一种半导体晶圆清洗用排风系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种半导体晶圆清洗用排风系统，包括清洗机，清洗机的内部设置有清洗工位区、负压风机，清洗机的顶部嵌设有正压送风机，清洗机的内部还设置有第一通气区、第二通气区，所述第二隔板的尾部设置有用来连通第二通气区与第一通气区的第二通孔；第二通气区的首部与清洗工位区之间通过第一隔板隔开，第一隔板的下部设置有用来连通第二通气区与清洗工位区的第三通孔。所述半导体晶圆清洗用排风系统通过设置正压送风机、第一通气区、第二通气区等结构、部件，在对清洗工位区进行排风的过程中，仍使得清洗工位区的上部存在正压差，从而使得清洗工位区下部清洗设备产生的废汽不易上溢，从而提高设备的使用寿命。从而提高设备的使用寿命。从而提高设备的使用寿命。

An exhaust system for semiconductor wafer cleaning

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆清洗用排风系统


[0001]本技术涉及一种半导体晶圆清洗用排风系统，属于半导体晶圆清洗


技术介绍

[0002]晶圆清洗，将晶圆在不断被加工成形及抛光处理的过程中，由于与各种有机物、粒子及金属接触而产生的污染物清除的工艺。是晶圆制造过程中的一个重要工艺步骤。
[0003]目前晶圆清洗所使用的设备有很多，如超声波清洗槽、浸泡清洗槽、喷淋清洗槽、兆声清洗槽、电化学清洗等。由于在半导体晶圆的清洗过程中，通常需要使用各种药液，如酸(硝酸、氢氟酸)、碱(氢氧化钠、氨水)等清洗液，在清洗过程中，通常会产生不少废汽。现有的清洗机，在清洗机内的清洗工位区进行排风通常都是采用负压风机，利用负压风机将清洗工位区的废汽排放至指定区域。但是，由于在清洗工位区，除了安装有清洗设备，如超声波清洗槽，其上方通常还安装有用来搬运半导体晶圆的机械手，这使得清洗工位区所在的空间非常大，而且超声波清洗槽会外溢一些向上流动，导致位于清洗工位区上部区域的设备(如机械手)长期处于废汽环境，导致老化严重。

技术实现思路

[0004]本技术针对现有技术存在的不足，提供了一种半导体晶圆清洗用排风系统，具体技术方案如下：
[0005]一种半导体晶圆清洗用排风系统，包括清洗机，所述清洗机的内部设置有清洗工位区、用来对清洗工位区进行排风的负压风机，所述负压风机固定安装在清洗机的外侧；所述清洗机的顶部嵌设有正压送风机，所述正压送风机的输出端与清洗工位区连通；所述清洗机的内部还设置有位于清洗工位区一侧的第一通气区、位于第一通气区下方的第二通气区，所述第一通气区的首部与清洗工位区之间通过设置第一隔板隔开，所述第一通气区的尾部设置有与负压风机相连通的第一通孔；所述第二通气区与第一通气区之间通过设置第二隔板隔开，所述第二隔板的尾部设置有用来连通第二通气区与第一通气区的第二通孔；所述第二通气区的首部与清洗工位区之间通过第一隔板隔开，所述第一隔板的下部设置有用来连通第二通气区与清洗工位区的第三通孔。
[0006]作为上述技术方案的改进，所述第二通孔的一端延伸至第一隔板，所述第二通孔的另一端与第二通气区的尾部之间设置有间距。
[0007]作为上述技术方案的改进，所述第三通孔的下端延伸至第二通气区的下端，所述第三通孔的上端与第二通孔之间设置有间距。
[0008]作为上述技术方案的改进，所述清洗工位区的容积大于第一通气区的容积，所述第一通气区的容积与第二通气区的容积之比为(3～4):1。
[0009]作为上述技术方案的改进，所述第一隔板的下端连接有活动式折板组件，所述活动式折板组件包括呈竖直设置的板状电磁铁，所述电磁铁的上端与第一隔板的下端固定连
接，所述电磁铁的左右两侧分别设置有呈倾斜设置的挡板，第一块挡板设置在第二通气区的内部，第二块挡板设置在清洗工位区的内部；所述挡板包括板体，所述板体的上端与第一隔板的下端铰接，所述板体上段的内部嵌入有板状永磁铁。
[0010]本技术所述半导体晶圆清洗用排风系统通过在现有的清洗机内部设置正压送风机、第一通气区、第二通气区等结构、部件，在对清洗工位区进行排风的过程中，仍能使得清洗工位区的上部存在正压差，从而使得清洗工位区下部清洗设备产生的废汽不易上溢，从而提高设备的使用寿命。
附图说明
[0011]图1为本技术所述半导体晶圆清洗用排风系统的结构示意图；
[0012]图2为本技术所述清洗工位区、第一通气区、第二通气区的分布示意图；
[0013]图3为本技术所述活动式折板组件与第一隔板的连接示意图。
具体实施方式
[0014]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0015]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0016]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0017]实施例1
[0018]如图1所示，所述半导体晶圆清洗用排风系统，包括清洗机10，所述清洗机10的内部设置有清洗工位区11、用来对清洗工位区11进行排风的负压风机14，所述负压风机14固定安装在清洗机10的外侧。在本实施中，清洗工位区11处可安装有超声波清洗槽。
[0019]所述清洗机10的顶部嵌设有正压送风机16，所述正压送风机16的输出端与清洗工位区11连通；所述清洗机10的内部还设置有位于清洗工位区11一侧的第一通气区12、位于第一通气区12下方的第二通气区13，所述第一通气区12的首部与清洗工位区11之间通过设置第一隔板15隔开，所述第一通气区12的尾部设置有与负压风机14相连通的第一通孔121；所述第二通气区13与第一通气区12之间通过设置第二隔板17隔开，所述第二隔板17的尾部设置有用来连通第二通气区13与第一通气区12的第二通孔171；所述第二通气区13的首部与清洗工位区11之间通过第一隔板15隔开，所述第一隔板15的下部设置有用来连通第二通
气区13与清洗工位区11的第三通孔151。
[0020]其中，第一隔板15呈竖直设置，所述第二隔板17呈水平设置。负压风机14可选山东蓝能环保科技有限公司的FG型正压风机，其风量为27000m3/h。正压送风机16可选山东蓝能环保科技有限公司的ZG型正压风机，其风量为40m3/min，升压8
‑
101kPa。
[0021]当清洗工位区11处的超声波清洗槽对半导体晶圆进行清洗之前，启动正压送风机16和负压风机14，
[0022]正压送风机16向下方的清洗工位区11输送外界的风，负压风机14能够将第一通气区12处的气体抽出，负压风机14的输出端外接用来净化废气的空气净化器，对废气进行净化处理。清洗工位区11内的气体依次通过第三通孔151、第二通气区13、第二通孔171、第一通气区12、第一通孔121，最终被负压风机14抽出，上述气体流动通道较为曲折，这使得清洗工位区11的上部能够在正压送风机16的作用下，保持正压(大于大气压)，气压差通常在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆清洗用排风系统，包括清洗机(10)，所述清洗机(10)的内部设置有清洗工位区(11)、用来对清洗工位区(11)进行排风的负压风机(14)，所述负压风机(14)固定安装在清洗机(10)的外侧，其特征在于：所述清洗机(10)的顶部嵌设有正压送风机(16)，所述正压送风机(16)的输出端与清洗工位区(11)连通；所述清洗机(10)的内部还设置有位于清洗工位区(11)一侧的第一通气区(12)、位于第一通气区(12)下方的第二通气区(13)，所述第一通气区(12)的首部与清洗工位区(11)之间通过设置第一隔板(15)隔开，所述第一通气区(12)的尾部设置有与负压风机(14)相连通的第一通孔(121)；所述第二通气区(13)与第一通气区(12)之间通过设置第二隔板(17)隔开，所述第二隔板(17)的尾部设置有用来连通第二通气区(13)与第一通气区(12)的第二通孔(171)；所述第二通气区(13)的首部与清洗工位区(11)之间通过第一隔板(15)隔开，所述第一隔板(15)的下部设置有用来连通第二通气区(13)与清洗工位区(11)的第三通孔(151)。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆清洗用排风系统，其特征在于：所述第二通孔(...

【专利技术属性】
技术研发人员：王强，
申请(专利权)人：大正华嘉科技香河有限公司，
类型：新型
国别省市：