一种高温炉制造技术

本说明实施例公开了一种高温炉，所述高温炉包括：炉腔；测温窗；测温腔体，所述测温腔体包括第一端、主体部分和第二端，其中，所述测温窗设置于所述第一端，所述第二端用于与炉腔连接；进气口，所述进气口设置于所述第一端，所述进气口用于向所述测温腔体内通入气体；出气口，所述出气口设置于所述第二端，所述出气口用于将所述气体通入所述炉腔中，其中，所述出气口的直径小于所述主体部分的直径。气口的直径小于所述主体部分的直径。气口的直径小于所述主体部分的直径。

A high temperature furnace

【技术实现步骤摘要】
一种高温炉


[0001]本说明书涉及高温炉
，特别涉及一种利于测温的高温炉。

技术介绍

[0002]高温炉在熔炼、焙烧、材料制备等工业生产中有着广泛应用，通过在加热过程中对高温炉的炉内温度进行监测，可以控制炉内温度的稳定性，提高工业生产的工艺水平。一般可以通过红外测温方式实现温度的监测。然而，在加热过程中炉内原料或杂质易挥发，由于气相组分运动，导致红外测温窗附近沉积杂质，影响温度监测的准确性。因此，有必要提供一种高温炉，实现对高温炉温度的精确监测。

技术实现思路

[0003]本说明书实施例公开了一种高温炉，所述高温炉包括：炉腔；测温窗；测温腔体，所述测温腔体包括第一端、主体部分和第二端，其中，所述测温窗设置于所述第一端，所述第二端用于与炉腔连接；进气口，所述进气口设置于所述第一端，所述进气口用于向所述测温腔体内通入气体；出气口，所述出气口设置于所述第二端，所述出气口用于将所述气体通入所述炉腔中，其中，所述出气口的直径小于所述主体部分的直径。
[0004]在一些实施例中，所述主体部分的直径小于所述炉腔的直径。
[0005]在一些实施例中，所述第一端和/或所述第二端的直径小于所述主体部分的直径。
[0006]在一些实施例中，所述出气口的直径小于所述进气口的直径。
[0007]在一些实施例中，所述高温炉还包括加热器，所述加热器用于加热所述主体部分。
[0008]在一些实施例中，所述高温炉还包括冷却器，所述冷却器用于冷却所述第二端。
[0009]在一些实施例中，所述高温炉还包括第一沉积腔，所述第一沉积腔与所述炉腔连通。
[0010]在一些实施例中，所述第一沉积腔内的温度低于所述炉腔内的温度。
[0011]在一些实施例中，所述高温炉还包括第二沉积腔，所述第二沉积腔与所述第二端连通。
[0012]在一些实施例中，所述第二沉积腔内的温度低于所述炉腔内的温度和所述测温腔体内的温度，并且所述第二沉积腔内的压力低于所述测温腔体内的压力。
附图说明
[0013]图1是本说明书第一部分实施例的示例性高温炉的结构示意图。
[0014]图2是本说明书第二部分实施例的示例性高温炉的结构示意图。
[0015]图3是本说明书第三部分实施例的示例性高温炉的结构示意图。
[0016]图4是本说明书第四部分实施例的示例性高温炉的结构示意图。
[0017]图5是本说明书第五部分实施例的示例性高温炉的结构示意图。
[0018]图6是本说明书第六部分实施例的示例性高温炉的结构示意图。
[0019]附图标记说明：1为测温窗；2为测温腔体；21为第一端；22为主体部分；23为第二端；24为进气口；25为出气口；26为加热器；27为冷却器；28为第一沉积腔；29为第二沉积腔；3为炉腔。
具体实施方式
[0020]为了更清楚地说明本说明书的实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其他类似情景。应当理解，给出这些示例性实施例仅仅是为了使相关领域的技术人员能够更好地理解进而实现本说明书，而并非以任何方式限制本说明书的范围。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
[0021]如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。本说明书中的“高温”可以指800℃以上的温度。
[0022]图1是本说明书第一部分实施例的示例性高温炉的结构示意图。下面为关于本说明书第一部分实施例的详细说明。
[0023]在第一部分实施例中，高温炉可以用于烧结处理（例如，硅片的烧结）。在第一部分实施例中，在烧结处理的过程中，炉腔3内的温度可以在1200℃
‑
2000℃。
[0024]在第一部分实施例中，高温炉可以用于焊接处理（例如，回流焊）。在第一部分实施例中，在焊接处理的过程中，炉腔3内的温度可以为800℃
‑
1600℃。
[0025]在第一部分实施例中，高温炉可以用于晶体生长（例如，半导体晶体（例如，碳化硅晶体）的生长）。例如，高温炉可以基于物理气相输运法（PVT）生长半导体晶体（例如，碳化硅）。
[0026]如图1所示，在第一部分实施例中，高温炉可以包括测温窗1和测温腔体2和炉腔3。在第一部分实施例中，高温炉可以用于检测炉腔3内（例如，位于炉腔3内的坩埚（图中未示出））的温度。在第一部分实施例中，在生长半导体晶体的过程中，炉腔3内（例如，位于炉腔3内的坩埚）的温度可以为1200℃
‑
1600℃。在第一部分实施例中，在生长半导体晶体的过程中，炉腔3内（例如，位于炉腔3内的坩埚）的温度可以为1200℃
‑
2000℃。在第一部分实施例中，在生长半导体晶体的过程中，炉腔3内（例如，位于炉腔3内的坩埚）的温度可以为800℃
‑
1600℃。
[0027]由于高温炉在工作过程中处于高温环境（例如，1200℃
‑
2000℃）中，采用传统的接触式测温会影响温度测量的准确性，因此可以通过非接触式的测温方式测量高温炉的温度。在第一部分实施例中，可以通过红外测温方式实现温度检测。测温窗1可以作为温度检测的窗口。例如，可以通过红外测温仪采集炉腔3内的坩埚的温度。在第一部分实施例中，测温窗1的材质可以包括红外测温玻璃（例如，氟化钡晶体玻璃）。
[0028]测温腔体2可以与炉腔3相连通，以实现炉腔3内的温度监测。在第一部分实施例中，测温腔体2可以包括第一端21、主体部分22和第二端23。
[0029]第一端21可以指测温腔体2的顶端部分。在第一部分实施例中，测温窗1可以设置
于第一端21。在第一部分实施例中，测温窗1可以设置于第一端21的上端面。
[0030]在第一部分实施例中，测温窗1可以与第一端21的上端面平行或基本平行。在第一部分实施例中，“基本平行”可以指测温窗1与第一端21的上端面之间的夹角在第一预设范围内。
[0031]在第一部分实施例中，第一预设范围可以是
‑
10
°
～10
°
。在第一部分实施例中，第一预设范围可以是
‑8°
～8
°
。在第一部分实施例中，第一预设范围可以是
‑6°
～6
°
。在第一部分实施例中，第一预设范围可以是
‑5°
～5
°
。在第一部分实施例中，第一预设范围可以是...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温炉，其特征在于，所述高温炉包括：炉腔；测温窗；测温腔体，所述测温腔体包括第一端、主体部分和第二端，其中，所述测温窗设置于所述第一端，所述第二端用于与所述炉腔连接；进气口，所述进气口设置于所述第一端，所述进气口用于向所述测温腔体内通入气体；出气口，所述出气口设置于所述第二端，所述出气口用于将所述气体通入所述炉腔中，其中，所述出气口的直径小于所述主体部分的直径。2.根据权利要求1所述的高温炉，其特征在于，所述主体部分的直径小于所述炉腔的直径。3.根据权利要求1所述的高温炉，其特征在于，所述第一端和/或所述第二端的直径小于所述主体部分的直径。4.根据权利要求1所述的高温炉，其特征在于，所述出气口的直径小于所述进气口的直径。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，徐豹，梁振兴，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：