用于对细胞成像的合成物和方法技术

公开了对癌细胞成像的方法，该方法包括在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞增加了癌细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入癌细胞，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过癌细胞膜；以及对癌细胞成像。以及对癌细胞成像。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于对细胞成像的合成物和方法
[0001]相关申请的交叉引用本申请要求2019年12月11日提交的美国临时申请号62/946,803的权益，并且由此通过引用以其整体并入本文中。

技术介绍

[0002]肿瘤治疗场或TTFields通常为中频范围（100
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300 kHz）内的低强度（例如，1
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3 V/cm）交变电场。TTF可以通过非侵入式换能器阵列跨肿瘤的解剖区域递送交变电场。TTF已经被确立为抗有丝分裂癌症治疗模态，因为它们在中期期间干扰正常的微管装配，并最终在末期、胞质分裂或随后间期期间破坏细胞。由于其低强度，TTFields已经被示出不影响未分裂的正常细胞、神经和肌肉的生存力。TTFields疗法是一种经批准的复发性胶质母细胞瘤的单一治疗，并且也是一种经批准的用于新诊断的胶质母细胞瘤和不可切除的恶性胸膜间皮瘤患者的化疗联合疗法。这些电场由直接放置在患者头皮上的换能器阵列（即电极阵列）非侵入性地感应。TTFields似乎也有利于治疗身体其它部位的肿瘤。

技术实现思路

[0003]公开了对细胞成像的方法，该方法包括：在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到细胞，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞增加了细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入细胞，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过细胞膜；以及对细胞成像。
[0004]公开了对受试者中的癌细胞或肿瘤细胞成像的方法，该方法包括：在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到受试者中的肿瘤目标位点，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到受试者中增加了受试者的肿瘤目标位点中的癌细胞或肿瘤细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入肿瘤目标位点，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过肿瘤细胞目标位点中的癌细胞或肿瘤细胞的膜；以及对受试者中肿瘤细胞目标位点中的癌细胞或肿瘤细胞成像。
[0005]公开了对受试者中的癌细胞或肿瘤细胞成像并降低癌细胞的生存力的方法，该方法包括在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞增加了癌细胞或肿瘤细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入癌细胞或肿瘤细胞，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过癌细胞或肿瘤细胞膜；对癌细胞或肿瘤细胞成像；在第二时间段内将第二频率下的第二交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中第二频率不同于第一频率，并且其中第二频率下的第二交变电场降低癌细胞或肿瘤细胞的生存力。
[0006]公开了对癌细胞或肿瘤细胞成像并更改受试者中癌细胞或肿瘤细胞中的电阻抗的方法，该方法包括在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞增加了癌细胞或肿瘤细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入癌细胞或肿瘤细胞，其中细胞膜增加
的渗透性使得纳米颗粒能够跨过癌细胞或肿瘤细胞膜；对癌细胞或肿瘤细胞成像；在第二时间段内将第二频率下的第二交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中第二频率不同于第一频率，并且其中第二频率下的第二交变电场更改癌细胞或肿瘤细胞中的电阻抗。
[0007]公开了更改受试者的目标位点中交变电场的电阻抗的方法，包括将纳米颗粒引入受试者中的目标位点；以及将交变电场施加到受试者的目标位点，其中受试者的目标位点中交变电流的电阻抗被更改；以及对受试者的目标位点成像。
[0008]公开了更改癌细胞或肿瘤细胞中交变电场的电阻抗的方法，包括将纳米颗粒引入受试者中的癌细胞或肿瘤细胞；以及将交变电场施加到受试者中的癌细胞或肿瘤细胞，其中癌细胞或肿瘤细胞中交变电流的电阻抗被更改；以及对受试者的癌细胞或肿瘤细胞成像（体外）。
[0009]公开了更改癌细胞或肿瘤细胞中交变电场的电阻抗的方法，包括将纳米颗粒引入受试者中的癌细胞或肿瘤细胞；以及将交变电场施加到受试者中的癌细胞或肿瘤细胞，其中癌细胞或肿瘤细胞中交变电流的电阻抗被更改；以及对受试者中的癌细胞或肿瘤细胞成像（体内）。
[0010]公开了对癌细胞或肿瘤细胞成像并更改受试者中与癌细胞或肿瘤细胞相邻的位点中交变电场的电阻抗的方法，该方法包括在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞增加了癌细胞或肿瘤细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入癌细胞或肿瘤细胞，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过癌细胞或肿瘤细胞膜；对癌细胞或肿瘤细胞成像；将非导电纳米颗粒引入受试者中与癌细胞或肿瘤细胞相邻的位点；以及将交变电场施加到受试者中与癌细胞或肿瘤细胞相邻的位点，其中受试者中与癌细胞或肿瘤细胞相邻的位点中交变电流的电阻抗被更改。
[0011]公开了更改受试者中与肿瘤目标位点相邻的位点中交变电场的电阻抗并对受试者中的癌细胞或肿瘤细胞成像的方法，包括将非导电纳米颗粒引入受试者中与肿瘤目标位点相邻的位点；以及将交变电场施加到与受试者的肿瘤目标位点相邻的位点，其中与受试者的肿瘤目标位点相邻的位点中交变电流的电阻抗被更改；以及对肿瘤目标位点中的癌细胞或肿瘤细胞成像。
[0012]公开了降低癌细胞或肿瘤细胞的生存力的方法，包括将非导电纳米颗粒引入受试者中与肿瘤目标位点相邻的位点；以及在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到与受试者的肿瘤目标位点相邻的位点，其中与受试者的肿瘤目标位点相邻的位点中交变电流的电阻抗被更改，在第二时间段内将第二频率下的第二交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中在第二时间段内将第二频率下的第二交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞增加了癌细胞或肿瘤细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入癌细胞或肿瘤细胞，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过癌细胞或肿瘤细胞膜，在第三时间段内将第三频率下的第三交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中第三频率不同于第二频率，并且其中第三频率下的第三交变电场降低癌细胞或肿瘤细胞的生存力。
[0013]公开了对癌细胞成像的方法，该方法包括在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞增加了癌细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入癌细胞，其中细胞膜增加的渗透性使得纳
米颗粒能够跨过癌细胞膜；以及对癌细胞成像。
[0014]公开了对受试者中的癌细胞成像的方法，该方法包括在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到受试者中的肿瘤目标位点，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到受试者中的癌细胞增加了受试者的肿瘤目标位点中癌细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入肿瘤目标位点，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过肿瘤目标位点中癌细胞的膜；以及对受试者中的肿瘤目标位点中的癌细胞成像。
[0015]所公开的方法和合成物的附加优点将部分在以下描述中阐述，并且部分将从描述理解，或可以通过所公开的方法和合成物的实践来学习。所公开的方法和合成物的优本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种对细胞成像的方法，所述方法包括：a.在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到细胞，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到细胞增加了细胞的细胞膜的渗透性；b.将纳米颗粒引入细胞，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过细胞膜；以及c.对细胞成像。2.根据权利要求1所述的方法，其中在对细胞成像之前，移除第一频率下的第一交变电场。3.根据权利要求1
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2中任一项所述的方法，其中所述细胞是癌细胞或肿瘤细胞。4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括在第二时间段内将第二频率下的第二交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中第二频率不同于第一频率，并且其中第二频率下的第二交变电场降低癌细胞或肿瘤细胞的生存力。5.根据权利要求4所述的方法，其中癌细胞或肿瘤细胞中交变电流的电流密度和/或功率损耗密度被更改。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒是导电纳米颗粒、非导电纳米颗粒、磁性纳米颗粒、用Gd3+修饰的纳米颗粒、用钆基造影剂修饰的纳米颗粒或用放射性同位素修饰的纳米颗粒。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒是导电纳米颗粒。8.根据权利要求7所述的方法，其中癌细胞或肿瘤细胞中的阻抗降低。9.根据权利要求7
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8中任一项所述的方法，其中癌细胞或肿瘤细胞中的电导率增加。10.根据权利要求4
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9中任一项所述的方法，其中所述第二交变电场是肿瘤治疗场。11.根据权利要求4
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10中任一项所述的方法，其中所述癌细胞是胶质母细胞瘤细胞、子宫肉瘤细胞、乳腺癌细胞、胰腺癌细胞、非小细胞肺癌、肝细胞癌、胃癌细胞或脑癌细胞。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述癌细胞包括胶质母细胞瘤细胞，第一频率在250 kHz和350 kHz之间，以及第二频率在150 kHz和250 kHz之间。13.根据权利要求11所述的方法，其中所述癌细胞包括子宫肉瘤细胞，第一频率在125 kHz和175 kHz之间，以及第二频率在75 kHz和125 kHz之间。14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述成像使用MRI、CT、光学成像、X射线、PET、PET
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CT、SPECT、SPECT/CT、PEM来实行。15.一种对受试者中的癌细胞或肿瘤细胞成像的方法，所述方法包括：a.在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到受试者中的肿瘤目标位点，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到受试者中增加了受试者的癌细胞或肿瘤细胞的细胞膜的渗透性；b.将纳米颗粒引入肿瘤目标位点，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过肿瘤细胞目标位点中的癌细胞或肿瘤细胞的膜；以及c.对受试者中的肿瘤细胞目标位点中的癌细胞或肿瘤细胞成像。16.根据权利要求15所述的方法，其中在对细胞成像之前，移除第一频率下的第一交变电场。17.根据权利要求15
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16中任一项所述的方法，其中所述细胞是癌细胞或肿瘤细胞。
18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括在第二时间段内将第二频率下的第二交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中第二频率不同于第一频率，并且其中第二频率下的第二交变电场降低癌细胞或肿瘤细胞的生存力。19.根据权利要求18所述的方法，其中癌细胞或肿瘤细胞中交变电流的电流密度和/或功率损耗密度被更改。20.根据权利要求15
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18中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒是导电纳米颗粒、非导电纳米颗粒、磁性纳米颗粒、用Gd3+修饰的纳米颗粒、用钆基造影剂修饰的纳米颗粒或用放射性同位素修饰的纳米颗粒。21.根据权利要求15
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20中任一项所述的方法，其中所述纳米颗粒是导电纳米颗粒。22.根据权利要求21所述的方法，其中癌细胞或肿瘤细胞中的阻抗降低。23.根据权利要求21
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22中任一项所述的方法，其中癌细胞或肿瘤细胞中的电导率增加。24.根据权利要求18
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23中任一项所述的方法，其中所述第二交变电场是肿瘤治疗场。25.根据权利要求18
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24中任一项所述的方法，其中所述癌细胞是胶质母细胞瘤细胞、子宫肉瘤细胞、乳腺癌细胞、胰腺癌细胞、非小细胞肺癌、肝细胞癌、胃癌细胞或脑癌细胞。26.根据权利要求25所述的方法，其中所述癌细胞包括胶质母细胞瘤细胞，第一频率在250 kHz和350 kHz之间，以及第二频率在150 kHz和250 kHz之间。27.根据权利要求25所述的方法，其中所述癌细胞包括子宫肉瘤细胞，第一频率在125 kHz和175 kHz之间，以及第二频率在75 kHz和125 kHz之间。28.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述成像使用MRI、CT、光学成像、X射线、PET、PET
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CT、SPECT、SPECT/CT、PEM来实行。29.一种对受试者中的癌细胞或肿瘤细胞成像并降低癌细胞的生存力的方法，所述方法包括在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞，其中在第一时间段内将第一频率下的第一交变电场施加到癌细胞或肿瘤细胞增加了癌细胞或肿瘤细胞的细胞膜的渗透性；将纳米颗粒引入癌细胞或肿瘤细胞，其中细胞膜增加的渗透性使得纳米颗粒能够跨过癌细胞或肿瘤细胞膜；对癌细胞或肿瘤细胞成像；在第二时间段内将...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：诺沃库勒有限责任公司，
类型：发明
国别省市：