适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工领域。适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，在切片工艺之前，对晶棒沿着长度方向画设分批线；当晶棒的长度小于等于225mm时，分批线为一条油墨笔划出的直线；当晶棒的长度大于225mm时，从晶棒的头部开始用油墨笔画第一条直线到尾部，然后再用油墨笔从头部开始的226mm位置画至尾部的第二条直线，分批线为两条相互平行的直线；在倒角工艺前，将硅片上存有一道直线在一个批次倒角，将硅片上存有两道直线的另一个批次中倒角。本发明专利技术通过在晶棒切割之前增设有分批线，便于实现对硅片流转过程中对硅片在晶棒所处区域进行标定。简单，方便，杜绝了电阻率两山分布的问题。布的问题。布的问题。

【技术实现步骤摘要】
适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工领域，具体涉及电阻率的控制方法。

技术介绍

[0002]电阻率两山分布是指硅片经过前中后道工序加工后，半导体计量设备测定对于电阻率测试时，发现电阻率不连续有断开关系，利用Mitab分析时，呈现两岛或多岛分布状态，简称电阻率两山分布。
[0003]当电阻率两山分布存在后，从侧面反应产品品质的不稳定和异常，SPC管控报警异常现象，现场异常原因分析会浪费大量的时间和人力，而且原因分析梳理起来比较复杂，工作繁琐产品正常流动受限，不利于公司加工流程顺畅。
[0004]当出现电阻率两山分布时，电阻率数据采用Mintab软件分析，见图1，可以看到电阻率不连续，其中有两岛或多岛分布异常。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的问题，本专利技术提供适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，已解决上述至少一个技术问题。
[0006]本专利技术的技术方案是：适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，其特征在于，在切片工艺之前，对晶棒沿着长度方向画设分批线；
[0007]当晶棒的长度小于等于225mm时，分批线为一条油墨笔划出的直线；
[0008]当晶棒的长度大于225mm时，从晶棒的头部开始用油墨笔画第一条直线到尾部，然后再用油墨笔从头部开始的226mm位置画至尾部的第二条直线，分批线为两条相互平行的直线；
[0009]在倒角工艺前，将硅片上存有一道直线在一个批次倒角，将硅片上存有两道直线的另一个批次中倒角。
[0010]本专利技术通过在晶棒切割之前增设有分批线，便于实现对硅片流转过程中对硅片在晶棒所处区域进行标定。简单，方便，杜绝了电阻率两山分布的问题。
[0011]由于晶棒切割后，硅片的加工环节时，大于225枚要分2个批次流动，225枚硅片大致的晶棒长度为225mm，故本专利技术专利将晶棒对长度方向上不同区域进行标定，便于后期流转过程中，便于对硅片所处晶棒整体的何种方位的校验。由于晶棒的电阻率是沿着头尾方向呈现递减有规律性的渐变的。本专利技术通过分批线，避免了同一批次的硅片中混入电阻率差异过大的区域。
[0012]进一步优选地，所述油墨笔为黄色的三菱PX
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30油漆笔。晶棒通过线切割加工带有砂浆液，切割成硅片后还需要高温和药液清洗，如果选用普通品种油性笔，在切割或高温和药液清洗中容易去除调油性笔颜色，经过验证选用黄色的三菱PX
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30油漆笔效果最佳；选用黄色油性笔便于硅片受入检查时方便确认。
[0013]进一步优选地，还包括一划线工装；
[0014]所述划线工装包括用于夹持固定油墨笔的夹爪，所述夹爪安装在一升降机构上，所述升降机构安装在一支架上，所述支架安装在二维滑动平台上，所述二维滑动平台包括沿着晶棒的长度方向运动的第一直线滑台机构以及沿着晶棒的径向运动的第二直线滑台机构，所述第一直线滑台机构的运动方向垂直于所述第二直线滑台机构的运动方向。
[0015]便于实现油墨笔的自动划线。
[0016]进一步优选地，所述划线工装还包括工件长度识别装置；
[0017]所述夹爪上安装有红外传感器。
[0018]便于实现对工件端部的检测。
[0019]进一步优选地，油墨笔划线前，首先第一直线滑台机构带动红外传感器从前至后运动，获知晶棒的长度，给予处理器分析获得当前晶棒划线所需的油墨笔运动轨迹，处理器根据油墨笔运动轨迹控制升降机构以及二维滑动平台。
[0020]进一步优选地，处理器控制升降机构下降，油墨笔触碰到晶棒后，第一直线滑台机构运动带动油墨笔从头部至尾部形成所述第一条直线；
[0021]然后升降机构上升，第二直线滑台机构运动设定距离后，升降机构下降，带动油墨笔触碰到晶棒后，第一直线滑台机构运动带动油墨笔从尾部至头部开始的226mm位置形成所述第二条直线。
[0022]进一步优选地，所述夹爪包括转轴以及相对设置的两个夹持臂，且两个夹持臂的端部铰接有相对设置的套筒；
[0023]相对设置的套筒通过伸缩杆相连，所述油墨笔夹持在相对设置的所述套筒之间；
[0024]所述油墨笔的尾部设有突起，所述套筒上设有滑动连接所述突起的滑槽；
[0025]两个夹持臂与所述转轴转动连接，所述转轴上连接有导柱，所述导柱上套设有弹簧，且所述弹簧用于夹设在所述油墨笔与所述导柱之间，所述油墨笔上开设有滑动连接导柱的导向孔。
[0026]便于实现油墨笔的弹性支撑。
[0027]进一步优选地，所述伸缩杆包括双向丝杆、左右设置的左中空管以及右中空管，所述双向丝杆的中央连接有旋钮；
[0028]所述双向丝杆的两端分别螺纹连接所述左中空管以及所述右中空管。
[0029]便于实现伸缩杆的长度调节。进而实现油墨笔的更换。
[0030]进一步优选地，所述油墨笔的尾部可拆卸连接有导向块，所述导向块上设有所述突起。
[0031]进一步优选地，切片工艺之后，切割的硅片摆放入硅片盒，所述硅片盒上安装有射频卡，所述射频卡内存储有晶棒参数信息以及分批线的信息。
[0032]便于后期追源。
附图说明
[0033]图1为本专利技术
技术介绍
中当出现电阻率两山分布时，电阻率数据采用Mintab软件分析获得的电阻率正态分布图；
[0034]图2为本专利技术具体实施例1的局部结构示意图；
[0035]图3为本专利技术具体实施例1的夹爪处的局部结构示意图；
[0036]图4为本专利技术具体实施例1的夹爪处的局部结构示意图。
[0037]图中：1为油墨笔，2为夹持臂，3为弹簧，4为升降机构，5为支架，6为二维滑动平台，7为套筒，8为伸缩杆。
具体实施方式
[0038]下面结合附图对本专利技术做进一步的说明。
[0039]参见图2至图4，具体实施例1，适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，在切片工艺之前，对晶棒沿着长度方向画设分批线；当晶棒的长度小于等于225mm时，分批线为一条油墨笔1划出的直线；当晶棒的长度大于225mm时，从晶棒的头部开始用油墨笔1画第一条直线到尾部，然后再用油墨笔1从头部开始的226mm位置画至尾部的第二条直线，分批线为两条相互平行的直线；在倒角工艺前，将硅片上存有一道直线在一个批次倒角，将硅片上存有两道直线的另一个批次中倒角。本专利技术通过在晶棒切割之前增设有分批线，便于实现对硅片流转过程中对硅片在晶棒所处区域进行标定。简单，方便，杜绝了电阻率两山分布的问题。
[0040]油墨笔为黄色的三菱PX
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30油漆笔。晶棒通过线切割加工带有砂浆液，切割成硅片后还需要高温和药液清洗，如果选用普通品种油性笔，在切割或高温和药液清洗中容易去除调油性笔颜色，经过验证选用黄色的三菱PX
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30油漆笔效果最佳；选用黄色油性笔便于硅片受入检查时方便确认。
[0041]还包括一划线工装；划线工装包括用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，其特征在于，在切片工艺之前，对晶棒沿着长度方向画设分批线；当晶棒的长度小于等于225mm时，分批线为一条油墨笔划出的直线；当晶棒的长度大于225mm时，从晶棒的头部开始用油墨笔画第一条直线到尾部，然后再用油墨笔从头部开始的226mm位置画至尾部的第二条直线，分批线为两条相互平行的直线；在倒角工艺前，将硅片上存有一道直线在一个批次倒角，将硅片上存有两道直线的另一个批次中倒角。2.根据权利要求1所述的适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，其特征在于：所述油墨笔为黄色的三菱PX
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30油漆笔。3.根据权利要求1所述的适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，其特征在于：还包括一划线工装；所述划线工装包括用于夹持固定油墨笔的夹爪，所述夹爪安装在一升降机构上，所述升降机构安装在一支架上，所述支架安装在二维滑动平台上，所述二维滑动平台包括沿着晶棒的长度方向运动的第一直线滑台机构以及沿着晶棒的径向运动的第二直线滑台机构，所述第一直线滑台机构的运动方向垂直于所述第二直线滑台机构的运动方向。4.根据权利要求3所述的适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，其特征在于：所述划线工装还包括工件长度识别装置；所述夹爪上安装有红外传感器。5.根据权利要求3所述的适用于8英寸硅片电阻率两山分布过程控制方法，其特征在于：油墨笔划线前，首先第一直线滑台机构带动红外传感器从前至后运动，获知晶棒的长度，给予处理器分析获得当前晶棒划线所需的油墨笔运动轨迹，处理器根据油墨笔运动轨迹控制升降机构以及二维滑动平台。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱杨友，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：