带有温度补偿的锁相环制造技术

一种集成电路（ＩＣ）封装包括ＩＣ晶片和与ＩＣ晶片相邻布置的退火玻璃浆（ＡＧＰ）层。铸型材料封装了ＡＧＰ层和ＩＣ晶片的至少一部分。ＡＧＰ层被布置在ＩＣ晶片的至少一侧上。ＡＧＰ层被布置在ＩＣ晶片的至少一侧上的多个分离区域上。一层导电材料被布置在ＡＧＰ层的一部分上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成电路，包括：　　　　温度传感器，其感测所述集成电路的温度；　　　　存储器模块，其存储与校准相关的振荡器数据并选择所述振荡器校准之一作为所述感测的温度的函数；　　　　振荡器模块，其生成具有频率的参考信号；以及　　　　包括具有反馈环参数的反馈环的锁相环模块，其中所述锁相环模块基于所述选出的振荡器校准之一来有选择地调整所述反馈环参数。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：塞哈特苏塔迪嘉，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：BB[巴巴多斯]