晶体管开关自保护驱动器制造技术

一种晶体管开关自保护驱动器，其中有“启动”脉冲电路１，电路１的反馈电阻１０，退饱和保护电路４，监测“启动”时通态压降的电路６，高速测压电路：电阻５连接二极管２７、２８、晶体管２１。用于驱动ＧＴＲ、ＧＴＯ、ＭＯＳ、ＩＧ、ＳＩＴ、ＭＣＴ开关器件，具有过载、“直通”或负载短路保护，正负电源欠压保护等智能保护功能，特点是：不用电流传感器，在各种干扰脉冲、电源波动、高速开关等场合都能准确无误地进行保护。适用于变流装置、电机调速控制、开关电源、焊接电源等场合。（*该技术在2001年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶体管开关自保护驱动器，主要包含有由电容、电阻和半导体开关构成的“启动”脉冲形成电路１，由与被驱动晶体管开关２「包括各种具有关断能力的半导体开关（如ＧＴＲ、ＧＴＯ、ＭＯＳ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＭＣＴ）」集电极连接的二极管３或电阻以及半导体开关构成的退饱和保护电路４，由与晶体管开关２集电极连接的电阻５或二极管以及半导体开关、电阻、电容构成的监测晶体管开关２在“启动”时通态压降的电路６，由半导体开关构成的开关驱动电路８，在这种构造的产品中：Ａ、本专利技术的特征是：“启动”脉冲形 成电路１采用由电容、电阻、晶体管所构成的单稳触发器９，Ｂ、或者本专利技术的特征是：电阻５通过二极管２７、２８分别与晶体管２１的基极、集电极连接，晶体管２１的集电极、发射极与电路６连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈为匡，
申请(专利权)人：陈为匡，
类型：实用新型
国别省市：85[中国|重庆]