本发明专利技术公开了一种半导体样片承载台以及半导体样片探针测试装置。该半导体样片承载台包括：半导体样片承载台包括半导体样片承载面；若干柔性吸附装置，柔性吸附装置位于半导体样片承载台的半导体样片承载面上，用于吸附半导体样片；若干缓冲装置，缓冲装置位于半导体样片承载台内部，与柔性吸附装置一一对应设置，且缓冲装置与柔性吸附装置连接。本发明专利技术实施例提供的技术方案，延长了测试探针的寿命，增强了对于半导体样片的吸附效果，降低了半导体样片承载台的维护成本。体样片承载台的维护成本。体样片承载台的维护成本。
A semiconductor sample carrier and a semiconductor sample probe testing device
【技术实现步骤摘要】
一种半导体样片承载台以及半导体样片探针测试装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体样片承载台以及半导体样片探针测试装置。
技术介绍
[0002]半导体样片探针测试也被称之为中间测试，半导体样片探针测试的目的是检测半导体样片的电学性能，在半导体样片封装之前，尽量将电学性能不佳的半导体样片去除，以提高半导体样片封装的良率。
[0003]现有的半导体样片探针测试装置中，半导体样片承载台用于承载半导体样片，半导体样片承载台通过表面的真空孔来吸附半导体样片，或者半导体样片承载台通过表面的真空孔和吸盘来吸附半导体样片，由于半导体样片承载台和半导体样片的材质较硬，探针台上设置的测试探针与半导体样片接触时，探针台上设置的测试探针的力道轻微过量或者操作人员有误操作时，半导体样片承载台通过表面的真空孔部分的测试探针很容易被损坏，进而导致测试探针的寿命有限。且半导体样片承载台通过表面的真空孔吸附半导体样片时，真空精度较低，导致半导体样片出现翘曲，进而导致对于半导体样片的吸附效果较差，并且如果真空孔出现质量问题，需要更换整个半导体样片承载台，导致后期半导体样片承载台的改造成本很大。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种半导体样片承载台以及半导体样片探针测试装置，以延长测试探针的寿命，增强对于半导体样片的吸附效果，降低半导体样片承载台的维护成本。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体样片承载台，包括：
[0006]所述半导体样片承载台包括半导体样片承载面；
[0007]若干柔性吸附装置，所述柔性吸附装置位于所述半导体样片承载台的半导体样片承载面上，用于吸附半导体样片；
[0008]若干缓冲装置，所述缓冲装置位于所述半导体样片承载台内部，与所述柔性吸附装置一一对应设置，且所述缓冲装置与所述柔性吸附装置连接。
[0009]可选地，所述柔性吸附装置包括浅口吸盘或者透明硅胶碗装垫片。
[0010]可选地，所述柔性吸附装置在所述半导体样片承载面呈米字型、十字型以及环型中的任意一种排布。
[0011]可选地，所述柔性吸附装置高于所述半导体样片承载面预设距离。
[0012]可选地，所述缓冲装置包括弹簧针。
[0013]可选地，所述缓冲装置包括可充气外壳，所述可充气外壳设置有充气口。
[0014]可选地，所述缓冲装置包括多个缓冲等级，所述缓冲装置根据不同压力调整对应的缓冲等级。
[0015]可选地，还包括第一空气压缩系统，所述第一空气压缩系统根据所述缓冲装置的
缓冲等级控制所述可充气外壳内的气体含量，所述第一空气压缩系统与所述充气口连通，用于为所述可充气外壳内向内充气或者用于从所述可充气外壳向外抽气，其中，所述缓冲装置的缓冲等级与所述半导体样片承载台承受的压力相关。
[0016]可选地，还包括若干气体通路，所述气体通路与所述柔性吸附装置一一对应设置，所述气体通路的一端与所述柔性吸附装置一一对应连通；
[0017]所述气体通路的另一端与第二空气压缩系统连通，所述第二空气压缩系统用于抽走所述柔性吸附装置的空气，或者用于为所述柔性吸附装置充气。
[0018]可选地，所述气体通路包括独立通路，所述独立通路位于所述缓冲装置内部，所述独立通路与所述柔性吸附装置连通。
[0019]可选地，所述气体通路还包括母线通路，所述母线通路位于所述半导体样片承载台内部，所述母线通路的一端与各独立通路连通，所述母线通路的另一端与所述第二空气压缩系统连通。
[0020]可选地，所述独立通路设置有第一开关单元；
[0021]所述第一开关单元处于导通状态，所述独立通路和所述第二空气压缩系统连通；
[0022]所述第一开关单元处于截止状态，所述气体通路和所述第二空气压缩系统不连通。
[0023]可选地，所述第二空气压缩系统设置有第二开关单元，所述第二开关单元包括抽气开关、吸气开关和截止开关；
[0024]所述抽气开关处于导通状态，所述第二空气压缩系统用于抽走所述柔性吸附装置的空气；
[0025]所述吸气开关处于导通状态，所述第二空气压缩系统用于为所述柔性吸附装置充气；
[0026]所述截止开关处于导通状态，所述第二空气压缩系统停止抽走所述柔性吸附装置的空气，并且停止为所述柔性吸附装置充气。
[0027]可选地，还包括压力传感器；
[0028]所述压力传感器设置在所述半导体样片承载台背离所述半导体样片承载面的一侧，所述压力传感器用于检测所述半导体样片承载台受到的压力。
[0029]可选地，还包括驱动结构；
[0030]所述驱动结构包括控制器和驱动单元，所述控制器的输入端与所述压力传感器的输出端电连接，所述控制器用于根据所述半导体样片承载台受到的压力，控制驱动单元的运动；
[0031]所述驱动单元用于驱动所述半导体样片承载台的移动。
[0032]可选地，当压力传感器检测到压力超过一定阈值时，启动保护探针机制，所述控制器控制所述驱动单元驱动所述半导体样片承载台回到初始位置。
[0033]可选地，测试过程中，所述驱动单元还用于驱动所述半导体样片承载台靠近所述探针台或者远离所述探针台。
[0034]根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体样片探针测试装置，包括：半导体样片承载台，所述半导体样片承载台如本专利技术任一实施例所述的半导体样片承载台；
[0035]探针台，所述探针台设置有测试探针；
[0036]驱动结构，所述驱动结构与所述半导体样片承载台连接，所述驱动结构用于带动所述半导体样片承载台靠近所述探针台或者远离所述探针台。
[0037]本专利技术实施例提供的技术方案，一方面，柔性吸附装置用于吸附半导体样片，当探针台的测试探针与半导体样片接触时，柔性吸附装置可以在压力的作用下产生形变，具体表现为在竖直方向被压缩，柔性吸附装置对于测试探针向下的压力起到缓冲作用，进而可以避免测试探针与半导体样片承载台的半导体样片接触时，由于探针台上设置的测试探针的力道轻微过量或者操作人员有误操作时，导致探针台上设置的测试探针容易损坏的问题，延长了测试探针的使用寿命。另一方面，在测试探针下压时，柔性吸附装置产生形变，能够很好地吸附半导体样片，从而降低了对真空精度的要求，在柔性吸附装置保证一定数量的情况下，可以实现无需对柔性吸附装置抽真空来实现对半导体样片的吸附，避免半导体样片出现翘曲。再一方面，柔性吸附装置容易更换，当需要测试不同尺寸的半导体样片时，可以根据半导体样片的形状和尺寸需要更换柔性吸附装置，以及调整柔性吸附装置的设置位置，从而无需更换整个半导体样片承载台，降低了半导体样片承载台的维护成本。又一方面，缓冲装置与柔性吸附装置连接，柔性吸附装置用于吸附半导体样片，当探针台的测试探针与半导体样片接触时，缓冲装置可以在压力的作用下发生形变，例如在竖直方向被压缩，柔性吸附装置和缓冲装置均可以对于测试探针向下的压力起到缓冲作用，进而可以避本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体样片承载台，其特征在于，包括：所述半导体样片承载台包括半导体样片承载面；若干柔性吸附装置，所述柔性吸附装置位于所述半导体样片承载台的半导体样片承载面上，用于吸附半导体样片；若干缓冲装置，所述缓冲装置位于所述半导体样片承载台内部，与所述柔性吸附装置一一对应设置，且所述缓冲装置与所述柔性吸附装置连接。2.根据权利要求1所述的半导体样片承载台，其特征在于，所述柔性吸附装置包括浅口吸盘或者透明硅胶碗装垫片。3.根据权利要求1所述的半导体样片承载台，其特征在于，所述柔性吸附装置在所述半导体样片承载面呈米字型、十字型以及环型中的任意一种排布。4.根据权利要求1所述的半导体样片承载台，其特征在于，所述柔性吸附装置高于所述半导体样片承载面预设距离。5.根据权利要求1所述的半导体样片承载台，其特征在于，所述缓冲装置包括弹簧针。6.根据权利要求1所述的半导体样片承载台，其特征在于，所述缓冲装置包括可充气外壳，所述可充气外壳设置有充气口。7.根据权利要求1所述的半导体样片承载台，其特征在于，所述缓冲装置包括多个缓冲等级，所述缓冲装置根据不同压力调整对应的缓冲等级。8.根据权利要求6所述的半导体样片承载台，其特征在于，还包括第一空气压缩系统，所述第一空气压缩系统根据所述缓冲装置的缓冲等级控制所述可充气外壳内的气体含量，所述第一空气压缩系统与所述充气口连通，用于为所述可充气外壳内向内充气或者用于从所述可充气外壳向外抽气，其中，所述缓冲装置的缓冲等级与所述半导体样片承载台承受的压力相关。9.根据权利要求2所述的半导体样片承载台，其特征在于，还包括若干气体通路和第二空气压缩系统，所述气体通路与所述柔性吸附装置一一对应设置，所述气体通路的一端与所述柔性吸附装置一一对应连通；所述气体通路的另一端与所述第二空气压缩系统连通，所述第二空气压缩系统用于抽走所述柔性吸附装置的空气，或者用于为所述柔性吸附装置充气。10.根据权利要求9所述的半导体样片承载台，其特征在于，所述气体通路包括独立通路，所述独立通路位于所述缓冲装置内部，所述独立通路与所述柔性吸附装置连通。11.根据权利要求10所述的半导体样片承载台，其特征在于，所述气体通路还包括母线通路，所述母线通路位于所述半导体样片承...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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