一种微型发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微型发光二极管芯片，包括透明基板，透明基板上设置有第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元上和第二发光单元上设置有焊接柱，第一发光单元与第二发光单元之间设置有隔离区；第一发光单元的第一半导体层上设置有第一导电层，第一发光单元的第一导电层上设置有第一接触金属层，第二发光单元的第一半导体层上设置有第二导电层，第二发光单元的第二半导体层上设置有第二接触金属层，第一焊接柱通过第一接触金属层与第一发光单元的第一半导体层电连接，第二焊接柱通过第二接触金属层与第二发光单元的第二半导体层电连接。本实用新型专利技术将单芯片分区，避免了单个发光芯片因漏电而引起的缺亮，降低了后期的返修次数。返修次数。返修次数。

A miniature LED chip

【技术实现步骤摘要】
一种微型发光二极管芯片


[0001]本技术涉及半导体发光二极管
，特别涉及一种微型发光二极管芯片。

技术介绍

[0002]LED显示应用随着单位面积发光效率的提升，已从户外到户内显示，再到户内小间距，及Mini/Micro LED的近场微显示逐步实现。LED芯片技术随着海兹规律的发展，芯片尺寸也在往更小的尺度演变。特别是在超高清显示应用领域，需要使发光单元的间距和尺寸更小。
[0003]LED芯片作为最重要的显示发光单元，已经广泛使用。特别是在户外显示领域，正装焊线的芯片结构工艺已非常成熟。当到户内小间距和超小间距（<P1.0），Mini/microLED的LED芯片因发光面积小，传统正装焊线的芯片结构已经被抛弃，倒装结构和垂直结构正在被大量研究开发，但小尺寸倒装结构芯片正负焊盘间距小，难识别，转移焊接伴随精确性，小尺寸芯片边缘效应引起的漏电等异常现象；垂直结构因芯片尺寸问题，在固晶和批量转移封装方面面临巨大挑战。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是克服现有技术缺陷，提供一种微型发光二极管芯片，优化了芯片结构，同时将单芯片分区，避免了单个发光芯片因漏电而引起的缺亮，降低了后期的返修次数。
[0005]本技术的目的是这样实现的：一种微型发光二极管芯片，包括透明基板，其特征在于，所述透明基板上设置有第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元上设置有第一焊接柱，所述第二发光单元上设置有第二焊接柱，所述第一焊接柱和第二焊接柱的焊接面等高；所述第一发光单元与第二发光单元之间设置有隔离区；所述第一发光单元和第二发光单元均包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一发光单元的第一半导体层上设置有第一导电层，所述第一发光单元的第一导电层上设置有第一接触金属层，所述第二发光单元的第一半导体层上设置有第二导电层，所述第二发光单元的第二半导体层上设置有第二接触金属层，所述第一焊接柱通过第一接触金属层与第一发光单元的第一半导体层电连接，所述第二焊接柱通过第二接触金属层与第二发光单元的第二半导体层电连接。
[0006]本技术采用以上技术方案，与现有技术相比，有益效果为：该芯片设置有两个发光单元，在使用过程中能有效降低整颗芯片失效的异常现象，其中一个发光单元作为另一个相邻发光单元的备份；该芯片结构便于转移定位、提高焊接良率，本技术优化了芯片结构，同时将单芯片分区，避免了单个发光芯片因漏电而引起的缺亮，降低了后期的返修次数，可以在芯片转移时提高转移成功率，并能降低芯片因漏电缺亮而引起的失效率。
[0007]为了避免第二发光单元的第一半导体和第二半导体电连接，所述第二发光单元中
的第二导电层上设有内孔。
[0008]进一步的，所述隔离区和第二发光单元的侧墙上设置有透明绝缘层。
[0009]进一步的，所述第一发光单元的第二半导体层、隔离区和第二发光单元的第二导电层上覆盖有第三接触金属层，所述第一发光单元的第二半导体层和第二发光单元的第一半导体层通过第三金属层电连接。
[0010]进一步的，所述第一发光单元、第二发光单元和隔离区上均覆盖有介质绝缘层，所述介质绝缘层通过开设通孔与第一接触金属层和第二接触金属层接触。
[0011]进一步的，所述第一焊接柱和第二焊接柱为圆柱形，所述第一焊接柱和第二焊接柱平行于焊接面的剖面为圆形。
[0012]进一步的，所述第一焊接柱和第一发光单元的接触面边缘不超过第一发光单元的第一半导体层的边缘，所述第二焊接柱和第二发光单元的接触面边缘不超过第二发光单元的第一半导体层边缘。
[0013]进一步的，所述第一焊接柱和第二焊接柱的厚度大于10μm，小于80μm；
[0014]进一步的，所述第一焊接柱和第二焊接柱为上小下大的圆台结构，所述第一焊接柱和第二焊接柱的焊接面为小于与发光单元接触面的圆形锥台。
附图说明
[0015]图1为本技术实施例一的剖面示意图。
[0016]图2为本技术实施例一基本结构剖面示意图。
[0017]图3为本技术实施例一的基本结构剖面示意图。
[0018]图4为本技术实施例一的俯视示意图。
[0019]图5为本技术实施例一的俯视示意图。
[0020]图6为本技术实施例一的俯视示意图。
[0021]图7为本技术实施例一的俯视示意图。
[0022]图8为本技术实施例二的剖面示意图。
[0023]图9为本技术实施例二的俯视示意图。
[0024]图10为本技术实施例二的俯视示意图。
[0025]其中，000透明基板，a第一发光单元，001a第一焊接柱，002a第一半导体层，003a发光层，004a第二半导体层，101a第一导电层，102a第一接触金属层，b发光单元，002b第一半导体层，003b发光层，004b第二半导体层，101b第二导电层，102b第二接触金属层，001b第一焊接柱，102c第三接触金属层，103透明绝缘层，100介质绝缘层。
具体实施方式
[0026]实施例为一：
[0027]如图1所示的一种微型发光二极管芯片，包括透明基板000，透明基板00上设置有第一发光单元a和第二发光单元b，第一发光单元a上设置有第一焊接柱001a，第二发光单元b上设置有第二焊接柱001b，第一焊接柱001a和第二焊接柱001b的焊接面等高，第一发光单元a与第二发光单元b之间设置有隔离区G；
[0028]第一发光单元a包括第一半导体层002a、发光层003a和第二半导体层004a，第二发
光单元b包括第一半导体层002b、发光层003b和第二半导体层004b；第一发光单元a的第一半导体层002a上设置有第一导电层101a，第一发光单元a的第一导电层101a上设置有第一接触金属层102a，第二发光单元b的第一半导体层002b上设置有第二导电层101b，第二发光单元b的第二半导体层004b上设置有第二接触金属层102b，第一焊接柱001a通过第一接触金属层102a与第一发光单元a的第一半导体层002a电连接，第二焊接柱001b通过第二接触金属102b层与第二发光单元b的第二半导体层004b电连接；第二发光单元b中的第二导电层101b上设有内孔，隔离区G和第二发光单元b的侧墙上设置有透明绝缘层103；第一发光单元a的第二半导体层004a、隔离区G和第二发光单元b的第二导电层101b上覆盖有第三接触金属层102c，第一发光单元a的第二半导体层004a和第二发光单元b的第一半导体层002b通过第三金属层102c电连接；第一发光单元a、第二发光单元b和隔离区G上均覆盖有介质绝缘层100，介质绝缘层100通过开设通孔与第一接触金属层102a和第二接触金属层102b接触，第二焊接柱下方无与第一半导体层电连的接触金属层出现位置上的重叠；第一接触金属层102a、第一发光单元a的第一导电层002a与第二接触金属层102b、第二发光单元b本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管芯片，包括透明基板，其特征在于，所述透明基板上设置有第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元上设置有第一焊接柱，所述第二发光单元上设置有第二焊接柱，所述第一焊接柱和第二焊接柱的焊接面等高；所述第一发光单元与第二发光单元之间设置有隔离区；所述第一发光单元和第二发光单元均包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一发光单元的第一半导体层上设置有第一导电层，所述第一发光单元的第一导电层上设置有第一接触金属层，所述第二发光单元的第一半导体层上设置有第二导电层，所述第二发光单元的第二半导体层上设置有第二接触金属层，所述第一焊接柱通过第一接触金属层与第一发光单元的第一半导体层电连接，所述第二焊接柱通过第二接触金属层与第二发光单元的第二半导体层电连接。2.根据权利要求1所述的一种微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第二发光单元中的第二导电层上设有内孔。3.根据权利要求1所述的一种微型发光二极管芯片，其特征在于，所述隔离区和第二发光单元的侧墙上设置有透明绝缘层。4.根据权利要求1所述的一种微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第一发光单元的第二半导体层、隔离区和...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅春花，金豫浙，张海燕，
申请(专利权)人：扬州大学广陵学院，
类型：新型
国别省市：