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一种楼道自动延时开关制造技术

技术编号:3415722 阅读:228 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种楼道自动延时开关,其对灯的开关用可控硅来控制。由两个参数完全相同的RC电路,通过开关K的转换,从而反复地产生定时信号,该信号确定三极管工作状态与地隔离或与地短路,从而触发或不触发可控硅,使可控硅导通或截止。因此,与现有同类装置相比,结构更为简单、成本更加低廉。(*该技术在2011年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种楼道自动延时开关。现有用可控硅来控制的延时开关,其可控硅的触发信号延时控制电路通常十分复杂,成本较高。本技术的目的是提供一种电路结构简单、成本低廉的自动延时开关。本技术的目的是这样实现的通过对电源220V交流正弦波进行全波整流和电阻分压,取得与电源电压波形完全同步的触发信号,该信号由与定时电路相连的三极管工作状态确定与地隔离或与地短路,从而触发或不触发可控硅,使可控硅导通或截止。因此,与现有同类装置相比,结构更为简单、成本更加低廉。本技术的实施过程通过下面的一个实例结合附图来具体说明,附图是本技术的楼道自动延时开关的电路原理图。本电路由直流电源部分、定时部分、交流开关部分组成。直流电源部分由全桥B1、电阻R4、稳压管Z1和电容C1组成。稳压管Z1和电容C1并联后,其一端经电阻R4与全桥B1的输出端正极相连,另一端与全桥B1的输出端负极相连。交流电压经负载灯RL、电阻R4降压、全桥B1整流、稳压管Z1和电容C1稳压后,形成电压稳定的直流电源,A点为正电压端,B点为公共接地端。定时部分由开关K、电容C2、C3、电阻R6、R7、R5、R8、二极管D2、D3组成,电容C2(或C3)与电阻R6(或R7)串联,然后与电阻R5(或R8)并联。电容C2与C3、电阻R6与R7完全一一相对应,构成两个完全相同的RC参数电路。当开关K处于1或2之任一位置时,电流经电容C2(或C3)、电阻R6(或R7)向电容C2(或C3)充电,使C点(或D点)电位由高电平向零电平发生变化,变化时间的长短由电容C2(或C3)、电阻R6(或R7)决定,从而实现定时功能。电阻R5、R8用来构成电容C2、C3的电荷泄放回路。交流开关部分由可控硅S1、全桥B1、电阻R2、R3、三极管T1、T2、二极管D2、D3组成。全桥B1的两个交流输入端分别与负载灯RL和交流电源的一端相连,相连、电阻R2与R3串联后与全桥B1的两个输出端相连。电阻R2与R3串联,其连接点与三极管T2的集电极、可控硅S1的控制极相连。二极管D2、D3的正极分别与C、D点相连,二极管D2、D3的负极与三极管T1的基极相连,三极管T1的集电极与三极管T2的基极相连。220V交流电经全桥B1整流、负载灯RL、电阻R2、R3、分压后,在E点产生一正弦波电平信号,该信号作用于可控硅S1的控制极,并与三极管T2的状态来共同确定是否触发可控硅;此信号相位与交流电源完全同步,其幅度由负载灯RL、电阻R2、R3决定。C点(D点)电平经二极管D2(或D3)作用于三极管T1的基极,其电平在由高电平向零电平变化时,三极管T1由导通变为截止,三极管T2由截止变为导通,使E点的触发电平信号由与地隔离变为与地短路,从而实现可控硅S1的开关状态的转换。当开关K在位置1或2的来回转换过程中,使可控硅S1导通一段时间后变为截止的过程反复出现,从而实现本技术的反复的自动延时关断功能。权利要求1.一种楼道自动延时开关由直流电源部分、定时部分、交流开关部分组成,其特征是所述的定时部分由开关K、电容C2、C3、电阻R6、R7、R5、R8、二极管D2、D3组成;电容C2或C3与电阻R6或R7串联,然后与电阻R5或R8并联;在并联后分别通过开关K与直流电源的正电压端相连;电容C2或C3与电阻R6或R7的连接点与二极管D2或D3的正极相连,二极管D2、D3的负极相连后与三极管T1的基极相连。专利摘要一种楼道自动延时开关,其对灯的开关用可控硅来控制。由两个参数完全相同的RC电路,通过开关K的转换,从而反复地产生定时信号,该信号确定三极管工作状态与地隔离或与地短路,从而触发或不触发可控硅,使可控硅导通或截止。因此,与现有同类装置相比,结构更为简单、成木更加低廉。文档编号H03K17/28GK2492975SQ01235170公开日2002年5月22日 申请日期2001年5月25日 优先权日2001年5月25日专利技术者司马志 申请人:龚德梅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种楼道自动延时开关由直流电源部分、定时部分、交流开关部分组成,其特征是:所述的定时部分由开关K、电容C2、C3、电阻R6、R7、R5、R8、二极管D2、D3组成;电容C2或C3与电阻R6或R7串联,然后与电阻R5或R8并联;在并联后分别通过开关K与直流电源的正电压端相连;电容C2或C3与电阻R6或R7的连接点与二极管D2或D3的正极相连,二极管D2、D3的负极相连后与三极管T1的基极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:司马志
申请(专利权)人:龚德梅
类型:实用新型
国别省市:43[中国|湖南]

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