一种砷化镓芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种砷化镓芯片的封装结构，包括支撑环，所述支撑环的上表面设置有芯片，所述支撑环的上表面且位于芯片的外侧设置有焊点，所述支撑环的上表面固定连接有盖子，所述盖子的下表面固定连接有显色布，所述盖子的上表面固定连接有加固环，所述支撑环的下表面固定连接有支撑板，所述支撑环的左表面固定连接有引脚，所述引脚的外表面设置有套筒。本实用新型专利技术，通过设计支撑环、支撑板，实现芯片与支撑环之间进行焊接时，可以通过芯片的底部进行降温，避免芯片超温损坏，通过设计显色布、盖子，实现在使用的过程中，可以观察芯片是否损坏，避免芯片内部的有毒物质泄漏，通过设计套筒与连接杆，实现避免引脚损坏，增加芯片的良品率。片的良品率。片的良品率。

A packaging structure of gallium arsenide chip

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓芯片的封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装领域，尤其涉及一种砷化镓芯片的封装结构。

技术介绍

[0002]多数情况下，砷化镓电路是用与硅电路相同的设备和技术制造和操作的，砷化镓比硅片易碎，与众多硅电路相同，砷化镓芯片也是静电敏感器件，应该接地操作。砷化镓不应有高温工艺。因为芯片温度不能超过320℃，所以焊接放置芯片和封盖操作时应特别注意，砷化稼包含砷元素，是作为有毒材料对待的。报废产品应该放置于合适的容器中。安装半导体集成电路芯片用的外壳，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁，芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。
[0003]1、目前砷化镓芯片的封装结构在焊接时会出现过热的现象；
[0004]2、目前砷化镓芯片的封装结构容易产生断裂。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种砷化镓芯片的封装结构。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种砷化镓芯片的封装结构，包括支撑环，所述支撑环的上表面设置有芯片，所述支撑环的上表面且位于芯片的外侧设置有焊点，所述支撑环的上表面固定连接有盖子，所述盖子的下表面固定连接有显色布，所述盖子的上表面固定连接有加固环；
[0007]所述支撑环的下表面固定连接有支撑板，所述支撑环的左表面固定连接有引脚，所述引脚的外表面设置有套筒，所述套筒的上表面固定连接有立杆。r/>[0008]作为上述技术方案的进一步描述：
[0009]所述显色布与芯片接触，所述盖子为透明材质。
[0010]作为上述技术方案的进一步描述：
[0011]所述加固环的数量为多个。
[0012]作为上述技术方案的进一步描述：
[0013]所述加固环的材料为金属。
[0014]作为上述技术方案的进一步描述：
[0015]所述支撑板的上表面与芯片接触。
[0016]作为上述技术方案的进一步描述：
[0017]所述引脚的数量为多个且左右对称分布，所述引脚与芯片电性连接。
[0018]作为上述技术方案的进一步描述：
[0019]所述立杆远离套筒的一端与支撑板固定连接。
[0020]作为上述技术方案的进一步描述：
[0021]所述套筒之间通过连接杆固定连接。
[0022]本技术具有如下有益效果：
[0023]1、与现有技术相比，该砷化镓芯片的封装结构，通过设计支撑环、支撑板，实现芯片与支撑环之间进行焊接时，可以通过芯片的底部进行降温，避免芯片超温损坏。
[0024]2、与现有技术相比，该砷化镓芯片的封装结构，通过设计显色布、盖子，实现在使用的过程中，可以观察芯片是否损坏，避免芯片内部的有毒物质泄漏。
[0025]3、与现有技术相比，该砷化镓芯片的封装结构，通过设计套筒与连接杆，实现避免引脚损坏，增加芯片的良品率。
附图说明
[0026]图1为本技术提出的一种砷化镓芯片的封装结构的内部结构示意图；
[0027]图2为图1中A处结构放大示意图；
[0028]图3为本技术提出的一种砷化镓芯片的封装结构的俯视图；
[0029]图4为本技术提出的一种砷化镓芯片的封装结构的整体结构示意图。
[0030]图例说明：
[0031]1、支撑环；2、盖子；3、显色布；4、加固环；5、芯片；6、支撑板；7、连接杆；8、套筒；9、引脚；10、立杆；11、焊点。
具体实施方式
[0032]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0033]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0034]参照图1
‑
4，本技术提供的一种砷化镓芯片的封装结构：包括支撑环1，支撑环1的上表面设置有芯片5，支撑环1的上表面且位于芯片5的外侧设置有焊点11，用于将芯片5与支撑环1进行固定，支撑环1的上表面固定连接有盖子2，盖子2的下表面固定连接有显色布3，显色布3上涂有金属单质，显色布3与芯片5接触，盖子2为透明材质，用于观察金属单质是否进行变色，盖子2的上表面固定连接有加固环4，用于增加装置的硬度，加固环4的数量为多个，加固环4的材料为金属。
[0035]支撑环1的下表面固定连接有支撑板6，用于在焊接芯片5时，利用下侧进行降温，
以及对芯片5下侧进行保护，支撑板6的上表面与芯片5接触，支撑环1的左表面固定连接有引脚9，引脚9的数量为多个且左右对称分布，引脚9与芯片5电性连接，引脚9的外表面设置有套筒8，用于对引脚9进行保护，套筒8之间通过连接杆7固定连接，套筒8的上表面固定连接有立杆10，用于对引脚9进行保护，立杆10远离套筒8的一端与支撑板6固定连接。
[0036]工作原理：在无氧环境下，将芯片5焊接在支撑环1上，在焊接过程中使芯片5的下侧接触低温物质进行降温，避免芯片5超温，再将支撑板6与支撑环1进行焊接，焊接不直接接触芯片5，将套筒8安装在引脚9上，避免引脚9损坏，当结构发生漏气时，显色布3上的金属单质发生变色，在引脚9焊接时将套筒8取下。
[0037]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓芯片的封装结构，包括支撑环(1)，其特征在于：所述支撑环(1)的上表面设置有芯片(5)，所述支撑环(1)的上表面且位于芯片(5)的外侧设置有焊点(11)，所述支撑环(1)的上表面固定连接有盖子(2)，所述盖子(2)的下表面固定连接有显色布(3)，所述盖子(2)的上表面固定连接有加固环(4)；所述支撑环(1)的下表面固定连接有支撑板(6)，所述支撑环(1)的左表面固定连接有引脚(9)，所述引脚(9)的外表面设置有套筒(8)，所述套筒(8)的上表面固定连接有立杆(10)。2.根据权利要求1所述的一种砷化镓芯片的封装结构，其特征在于：所述显色布(3)与芯片(5)接触，所述盖子(2)为透明材质。3.根据权利要求1所述的一种砷...

【专利技术属性】
技术研发人员：江树昌，陈光明，张健凌，张绍甫，
申请(专利权)人：中鸣宁德科技装备制造有限公司，
类型：新型
国别省市：