吡咯亚甲基硼络合物、含有其的发光元件、显示装置及照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术通过通式(1)所表示的吡咯亚甲基硼络合物而提供荧光量子产率高、发光光谱尖锐的发光材料以及发光效率、颜色纯度及耐久性高的发光元件。(R1～R6分别独立地选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、硅氧烷基及氧硼基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。其中，R1～R4中的至少一个为氢原子或烷基。X1及X2分别独立地选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。R7是由下述通式(2)所表示。)(R8～R

Pyrrole methylene boron complex, light-emitting element containing it, display device and lighting device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】吡咯亚甲基硼络合物、含有其的发光元件、显示装置及照明装置


[0001]本专利技术涉及一种吡咯亚甲基硼络合物、含有其的发光元件、显示装置及照明装置。

技术介绍

[0002]通过自阴极注入的电子与自阳极注入的空穴在夹持于两极的发光层内再结合而发光的有机薄膜发光元件具有为薄型且可实现低驱动电压及高亮度发光、进而通过选择发光材料而实现多色发光的特征。特别是，通过在发光层中组合使用主体材料与掺杂剂材料，可获得高效率地发出蓝色、绿色及红色此三原色的光的发光元件。
[0003]作为掺杂剂，通常可使用荧光量子产率高的色素。例如已知，具有吡咯亚甲基骨架的络合物是具备作为荧光量子产率高、斯托克斯位移(Stokes shift)及发光光谱的峰值半值宽度小的掺杂剂而获得高效率所需的必要条件的化合物，使用吡咯亚甲基络合物作为掺杂剂的发光元件显示出良好的元件特性(例如，参照专利文献1)。进而，近年来，以高发光效率为目标，对包含热活化延迟荧光(Thermally Activated Delayed Fluorescence，TADF)材料与吡咯亚甲基硼络合物的发光元件进行了研究(例如，参照专利文献2)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利特开2003
‑
12676号公报
[0007]专利文献2：国际公开第2016/056559号

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的问题
[0009]在将有机薄膜发光元件用作显示装置或照明装置的情况下，要求扩大色域。色域在xy色度图中决定表示红色、绿色及蓝色各自的发光的顶点坐标，并由连接它们的三角形来表示。为了扩大色域，必须使红色、绿色及蓝色的各顶点坐标为适当的色度以扩大所述三角形的面积，为此正在进行各种颜色设计。
[0010]色度由发光峰值波长与颜色纯度的组合决定。颜色纯度由发光光谱的宽度决定，发光光谱的宽度越窄，越接近单色光，颜色纯度越高。为了实现广色域化，特别重要的是提高颜色纯度，强烈要求具有尖锐的发光光谱的发光材料。
[0011]另外，在将有机薄膜发光元件用作显示装置或照明装置的情况下，要求提高发光元件的耐久性。为了提高发光元件的耐久性，必须提高发光材料的稳定性。
[0012]另一方面，就亮度提高与节电的观点而言，有机薄膜发光元件理想的是发光效率高。特别是在近年来使用不断扩大的移动显示装置中，节电化成为特别重要的课题。
[0013]在此种状况下，在将吡咯亚甲基硼络合物用作掺杂剂的情况下，虽然是可获得尖锐的发光光谱的有用的发光材料，但对于发光元件要求更高的发光效率与更高的耐久性。但是，难以保持尖锐的发光光谱并实现具有高发光效率与高耐久性的发光元件。
[0014]本专利技术的目的在于解决所述现有技术的问题，并提供荧光量子产率高、发光光谱尖锐的发光材料以及发光效率、颜色纯度及耐久性高的发光元件。
[0015]解决问题的技术手段
[0016]本专利技术为通式(1)所表示的吡咯亚甲基硼络合物。
[0017][化1][0018][0019]R1～R6分别独立地选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、硅氧烷基及氧硼基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。其中，R1～R4中的至少一个为氢原子或烷基。
[0020]X1及X2分别独立地选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。
[0021]R7是由下述通式(2)所表示。
[0022][化2][0023][0024]R8～R
10
分别独立地选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、氧硼基及氧化膦基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。
[0025]R
11
选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、氧硼基及氧化膦基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。
[0026]Ar1为经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。
[0027]另外，本专利技术的另一形态是一种发光元件，所述发光元件是具有阳极与阴极、以及存在于所述阳极与所述阴极之间的发光层且所述发光层通过电能而发光的元件，所述发光层中含有所述吡咯亚甲基硼络合物。
[0028]专利技术的效果
[0029]通过本专利技术，可提供荧光量子产率高、发光光谱尖锐的发光材料以及发光效率、颜
色纯度及耐久性高的发光元件。
具体实施方式
[0030]以下对本专利技术的吡咯亚甲基硼络合物、含有其的发光元件、显示装置及照明装置的优选的实施方式进行详细说明。其中，本专利技术并不限定于以下的实施方式，可根据目的或用途进行各种变更来实施。
[0031]＜吡咯亚甲基硼络合物＞
[0032]本专利技术的吡咯亚甲基硼络合物是由通式(1)所表示。
[0033][化3][0034][0035]R1～R6分别独立地选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、硅氧烷基及氧硼基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。其中，R1～R4中的至少一个为氢原子或烷基。
[0036]X1及X2分别独立地选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。
[0037]R7是由下述通式(2)所表示。
[0038][化4][0039][0040]R8～R
10
分别独立地选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、氧硼基及氧化膦基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。
[0041]R
11
选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、氧硼基及氧化膦基所组成的群组中。这些基可进一步具有取代基。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种吡咯亚甲基硼络合物，是由通式(1)所表示：[化1]R1～R6分别独立地选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、硅氧烷基及氧硼基所组成的群组中；这些基可进一步具有取代基；其中，R1～R4中的至少一个为氢原子或烷基；X1及X2分别独立地选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中；这些基可进一步具有取代基；R7是由下述通式(2)所表示；[化2]R8～R
10
分别独立地选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、氧硼基及氧化膦基所组成的群组中；这些基可进一步具有取代基；R
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选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基、氧硼基及氧化膦基所组成的群组中；这些基可进一步具有取代基；Ar1为经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。2.根据权利要求1所述的吡咯亚甲基硼络合物，其中R
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为经取代或未经取代的芳基、或...

【专利技术属性】
技术研发人员：星野秀尭，长尾和真，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：