本实用新型专利技术涉及一种使内部参考电压、DCO和外部的OSC在使用上更精确的参数校正系统,参数校正系统由MSP430-参考电压参数校准、MSP430-DCO参数校准、MSP430-OSC参数校准等三个部分构成,MSP430-参考电压参数校准中的MSP430F2121电压校准主控制器与REF3212标准电压发生器的信号端连接;MSP430-DCO参数校准中的标准频率发生器的信号端与DCO校准主控制器的信号端连接MSP430-OSC参数校准中的标准频率发生器的信号端与MSP430的信号端连接。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种使内部参考电压、DCO和外部的OSC在使用上更精确的参数校正方 法及校正系统。技术背景目前MSP430 A/D内部参考电压(简称Vref )、 DC0和外部0SC的使用,在很大程度上 都会出现偏差,没有一个能够精确校正其参数的系统,直接影响MSP430的开发与应用。
技术实现思路
设计目的:避免
技术介绍
中的不足之处,设计一种用于MSP430 ,校准的参数校正系统。 设计方案由于MSP430的12bit A/D内部参考电压(简称Vref )、 DCO和外部OSC的使 用,在很大程度上都会出现偏差,主要体现在以下几个方面内部参考电压(简称Vref):以MSP430F449为例,内部的Vref在理论上应该是2. 5V或 1.5V,但实际上是每片内部都存在差异,其范围是2.4V-2.6V或1.44V-1.56V,为了减少使用 中的误差,所以要对内部Vref进行校准。内部DCO (简称DCO): MSP430内部DCO的频率会随环境温度和电压的变化而有所浮动, 为了能使得内部的DCO频率更精确,所以也要对内部DCO进行校准。外部晶体(简称OSC):对目前使用的外部晶体,尽管标称是5PPM、 IOPPM,但实际上本 身误差就都比较大,再加外部环境的影响,尤^S使用外部晶体作为万年历的时钟源,那误 差就相当大,为了得到精确的时钟源,就要求对外部OSC进行校准。为了实现上述设计目的。本技术在使用目标MCU前根据需要先将Vref、 DCO或OSC 校准程序下载到目标MCU中,然后执行校准程序,并将校准后实际的Vref、 DCO和OSC写到 固定的Information A中,这样可以方便用户使用,提高测量误差和提高时钟精度。技术方案参数校正系统,它包括MSP430芯片,其特征是由MSP430-电压参数校准控 制板、MSP430-DCO参数校准控制板、MSP43(M)SC参数校准控制板构成,(1)MSP430-电压 参数校准控制板中的MSP430F2121电压校准主控制器与REF3212标准电压发生器的信号端 连接;(2MSP430-DCO参数校准控制板中的标准频率发生器的信号端与DCO校准主控制器 的信号端连接;(3)MSP430-OSC参数校准控制板中的标准频率发生器的信号端与MSP430的信号端连接。本技术与
技术介绍
相比,不仅内部Vref校准精确,而且内部DCO校准精确,同时外 部OSC校准精确。附图说明图1是参数校正系统的结构示意图。图2是接口电路的结构示意图。图3是MSP430内部参考电压校准的结构示意图。图4是MSP430内部DCO校准的结构示意图。图5是MSP430外部OSC校准的结构示意图。图6是参数校正系统的电路原理示意图。图7是Frg信号示意图。具体实施方式实施例l:参照附图1 7。参数校正系统,它包括MSP430芯片由MSP430-电压参数校 准控制板、MSP430-DCO参数校准控制板、MSP430-OSC参数校准控制板构成,(DMSP430-电压参数校准控制板中的MSP430F2121电压校准主控制器与REF3212标准电压发生器的信 号端连接;(2MSP430-DCO参数校准控制板中的标准频率发生器的信号端与DCO校准主控 制器的信号端连接;(3)MSP430-OSC参数校准控制板中的标准频率发生器的信号端与MSP 430的信号端连接。MSP430内部参考电压校准(以F449内部ADC12为例)。MSP430内部的ADC12的参考电压有1. 5V和2. 5V,但因内部偏差的原因,1. 5V的参考电 压的范围在1. 4V-1. 6V,而2. 5V的参考电压的范围在2. 44V-2. 56V,这样,在做AD采样前 应该先对内部参考电压进行校准,这里我们釆用的方法是在AD的AO通道输入1. 25V的标 准电压信号,然后利用内部的1. 5V或2. 5V参考电压去采样标准的1. 25V输入电压,然后通 过AD釆样值1.5Jalue、 2. 5—Value,计算出当前MSP430内部ADC12的参考电压实际值,具 体计算公式如下J^e/ 1.5 = 4095*~^~ 禾卩^e/ 2.5 = 4095*~^~ 公式1 _ 1, Ja/we 一 2.5F_F / e公式说明Vref是外部模式输入稳定的1.5V; Vref—]. 5是校准以后的内部参考电压; Vref一2. 5是校准以后的内部参考电压;1. 5V—Value是模式输入电压为1. 5V,内部参考为1. 5V 时的釆样值;2. 5V—Value是模式输入电压为1. 5V,内部参考为2. 5V时的采样值;通过上面 公式计算出实际的内部参考电;Vref—1. 5和Vref—2. 5,并将结果写入内部Information A 的1000H。以便客户使用时提髙转换精度。MSP430内部DCO校准(以MSP43OF2013为例)MSP430内部的DCO是一个数字振荡器,其DCO的频率会随温度和电压的波动而变化, 所以在有些通讯或定时要求时间精度比较高的场合,校准DCO是完全有必要的。下面以MSP430F20i3单片机为例,讨论DCO的校准方法,通过下图可以看出DCO的校准 原理是,标准10朋z晶体通过主控制器MSP430F2121分频以后输出Frg-lKHz的时钟信号,然 后将lKHz的时钟信号输入到MSP430F2013单片机定时器TA捕获外部信号输入端,通过软件 选择Frg-lKHz为定时器TA捕获的外部信号,选择待校准的DCO为基本定时器的时钟源,这 样可以通过TA来捕获Frg信号,然后通过公式计算得出DCO的实际值,具体分析见附图7。首先是测量的基本原理现在用内部的DCO时钟DCOCLOCK来捕获Frg信号,捕获模式选 择上升沿捕获,当定时器TA检测到Frg信号的第一个t升沿吋,记录此时定时器的计数值为 TAR1 ,紧接着当定时器TA检测到Frg的第二个上升沿时,再记录此时定时器的计数值为TAR2, Frg信号的两个上升沿之间的时间差即为Frg的 一个周期l/Frg=lmS,所以TAc二TAR2—TRA 1 也就是TA在lms内计数的个数,也就是捕获Frg的一个周期所需要的DC0CL0CK的个数,即 DC0CL0CK/Frg=TAc,这样TA的时钟源DCO的频率DC0CL0CK=TAc*Frg;基于以上基本原理,假如釆用DCOCLOCK=lMHz作为TA的时钟源,捕获的信号仍然为 Frg=lKHz,, TA来捕获Frg信号的1000个周期,这样TA计数的个数应该是1000000个,也 就是DCOCLOCK,依次类推,只要我们捕获的信号为Frg,为了提高测量的精度,捕获Frg信 号的N个周期(理论上N越大越好),最后得到计数器的计数值Ta一Couter,然后计算实际 DCOCLOCK值,并写入Information A中。 计算公式如下<formula>formula see original document page 5</formula> 公式2公式说明DCOCLOCK是DCOCLOCK的测量值N是用TA捕获Frg周期的个数Frg是外部输入的捕获的信号为频率为IKTa_C本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种参数校正系统,它包括MSP430芯片,其特征是由MSP430-参考电压参数校准、MSP430-DCO参数校准、MSP430-OSC参数校准等三个部分构成,(1)MSP430-参考电压参数校准中的MSP430F2121电压校准主控制器与REF3212标准电压发生器的信号端连接;(2)MSP430-DCO参数校准中的标准频率发生器的信号端与DCO校准主控制器的信号端连接(3)MSP430-OSC参数校准中的标准频率发生器的信号端与MSP430的信号端连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:梁源,贾灵,周震宇,陈秋煌,张冲,孙瑶,
申请(专利权)人:杭州利尔达科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:86[中国|杭州]
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