一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体清洗技术领域。一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架，包括一托架主体，托架主体的中央开设有两个用于容纳硅片的容纳槽，容纳槽的内壁呈两边高中间低的结构，容纳槽的下端部与托架主体上表面的连接面呈圆弧形倒角结构；容纳槽包括第一容纳槽和第二容纳槽，第一容纳槽的左侧和第二容纳槽的右侧分别固定有垫片，每个容纳槽带有垫片的容纳槽一侧高于不带有垫片的容纳槽一侧；托架主体上还开设有多个第一安装孔和多个第二安装孔，第二安装孔排布在托架主体的外边缘，且第二安装孔分别位于托架主体的四个角部，第二安装孔的孔径从上至下逐渐递增。本实用新型专利技术将容纳槽的上开口设为斜面便于硅片放入，增强超音波对表面颗粒去除能力。表面颗粒去除能力。表面颗粒去除能力。

【技术实现步骤摘要】
一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架


[0001]本技术涉及半导体清洗
，具体涉及一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架。

技术介绍

[0002]硅片经抛光后表面残留大量的微粒/金属/无机污染物,为得到表面洁净的抛光片,超音波清洗在湿法清洗工艺中应用广泛.超音波应用是由超声波发生器发出的高频振荡信号，通过换能器转换成高频机械振荡而传播到介质中。超声波在介质液中疏密相间的向前辐射，使液体流动而产生数以万计的微小气泡，存在于液体中的微小气泡(空化核)在声场的作用下振动，当声压达到一定值时，气泡迅速增长，然后突然闭合，在气泡闭合时产生冲击波，在其周围产生上千个大气压力，破坏不溶性污物而使它们分散于清洗液中，当团体粒子被油污裹着而粘附在清洗件表面时，油被乳化，固体粒子即脱离，从而达到清洗件表面净化的目的。盛放在片盒内的硅片放在水槽内清洗,需底部托架支撑,但托架会对超音波的传输产生阻挡,从而弱化了作用在硅片表面的超音。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的问题，本技术提供一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架，已解决上述至少一个技术问题。
[0004]本技术的技术方案是：一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架，包括一托架主体，其特征在于，所述托架主体的中央开设有两个用于容纳硅片的容纳槽，所述容纳槽的长度为18cm，所述容纳槽的宽度为12cm，所述容纳槽的内壁呈两边高中间低的结构，所述容纳槽的下端部与所述托架主体上表面的连接面呈圆弧形倒角结构；
[0005]所述容纳槽包括第一容纳槽和第二容纳槽，所述第一容纳槽的左侧和所述第二容纳槽的右侧分别固定有垫片，每个容纳槽带有垫片的容纳槽一侧高于不带有垫片的容纳槽一侧；
[0006]所述托架主体上还开设有多个第一安装孔和多个第二安装孔，所述第二安装孔排布在所述托架主体的外边缘，且第二安装孔分别位于托架主体的四个角部，所述第二安装孔的孔径从上至下逐渐递增。
[0007]本技术将容纳槽的上开口设为斜面便于硅片放入，在保证了托架承重能力的同时，增强超音波对硅片表面颗粒去除能力，减少托架对超音波的阻挡作用。将下端部做弧面设计从而能防止划伤硅片。
[0008]进一步优选，所述第二安装孔的上开口孔径为13.5mm，所述第二安装孔的下开口孔径为20.16mm。
[0009]并且将托架的外侧安装孔底部孔径增大，从原先的13.5mm增加到20.16mm从而能够便于固定。
[0010]进一步优选，所述容纳槽的内部设有两个开口方向相对的矩形凹槽，所述矩形凹
槽的内壁呈圆弧形。
[0011]本技术通过增加矩形凹槽能够便于硅片的放入。
[0012]进一步优选，所述第一安装孔呈矩阵式排布在容纳槽的两侧，且所述第一安装孔每列设有五个。
[0013]本技术通过多个安装孔进行更好的固定。
[0014]进一步优选，所述第一安装孔的孔径从上至下逐渐递增，所述第一安装孔的上开口孔径为8mm，所述第一安装孔的下开口的孔径为13.5mm。
[0015]本技术优化了第一安装孔的结构能够更好的优化托架主体的承重能力。
[0016]进一步优选，所述第一安装孔包括靠近第二安装孔的外侧安装孔和靠近托架主体中央的内侧安装孔，位于上方的外侧安装孔和位于上方的内侧安装孔分别与托架主体的上端部贴合，位于下方的外侧安装孔和位于下方的内侧安装孔分别与托架主体的下端部贴合。
[0017]本技术优化了两种安装孔的结构从而能够保持托架最佳的稳定性。
[0018]进一步优选，所述外侧安装孔的中心圆点距离所述托架主体的侧边间距为45mm。
[0019]进一步优选，所述托架主体是一扁平状的长方体型结构，所述托架主体的长度为459.6mm，宽度为165mm。
附图说明
[0020]图1是本技术托架主体的正面结构示意图；
[0021]图2是本技术托架主体的背面立体结构示意图。
[0022]图中：1、托架主体；2、第一容纳槽；3、第二容纳槽；4、垫片；5、第一安装孔；6、第二安装孔。
具体实施方式
[0023]下面结合附图对本技术做进一步的说明。
[0024]参见图1和图2，一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架，包括一托架主体1，托架主体的中央开设有两个用于容纳硅片的容纳槽，容纳槽的长度为18cm，容纳槽的宽度为12cm，容纳槽的内壁呈两边高中间低的结构，容纳槽的下端部与托架主体上表面的连接面呈圆弧形倒角结构；容纳槽包括第一容纳槽2和第二容纳槽3，第一容纳槽的左侧和第二容纳槽的右侧分别固定有垫片4，每个容纳槽带有垫片的容纳槽一侧高于不带有垫片的容纳槽一侧；托架主体上还开设有多个第一安装孔5和多个第二安装孔6，第二安装孔排布在托架主体的外边缘，且第二安装孔分别位于托架主体的四个角部，第二安装孔的孔径从上至下逐渐递增。
[0025]本技术将容纳槽的上开口设为斜面便于硅片放入，在保证了托架承重能力的同时，增强超音波对硅片表面颗粒去除能力，减少托架对超音波的阻挡作用。将下端部做弧面设计从而能防止划伤硅片。
[0026]进一步优选，第二安装孔的上开口孔径为13.5mm，第二安装孔的下开口孔径为20.16mm。并且将托架的外侧安装孔底部孔径增大，从原先的13.5mm增加到20.16mm从而能够便于固定。
[0027]进一步优选，容纳槽的内部设有两个开口方向相对的矩形凹槽，矩形凹槽的内壁呈圆弧形。本技术通过增加矩形凹槽能够便于硅片的放入。
[0028]进一步优选，第一安装孔呈矩阵式排布在容纳槽的两侧，且第一安装孔每列设有五个。
[0029]本技术通过多个安装孔进行更好的固定。
[0030]进一步优选，第一安装孔的孔径从上至下逐渐递增，第一安装孔的上开口孔径为8mm，第一安装孔的下开口的孔径为13.5mm。本技术优化了第一安装孔的结构能够更好的优化托架主体的承重能力。
[0031]进一步优选，第一安装孔包括靠近第二安装孔的外侧安装孔和靠近托架主体中央的内侧安装孔，位于上方的外侧安装孔和位于上方的内侧安装孔分别与托架主体的上端部贴合，位于下方的外侧安装孔和位于下方的内侧安装孔分别与托架主体的下端部贴合。本技术优化了两种安装孔的结构从而能够保持托架最佳的稳定性。
[0032]进一步优选，外侧安装孔的中心圆点距离托架主体的侧边间距为45mm。
[0033]进一步优选，托架主体是一扁平状的长方体型结构，托架主体的长度为459.6mm，宽度为165mm。
[0034]以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架，包括一托架主体，其特征在于，所述托架主体的中央开设有两个用于容纳硅片的容纳槽，所述容纳槽的长度为18cm，所述容纳槽的宽度为12cm，所述容纳槽的内壁呈两边高中间低的结构，所述容纳槽的下端部与所述托架主体上表面的连接面呈圆弧形倒角结构；所述容纳槽包括第一容纳槽和第二容纳槽，所述第一容纳槽的左侧和所述第二容纳槽的右侧分别固定有垫片，每个容纳槽带有垫片的容纳槽一侧高于不带有垫片的容纳槽一侧；所述托架主体上还开设有多个第一安装孔和多个第二安装孔，所述第二安装孔排布在所述托架主体的外边缘，且第二安装孔分别位于托架主体的四个角部，所述第二安装孔的孔径从上至下逐渐递增。2.根据权利要求1所述的一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架，其特征在于：所述第二安装孔的上开口孔径为13.5mm，所述第二安装孔的下开口孔径为20.16mm。3.根据权利要求1所述的一种提高硅片颗粒去除能力的支撑托架，其特征在于：所述容...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛迎军，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：