含多氮杂环的四齿ONCN铂配合物制造技术

本发明专利技术涉及一种含多氮杂环的四齿ONCN铂配合物，其结构式如式(I)所示。该化合物通过多氮杂环的引入，分散了分子的电子云密度从而在提纯过程中避免分子的整齐排列。相对于以往的吡啶结构，有更高的电子云密度，一方面提高了配位的结合能力，提高分子的稳定性，另一方面增强了母环上金属铂附近的电子云密度，从而得到高效的发光效率，右边苯环上R1

【技术实现步骤摘要】
含多氮杂环的四齿ONCN铂配合物


[0001]本专利技术涉及OLED材料领域，特别是母配体上含有氮杂环的四齿ONCN铂配合物

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED)具有自发光、色纯度高、启动电压低、响应速度快、可制备柔性显示屏等优点，成为新一代显示技术，目前主要应用在高端显示面板上。其一般器件主要包括阴阳极、电子传输材料、发光层材料、空穴传输材料层层蒸镀制备而成，而其中发光层的材料是整个器件的核心材料。
[0003]铂(Ⅱ)配合物具有d8金属轨道，其配位为平面的四配位结构，具有与金属铱配合物相媲美的三线态磷光寿命，且其地壳中的含量丰富，是金属铱配合物的最佳替代品之一。而四齿ONCN铂配合物具有配位合成简单、可修饰性强、分子稳定性高、较高的发光效率及较高的出光偶极矩，甚至有反超铱配合物的趋势。目前，基于金属铂配合物的OLED器件已经得到了很大的发展，但由于其分子的平面结构，相对于立体六配位的金属铱，四配位的二价金属铂裸漏在外面，造成了二价铂配合物分子纯化难、升华难、容易被卤素进攻等问题，不利于材料的商业化。近年来，为了获得拥有更好的发光效率和器件寿命的Pt材料，一系列的Pt配合物也被研究筛选。其中，多氮杂环的结构可以影响电子HOMO，LUMO的分布，影响分子内的CT态密度。降低磷光配合物材料的三线态激子寿命，以充分利用材料激子的辐射跃迁发光，提高磷光发光效率，并获延长器件的工作寿命。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本专利技术提供了一类具有多氮杂环的四齿ONCN铂配合物发光材料，该材料通过多氮杂环的引入，分散了分子的电子云密度从而在提纯过程中避免分子的整齐排列。
[0005]含多氮杂环的四齿ONCN铂配合物，结构式通式如式(Ⅰ)所示：
[0006][0007]其中Z1‑
Z4中有且只有一个N，有且只有一个与带有R1‑
R5基团的单独苯环相连的C，其余为CH；R1‑
R
19
独立地选自氢、氘、硫、卤素、羟基、酰基、含1
‑
30个C原子的烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、氰基、羧基、苯乙烯基、氨基甲酰基、苄基羰基、芳氧基、二芳胺基、含
1
‑
30个C原子的取代或未取代的饱和烷基、含1
‑
30个C原子的取代或未取代的不饱和烷基、含5
‑
30个C原子的取代或未取代的芳基或杂芳基，所述取代为被卤素或1
‑
4个 C原子的烷基所取代，所述杂芳基中的杂原子为N、S、O中的至少一个。
[0008]优选：其中在Z1‑
Z4中，Z1或Z3为N，Z2连接带有R1‑
R5基团的单独苯环；其余为CH。
[0009]优选：其中R1‑
R
19
独立地选自氢、氘、硫、卤素、羟基、含1
‑
8个C原子的烷氧基、氨基、硝基、酰基氨基、氰基、苯乙烯基、芳氧基、二芳胺基、含1
‑
8个C原子的取代或未取代的饱和烷基、含1
‑
8个C原子的取代或未取代的不饱和烷基、含5
‑
10个C原子的取代或未取代的芳基或杂芳基。
[0010]优选：其中在R
11
‑
R
15
中除R
12
、R
14
为含1
‑
8个C原子的饱和烷基外其余为氢；R6‑
R9、R
17
‑
R
19
、 R1‑
R5独立地选自氢、氘、卤素、羟基、含1
‑
8个C原子的烷氧基、氨基、硝基、氰基、苯乙烯基、芳氧基、二芳胺基、含1
‑
8个C原子的取代或未取代的饱和烷基、含1
‑
8个C原子的取代或未取代的不饱和烷基、含5
‑
10个C原子的取代或未取代的芳基或杂芳基，R
10
、R
16
为氢。
[0011]优选：其中在R6‑
R
19
中除R
12
、R
14
为含1
‑
8个C原子的饱和烷基外其余为氢；R1‑
R5独立地选自氢、氘、卤素、羟基、硝基、氰基、含1
‑
8个C原子的烷氧基、芳氧基、含1
‑
8个C原子的取代或未取代的饱和烷基、含1
‑
8个C原子的取代或未取代的不饱和烷基、含5
‑
10个C 原子的取代或未取代的芳基或杂芳基。
[0012]优选：其结构式如式(Ⅱ)或式(Ⅲ)所示：
[0013][0014]其中R1‑
R5独立地选自氢、氘、卤素、硝基、氰基、含1
‑
8个C原子的饱和烷基、含1
‑
8 个C原子的不饱和烷基、取代或未取代的苯基。
[0015]优选：其中R1‑
R5独立地选自氢、氘、卤素、含1
‑
8个C原子的饱和烷基、取代或未取代的苯基，且R1‑
R5中至少有一个不为氢。
[0016]以下列出按照本专利技术的铂金属配合物，但不限于所列举的结构：
[0017][0018]上述配合物的前体，结构如下式所示：
[0019][0020]由于氮杂环上位点活性的不同，上述结构式(Ⅳ)铂配合物有以下两种制备方法：
[0021]制备方法(一)如下，以A
R
在低温下丁基锂脱去Br，再用硼酸三异丙酯转化为硼酸酯得到B
R
,B
R
和C
R
偶联得到D
R
，D
R
再与E
R
偶联得到F
R
的制备线路：
[0022][0023]F
R
在酸性条件脱甲基得到G
R
，G
R
与铂配位得到本专利技术的发光材料。
[0024][0025]制备方法(二)，以E
R
与C
R
偶联得到I
R
；I
R
与B
R
偶联得到F
R
的制备线路：
[0026][0027]F
R
在酸性条件脱甲基得到G
R
，G
R
与铂配位得到本专利技术的发光材料。
[0028][0029]本专利技术的铂配合物作为磷光客体材料掺杂在OLED发光层。
[0030]本专利技术通过氮杂环的引入，相对于以往的吡啶结构，有更高的电子云密度，一方面提高了配位的结合能力，提高分子的稳定性，另一方面增强了母环上金属铂附近的电子云密度，从而得到高效的发光效率，右边苯环上R1
‑
R5的基团增加了分子的位阻，有效降低分子间的聚集作用。
具体实施方式：
[0031]下面结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含多氮杂环的四齿ONCN铂配合物，结构式通式如式(Ⅰ)所示：其中Z1‑
Z4中有且只有一个N，有且只有一个与带有R1‑
R5基团的单独苯环相连的C，其余为CH；R1‑
R
19
独立地选自氢、氘、硫、卤素、羟基、酰基、含1
‑
30个C原子的烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、氰基、羧基、苯乙烯基、氨基甲酰基、苄基羰基、芳氧基、二芳胺基、含1
‑
30个C原子的取代或未取代的饱和烷基、含1
‑
30个C原子的取代或未取代的不饱和烷基、含5
‑
30个C原子的取代或未取代的芳基或杂芳基，所述取代为被卤素或1
‑
4个C原子的烷基所取代，所述杂芳基中的杂原子为N、S、O中的至少一个。2.根据权利要求1所述的铂配合物，在Z1‑
Z4中，Z1或Z3为N，Z2连接带有R1‑
R5基团的单独苯环；其余为CH。3.根据权利要求2所述的铂配合物，其中R1‑
R
19
独立地选自氢、氘、硫、卤素、羟基、含1
‑
8个C原子的烷氧基、氨基、硝基、酰基氨基、氰基、苯乙烯基、芳氧基、二芳胺基、含1
‑
8个C原子的取代或未取代的饱和烷基、含1
‑
8个C原子的取代或未取代的不饱和烷基、含5
‑
10个C原子的取代或未取代的芳基或杂芳基。4.根据权利要求3所述的铂配合物，其中在R
11
‑
R
15
中除R
12
、R
14
为含1
‑
8个C原子的饱和烷基外其余为氢；R6‑
R9、R
17
‑
R
19
、R1‑
R5独立地选自氢、氘、卤素、羟基、含1
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴信蔚，刘宇，谭庭钊，戴雷，蔡丽菲，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：