频率的第二声表面波滤波器"是其谐振频率比所述第 二声表面波滤波器的通带中的最高频率高的声表面波滤波器。根据本专利技术的另一方面,提供了一种包括以上所述声表面波器件的双 工机。根据本专利技术的另一方面,提供了一种通信设备,包括双工机,包括 以上所述声表面波器件;混频器,用于通过将发送信号与载波信号混频来 生成天线发送信号;以及功率放大器,用于放大天线发送信号并经由所述 双工机将所述放大的天线发送信号发送到天线。根据本专利技术的另一方面,提供了一种通信设备,包括双工机,包括 以上所述声表面波器件;天线;低噪声放大器,用于放大由所述天线接收 并通过所述双工机的天线接收信号;以及混频器,用于将接收信号与从通 过该低噪声放大器的所述天线接收信号的载波信号分开。附图说明本专利技术的以上特征将从以下结合附图给出的实施例的描述变得明显, 其中图1是根据本专利技术的第一实施例的声表面波器件的电路图; 图2是声表面波谐振器的平面视图; 图3示出了图1的声表面波器件的通过特性; 图4是根据本专利技术的第二实施例的声表面波器件的电路图; 图5是示出图4的声表面波器件的通过特性的图表; 图6示出了根据本专利技术的第三实施例的声表面波器件的通过特性; 图7是示例用于在本专利技术的声表面波器件中增加电容组件的附加的声 表面波谐振器的电极指间距的优选范围的图表;图8是使用本专利技术的声表面波器件的通信设备的框图;图9是本专利技术的声表面波器件的压电基底的平面视图; 图IO示出了本专利技术的示例声表面波器件的横截面视图; 图11是示出本专利技术的示例声表面波器件的通过特性的图表; 图12是传统声表面波器件的电路图;图13A和13B是示出传统声表面波器件的通过特性的图表;以及图14是用于示出包括在用于根据实施例的声表面波器件中的接收滤波器的双工机中的DMS滤波器D的平面视图。具体实施方式以下,将参照附图描述实施例的声表面波器件。这里,附图中相同的 部分由相同的参考数字表示。此外,每个声表面波谐振器的电极指的大小、 电极指之间的距离或电极指的数量的选择仅是为示例目的。在实施例的声表面波器件中,具有IDT电极的附加的声表面波谐振器 (以下,也称作"用于增加电容组件的附加的声表面波谐振器")并联连接 到构成梯形滤波器电路的第一声表面波滤波器的串联臂声表面波谐振器。 具有IDT电极的附加的声表面波谐振器起不同于谐振频率的频率处的电容 的作用,使得能够获得在通带的高频区的陡的侧翼特性。为进一步提高侧 翼特性,能够将较大的电容并联施加于串联臂声表面波谐振器。然而,在 这种情况下,带外衰减特性恶化了。将参照图12、 13A和13B描述此情形。图12是根据现有技术的梯形滤波器60的电路图。图13A和13B是示 出图12的梯形滤波器60的通过特性的图表;图13A是示出通带的通过特 性的图表,以及图13B是示出在包括高频的宽频范围上的通过特性的图表。参照图12,梯形滤波器60由串联臂声表面波谐振器61a、 61b、 61c以 及61d和并联臂声表面波谐振器62a、 62b以及62c构成。并联臂声表面波 谐振器62a至62c在信号电位和地电位之间连接,而谐振由并联臂声表面波 谐振器62a至62c的电容和将它们连接到地电位的导线的电感引起。能够通 过使用谐振将衰减极设置在比通带的频率高的频率是公知的。在图12中示 出的示例的情况下,通过并联臂声表面波谐振器62a和62b、导线64a、并 联臂声表面波谐振器62c和导线64a将衰减极设置在约1.5GHz处。此外,如上所述,通过将电容63并联连接到串联臂声表面波谐振器61b(参照图13A对其进行了描述),通带的侧翼特性能够较陡。在图13A中, 实线示出在没有安装电容63时的通过特性,而点线示出连接2pF的电容63 时的通过特性。通过安装电容63,在843MHz处的衰减量提高了约14dB。 然而,如图13B中所示,通带外的衰减量由电容63恶化了。因此,为了获 得通带外的期望的衰减量,为陡的侧翼特性而连接那里的电容受到限制。 因此,在本实施例中,为了通过使用较高的电容来获得所需频带中的衰减 量以及滤波器的陡的侧翼特性,具有IDT电极的附加的声表面波谐振器用 作电容。如果新将附加的声表面波谐振器与串联臂声表面波谐振器并联连接, 则在附加的声表面波谐振器的抗谐振频率处设置局部衰减极是可能的。传 统地,提出了通过使用IDT电极或具有IDT电极的声表面波谐振器的电容 来改善侧翼特性的方法。然而,那些研究的实施都是为了防止新连接的IDT 电极的谐振特性对滤波器特性的影响,并且它们都没有公开用于使用新连 接的IDT电极或具有IDT电极的附加的声表面波谐振器的谐振特性的技术。在本实施例中,新连接到形成第一声表面波滤波器的通带的串联臂声 表面波谐振器的附加的声表面波谐振器的谐振频率比第二声表面波滤波器 的通带的频率高,第二声表面波滤波器的通带的频率比第一声表面波滤波 器的通带的频率高。此时,当第一和第二声表面波滤波器彼此连接时,新 连接的附加的声表面波谐振器的谐振特性不恶化第二声表面波滤波器的通 过特性。因此,根据本实施例的声表面波器件,能够获得设置在通带的高频侧 附近的衰减极和陡的侧翼特性。为了获得通带的高频侧附近的衰减极,优选地,附加的声表面波谐振 器的IDT电极的电极指间距小本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种声表面波器件,包括: 第一声表面波滤波器,其形成梯形滤波器电路;以及 第二声表面波滤波器,其通带所在的频率比所述第一声表面波滤波器的通带高, 其中,所述第一声表面波滤波器包括: 至少一个具有IDT电极的串联臂声表面波谐振器,其连接到所述梯形滤波器电路的串联臂; 具有IDT电极的并联臂声表面波谐振器,其连接到所述梯形滤波器电路的并联臂;以及 具有IDT电极的附加的声表面波谐振器,其与所述串联臂声表面波谐振器并联连接,并且它的谐振频率比所述第二声表面波滤波器的通带的频率高。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:船见雅之,竹之下健,横田裕子,
申请(专利权)人:京都陶瓷株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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