一种功率器件超薄晶圆先进封装工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种功率器件超薄晶圆先进封装工艺，将所述功率器件超薄晶圆的背面贴膜，形成粘贴层；在粘贴层的位置贴敷引线框架；在引线框架之间，以及引线框架与所述功率器件超薄晶圆之间进行塑封，形成塑封层；在所述导电柱和所述引线框架的表面进行电镀形成电镀层；将封装好的功率器件超薄晶圆依次进行切筋、测试、包装；本发明专利技术晶圆封装过程简单，稳定性好，因为在引线框架和引线框架之间，以及引线框架与所述功率器件超薄晶圆之间进行塑封，所以不易发生封装结构的变形，从而更好的保护封装结构，防止失效。防止失效。防止失效。

An advanced packaging process for ultra-thin wafer of power devices

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件超薄晶圆先进封装工艺


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种功率器件超薄晶圆先进封装工艺。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。电子设备实现预设功能的主要部件是芯片，随着集成电路技术的不断进步，芯片的集成度越来越高，芯片的功能越来越强大，而芯片的尺寸越来越小，故芯片需要通过封装，形成封装结构，以便于芯片与外部电路电连接。 芯片也可以将多个不同功能的逻辑元件、模拟元件、有源元件，以及无源元件、微机电系统、光学元件等其他元件，组合到一个单元中，形成一个可提供多种功能的系统或子系统，不同IC集成，可以实现更复杂的系统，使相同功能下的芯片尺寸更小，设计周期、市场周期更短，成本较低。 晶圆级系统封装是在衬底上完成封装集成制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。
[0003]现有技术中的晶圆封装方法过程复杂、稳定性差，在外力或者热冲击之下，封装结构可能会发生变形，塑封体内部，基板与芯片之间都可能产生较大的应力，严重时可能会导致芯片封装结构失效。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是现有技术中的晶圆封装方法过程复杂、稳定性差，在外力或者热冲击之下，封装结构可能会发生变形，塑封体内部，基板与芯片之间都可能产生较大的应力，严重时可能会导致芯片封装结构失效，本专利技术提供了一种功率器件超薄晶圆先进封装工艺来解决上述问题。
[0005]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种功率器件超薄晶圆先进封装工艺，包括以下步骤，S1，在wafer的正面形成供导电金属生长的种子层；S2，在所述种子层的表面涂覆光刻胶；S3，通过光刻机显影，光蚀掉引线区域的光刻胶，同时保留非引线区域的光刻胶；S4，在引线区域电镀出导电柱；S5，腐蚀掉非引线区域的种子层；S6，在非引线区域上通过绝缘保护层填充至与所述导电柱齐平；S7，在绝缘保护层和所述导电柱的上方涂覆保护膜；S8， 将所述wafer的背面减薄；S9，去除保护膜；S10，将wafer的背面金属化从而形成功率器件超薄晶圆；S11，将所述功率器件超薄晶圆的背面贴膜，形成粘贴层；S12，在粘贴层的位置贴敷引线框架；S13，在引线框架之间，以及引线框架与所述功率器件超薄晶圆之间进行塑封，形成塑封层；S14，在所述导电柱和所述引线框架的表面进行电镀形成电镀层；S15，将封装好的功率器件超薄晶圆依次进行切筋、测试、包装。
[0006]进一步地：所述种子层可替换材料为Ag、Cu、Sn、Ni、Ti或Au的可焊层。
[0007]进一步地：所述种子层或所述可焊层是通过溅射、电子束蒸发或化镀方式产生。
[0008]进一步地：所述导电柱的厚度为3
‑
500um。
[0009]进一步地：所述wafer减薄至厚度为10
‑
100um。
[0010]进一步地：所述功率器件超薄晶圆的厚度为13
‑
200um。
[0011]进一步地：所述导电柱的材料为Cu，所述导电柱的外表面涂覆材料为Sn、Ag、Au、Cu或Ni的金属层。
[0012]进一步地：所述绝缘保护层的材质为聚酰亚胺或阻焊绿油。
[0013]本专利技术的有益效果是，本专利技术晶圆封装过程简单，稳定性好，因为在引线框架和引线框架之间，以及引线框架与所述功率器件超薄晶圆之间进行塑封，所以不易发生封装结构的变形，从而更好的保护封装结构，防止失效。
附图说明
[0014]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。
[0015]图1是本专利技术的流程图；图2是S2中的结构示意图；图3是S8中的结构示意图；图4是S14中的结构示意图。
具体实施方式
[0016]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。相反，本专利技术的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。
[0017]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0018]此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0019]流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本专利技术的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本专利技术的实施例所属
的技术人员所理解。
[0020]如图1至图4所示，本专利技术提供了一种功率器件超薄晶圆先进封装工艺，包括以下
步骤，S1，在wafer的正面形成供导电金属生长的种子层；S2，在所述种子层的表面涂覆光刻胶；S3，通过光刻机显影，光蚀掉引线区域的光刻胶，同时保留非引线区域的光刻胶；S4，在引线区域电镀出导电柱；S5，腐蚀掉非引线区域的种子层；S6，在非引线区域上通过绝缘保护层填充至与所述导电柱齐平；S7，在绝缘保护层和所述导电柱的上方涂覆保护膜；S8， 将所述wafer的背面减薄；S9，去除保护膜；S10，将wafer的背面金属化从而形成功率器件超薄晶圆；S11，将所述功率器件超薄晶圆的背面贴膜，形成粘贴层；S12，在粘贴层的位置贴敷引线框架；S13，在引线框架之间，以及引线框架与所述功率器件超薄晶圆之间进行塑封，形成塑封层；S14，在所述导电柱和所述引线框架的表面进行电镀形成电镀层；S15，将封装好的功率器件超薄晶圆依次进行切筋、测试、包装。
[0021]晶圆封装过程简单，稳定性好，因为在引线框架和引线框架之间，以及引线框架与所述功率器件超薄晶圆之间进行塑封，所以不易发生封装结构的变形，从而更好的保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件超薄晶圆先进封装工艺，其特征在于：包括以下步骤，S1，在wafer的正面形成供导电金属生长的种子层；S2，在所述种子层的表面涂覆光刻胶；S3，通过光刻机显影，光蚀掉引线区域的光刻胶，同时保留非引线区域的光刻胶；S4，在引线区域电镀出导电柱；S5，腐蚀掉非引线区域的种子层；S6，在非引线区域上通过绝缘保护层填充至与所述导电柱齐平；S7，在绝缘保护层和所述导电柱的上方涂覆保护膜；S8， 将所述wafer的背面减薄；S9，去除保护膜；S10，将wafer的背面金属化从而形成功率器件超薄晶圆；S11，将所述功率器件超薄晶圆的背面贴膜，形成粘贴层；S12，在粘贴层的位置贴敷引线框架；S13，在引线框架之间，以及引线框架与所述功率器件超薄晶圆之间进行塑封，形成塑封层；S14，在所述导电柱和所述引线框架的表面进行电镀形成电镀层；S15，将封装好的功率器件超薄晶圆依次进行切筋、测试、包装。2.根据权利要求1所述的一种功率器件超薄晶圆先进封装工艺，其特征在于：所述种子层可替换...

【专利技术属性】
技术研发人员：任留涛，
申请(专利权)人：南通格普微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：