用于测试闪速存储器的编程方法、装置及闪速存储器制造方法及图纸

技术编号:34149647 阅读:13 留言:0更新日期:2022-07-14 19:49
本发明专利技术涉及闪速存储器技术领域,具体公开了一种用于测试闪速存储器的编程方法、装置及闪速存储器,其中,编程方法包括以下步骤:获取测试模式指令;根据所述测试模式指令生成奇偶位编程信息;根据所述奇偶位编程信息设定所述闪速存储器的页缓存电路的锁存数据,以使所述页缓存电路根据所述锁存数据对所述闪速存储器的存储器阵列进行编程;该编程方法生成奇偶位编程信息以设定闪速存储器的页缓存电路的锁存数据,使得闪速存储器的存储器阵列的存储数据能被快速编程为测试所需的数据类型,有效提高测试闪速存储器的测试效率,并能避免闪速存储器输入输出产生的串扰问题。存储器输入输出产生的串扰问题。存储器输入输出产生的串扰问题。

【技术实现步骤摘要】
用于测试闪速存储器的编程方法、装置及闪速存储器


[0001]本申请涉及闪速存储器
,具体而言,涉及一种用于测试闪速存储器的编程方法、装置及闪速存储器。

技术介绍

[0002]闪速存储器由于工艺及制造技术等原因存在一定的失效单元,在制造后一般需要进行测试筛选,测试过程中需要对闪速存储器写入固定数据进行数据校验或特定测试来判断闪速存储器是否存在缺陷,现有的写入固定数据的过程需要进行数据输入、编程处理,需要耗费较多时间,严重制约了闪速存储器的测试效率。
[0003]针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种用于测试闪速存储器的编程方法、装置及闪速存储器,减小编程数据写入所需的时间,以提高测试闪速存储器的测试效率。
[0005]第一方面,本申请提供了一种用于测试闪速存储器的编程方法,用于将闪速存储器的存储数据编程为测试所需的数据类型,所述方法包括以下步骤:获取测试模式指令;根据所述测试模式指令生成奇偶位编程信息;根据所述奇偶位编程信息设定所述闪速存储器的页缓存电路的锁存数据,以使所述页缓存电路根据所述锁存数据对所述闪速存储器的存储器阵列进行编程。
[0006]本申请的用于测试闪速存储器的编程方法,基于测试所需的编程数据具有奇数位数据、偶数位数据分别相同的特点,生成奇偶位编程信息以设定闪速存储器的页缓存电路的锁存数据,使得闪速存储器的存储器阵列的存储数据能被快速编程为测试所需的数据类型,省去了编程数据外部输入所需的时间。
>[0007]所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其中,所述方法还包括执行于所述根据所述奇偶位编程信息设定所述闪速存储器的页缓存电路的锁存数据的步骤之前的步骤:清空所述页缓存电路的在先锁存数据。
[0008]该示例的用于测试闪速存储器的编程方法能避免在先锁存数据影响设定页缓存电路的锁存数据的过程而导致存储器阵列数据写入失败的问题出现。
[0009]所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其中,所述奇偶位编程信息包括奇数位信息和偶数位信息,所述根据所述奇偶位编程信息设定所述闪速存储器的页缓存电路的锁存数据的步骤包括:根据所述奇数位信息设定所述页缓存电路的所有奇数位锁存器的锁存数据;根据所述偶数位信息设定所述页缓存电路的所有偶数位锁存器的锁存数据。
[0010]该示例的编程方法,利用奇数位信息和偶数位信息两个简单的数据便能完成整个页缓存电路的锁存数据设定,具有数据处理量小的特点,有效减少闪速存储器内部数据传
输时间,实现存储器阵列的快速编程。
[0011]所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其中,所述根据所述测试模式指令生成奇偶位编程信息的步骤包括:根据所述测试模式指令及预设的数据模式生成奇偶位编程信息。
[0012]所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其中,所述根据所述测试模式指令及预设的数据模式生成奇偶位编程信息的步骤包括:获取所述存储器阵列的待编程区域的奇偶页信息;根据所述测试模式指令、预设的数据模式及所述奇偶页信息生成奇偶位编程信息。
[0013]所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其中,所述获取所述存储器阵列的待编程区域的奇偶页信息的步骤包括:获取所述存储器阵列的所述待编程区域的行地址最低位地址符;根据所述最低位地址符确定奇偶页信息。
[0014]所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其中,所述测试所需的数据类型包括全00数据、全FF数据、棋盘格数据、行交错数据、列交错数据及最强干扰数据中的一种或多种。
[0015]第二方面,本申请还提供了一种用于测试闪速存储器的编程装置,用于将闪速存储器的存储数据编程为测试所需的数据类型,所述装置包括测试模式控制单元,所述测试模式控制单元包括:触发模块,用于获取测试模式指令;编程模块,用于根据所述测试模式指令生成奇偶位编程信息;设定模块,用于根据所述奇偶位编程信息设定所述闪速存储器的页缓存电路的锁存数据,以使所述页缓存电路根据所述锁存数据对所述闪速存储器的存储器阵列进行编程。
[0016]本申请的用于测试闪速存储器的编程装置,基于测试所需的编程数据具有奇数位数据、偶数位数据分别相同的特点,生成奇偶位编程信息以设定闪速存储器的页缓存电路的锁存数据,使得闪速存储器的存储器阵列的存储数据能被快速编程为测试所需的数据类型,省去了编程数据外部输入所需的时间。
[0017]第三方面,本申请还提供了一种闪速存储器,所述闪速存储器包括:接口指令单元,用于接收外部输入的指令;测试模式控制单元,与所述接口指令单元电性连接;页缓存电路,与所述测试模式控制单元电性连接;存储器阵列,与所述页缓存电路电性连接;所述测试模式控制单元用于获取来自所述接口指令单元的测试模式指令;所述测试模式控制单元还用于根据所述测试模式指令生成奇偶位编程信息;所述测试模式控制单元用于根据所述奇偶位编程信息设定所述页缓存电路的锁存数据,以使所述页缓存电路根据所述锁存数据对所述存储器阵列进行编程。
[0018]本申请的闪速存储器,基于测试所需的编程数据具有奇数位数据、偶数位数据分别相同的特点,利用测试模式控制单元生成奇偶位编程信息以设定闪速存储器的页缓存电路的锁存数据,使得闪速存储器的存储器阵列的存储数据能被快速编程为测试所需的数据
类型。
[0019]所述的闪速存储器,其中,所述测试模式控制单元具有奇数位编程控制线和偶数位编程控制线,所述奇数位编程控制线与页缓存电路的所有奇数位锁存器并联,所述偶数位编程控制线与页缓存电路的所有偶数位锁存器并联。
[0020]该示例的闪速存储器实现了页缓存电路的批量化锁存数据设定,有效简化了页缓存电路的设定过程、设定逻辑,有效提高了存储器阵列的编程效率,从而缩减测试所需时间。
[0021]由上可知,本申请提供了一种用于测试闪速存储器的编程方法、装置及闪速存储器,其中,编程方法基于测试所需的编程数据具有奇数位数据、偶数位数据分别相同的特点,生成奇偶位编程信息以设定闪速存储器的页缓存电路的锁存数据,使得闪速存储器的存储器阵列的存储数据能被快速编程为测试所需的数据类型,无需依赖外部输入的编程数据进行编程,省去了编程数据外部输入所需的时间,有效提高测试闪速存储器的测试效率,并能避免闪速存储器输入输出产生的串扰问题。
附图说明
[0022]图1为本申请实施例提供的用于测试闪速存储器的编程方法的流程图。
[0023]图2为本申请实施例提供的用于测试闪速存储器的编程装置的结构示意图。
[0024]图3为本申请实施例提供的闪速存储器的结构示意图。
[0025]图4为奇数位编程控制线及偶数位编程控制线与页缓存电路连接的结构示意图。
[0026]附图标记:100、接口指令单元;200、测试模式控制单元;300、页缓存电路;400、存储器阵列;201、触发模块;202、编程模块;203、设定模块;204、奇数位编程控制线;205、偶数位编程控制线。
具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于测试闪速存储器的编程方法,用于将闪速存储器的存储数据编程为测试所需的数据类型,其特征在于,所述方法包括以下步骤:获取测试模式指令;根据所述测试模式指令生成奇偶位编程信息;根据所述奇偶位编程信息设定所述闪速存储器的页缓存电路的锁存数据,以使所述页缓存电路根据所述锁存数据对所述闪速存储器的存储器阵列进行编程。2.根据权利要求1所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其特征在于,所述方法还包括执行于所述根据所述奇偶位编程信息设定所述闪速存储器的页缓存电路的锁存数据的步骤之前的步骤:清空所述页缓存电路的在先锁存数据。3.根据权利要求1所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其特征在于,所述奇偶位编程信息包括奇数位信息和偶数位信息,所述根据所述奇偶位编程信息设定所述闪速存储器的页缓存电路的锁存数据的步骤包括:根据所述奇数位信息设定所述页缓存电路的所有奇数位锁存器的锁存数据;根据所述偶数位信息设定所述页缓存电路的所有偶数位锁存器的锁存数据。4.根据权利要求1所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其特征在于,所述根据所述测试模式指令生成奇偶位编程信息的步骤包括:根据所述测试模式指令及预设的数据模式生成奇偶位编程信息。5.根据权利要求4所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其特征在于,所述根据所述测试模式指令及预设的数据模式生成奇偶位编程信息的步骤包括:获取所述存储器阵列的待编程区域的奇偶页信息;根据所述测试模式指令、预设的数据模式及所述奇偶页信息生成奇偶位编程信息。6.根据权利要求5所述的用于测试闪速存储器的编程方法,其特征在于,所述获取所述存储器阵列的待编程区域的奇偶页信息的步骤包括:获...

【专利技术属性】
技术研发人员:虞安华徐明揆徐光明
申请(专利权)人:芯天下技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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