一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片制造技术

本实用新型专利技术提供一种光刻对准标记图形结构，包括：多个外对准标记槽，设于晶圆表面；以及多个内对准标记槽，设于所述晶圆表面；其中，所述外对准标记槽包括依次相连的多个连接沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状；所述内对准标记槽包括依次相连的多个连通沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述内对准标记槽为中间部分向外凸出的形状。通过本实用新型专利技术公开的一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变。轮廓畸变。轮廓畸变。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片


[0001]本技术涉及半导体外延生长
，特别是涉及一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片。

技术介绍

[0002]光刻对准标记图形结构是用来定义光罩与晶圆之间的位置与方向，在晶圆的制造过程中起到关键的作用。在高压或者大功率器件制备中，一般采用外延层生长技术来达到需求，而在外延生长过程中，温度或者外延生长速率都会影响光刻对准标记结构产生形变，轮廓失真，从而产生畸变轮廓。而光刻对准标记结构出现畸变轮廓时，会严重影响对准精度，从而影响产品的质量

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，本技术能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变，从而提高对准精度。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种光刻对准标记图形结构，包括：
[0005]多个外对准标记槽，设于晶圆上；以及
[0006]多个内对准标记槽，设于所述晶圆上；
[0007]其中，所述外对准标记槽包括依次相连的多个连接沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状；
[0008]所述内对准标记槽包括依次相连的多个连通沟槽，所述内对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状。
[0009]在本技术一实施例中，所述外对准标记槽包括依次相连的第一外槽、第三外槽、第二外槽以及第四外槽。
[0010]在本技术一实施例中，所述第三外槽为凸形结构。
[0011]在本技术一实施例中，所述第四外槽为凸形结构。
[0012]在本技术一实施例中，所述内对准标记槽包括依次相连的第一内槽、第三内槽、第二内槽以及第四内槽。
[0013]在本技术一实施例中，所述第三内槽为凸形结构。
[0014]在本技术一实施例中，所述第四内槽为凸形结构。
[0015]在本技术一实施例中，多个所述内对准标记槽等距排列。
[0016]在本技术一实施例中，相邻的所述外对准标记槽、所述内对准标记槽之间的间距与相邻的两个所述内对准标记槽之间的间距大小相等。
[0017]本技术还提供一种半导体晶片，包括：
[0018]晶圆；
[0019]光刻对准标记图形结构，设于所述晶圆上；以及
[0020]外延层，覆盖于所述晶圆与所述光刻对准标记图形结构上；
[0021]其中，所述光刻对准标记图形结构包括
[0022]多个外对准标记槽，设于晶圆上；以及
[0023]多个内对准标记槽，设于所述晶圆上；
[0024]其中，所述外对准标记槽包括依次相连的多个连接沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状；
[0025]所述内对准标记槽包括依次相连的多个连通沟槽，所述内对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状。
[0026]如上所述，本技术提供一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片，在外延生长过程中，外延层会均匀覆盖在光刻对准标记图形结构内，从而能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变，从而提高对准精度，在一定程度上提升产品的品质。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1显示为本技术的一种光刻对准标记图形结构的结构示意图。
[0029]图2显示为本技术的一种光刻对准标记图形结构另一视角的结构示意图。
[0030]图3显示为图2的正视图。
[0031]图4显示为图3中A部分放大的结构示意图。
[0032]元件标号说明：
[0033]10、晶圆；
[0034]20、外对准标记槽；21、第一外槽；22、第二外槽；23、第三外槽；231、第一外L形槽；232、第二外L形槽；233、第一外连接沟槽；24、第四外槽；241、第三外L形槽；242、第四外L形槽；243、第二外连接沟槽；
[0035]30、内对准标记槽；31、第一内槽；32、第二内槽；33、第三内槽；331、第一内L形槽；332、第二内L形槽；333、第一内连接沟槽；34、第四内槽；341、第三内L形槽；342、第四内L形槽；343、第二内连接沟槽。
具体实施方式
[0036]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0037]请参阅图1
‑
4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且
其组件布局型态也可能更为复杂。
[0038]请参阅图1及图2所示，本技术提供了一种光刻对准标记图形结构，其可应用于晶圆上。晶圆是指制作半导体电路所用的晶圆片，其材料可以是硅或者其他半导体材料。光刻对准标记图形结构是置于掩模版和晶圆片上，并用于确定它们的位置和方向的可见图形结构。光刻对准标记图形结构可包括多个外对准标记槽20与多个内对准标记槽30。其中，外对准标记槽20的数量可以为例如两个，内对准标记槽30的数量可以为例如四个。外对准标记槽20可设于晶圆10上，内对准标记槽30也可设于晶圆10上。
[0039]请参阅图1及图2所示，在本技术的一个实施例中，相邻的外对准标记槽20与内对准标记槽30之间的间距大小可不加限制，例如两者间距可以在例如1～5um的范围之间。具体的，相邻的外对准标记槽20与内对准标记槽30之间的间距可以为例如2um，也可以为例如3um，还可以为例如4um。在本实施例中，可选的，相邻的外对准标记槽20与内对准标记槽30之间的间距为例如3um。相邻的两个内对准标记槽30之间的间距大小可不加限制，例如两者间距可以在例如1～5um的范围之间。具体的，相邻的两个内对准标记槽30之间的间距可以为例如2um，也可以为例如3um，还可以为例如4um。在本实施例中，可选的，相邻的两个内对准标记槽30之间的间距为例如3um。
[0040]请参阅图3所示，在本技术的一个实施例中，外对准标记槽20为中心对称结构，且外对准标记槽20为中间部分向外凸出的形状。具体的，外对准标记槽20可包括依次相连的四个连接沟槽，四个连接沟槽可依次为第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻对准标记图形结构，其特征在于，包括：多个外对准标记槽，设于晶圆表面；以及多个内对准标记槽，设于所述晶圆表面；其中，所述外对准标记槽包括依次相连的多个连接沟槽，所述外对准标记槽为中心对称结构，且所述外对准标记槽为中间部分向外凸出的形状；所述内对准标记槽包括依次相连的多个连通沟槽，所述内对准标记槽为中心对称结构，且所述内对准标记槽为中间部分向外凸出的形状。2.根据权利要求1所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述外对准标记槽包括依次相连的第一外槽、第三外槽、第二外槽以及第四外槽。3.根据权利要求2所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述第三外槽为凸形结构。4.根据权利要求2所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述第四外槽为凸形结构。5.根据权利要求1所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述内对准标记槽包括依次相连的第一内槽、第三内槽、第二内槽以及第四内槽。6.根据权利要求5所述的光刻对准标记图形结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张曼，黄浩玮，吴秋果，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：