阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。所述阵列基板包括：栅设于所述衬底层上的栅极层；设于所述衬底层上并覆盖所述栅极层的第一绝缘层；设于所述第一绝缘层远离所述栅极层的一表面上的第二绝缘层；设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一表面上的有源层；设于所述第一绝缘层上并与所述有源层电连接的源漏极层。其中，所述第一绝缘层的材料包括硅氮化物，所述第二绝缘层的材料包括硅氧化物。化物。化物。

Array substrate, its preparation method and display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示设备领域，特别是一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示面板向着大尺寸、高分辨率、高频率及自发光显示模式等方向发展，对于控制开关和驱动显示的TFT(薄膜晶体管)的迁移率和稳定性提出了越来越高的要求，而目前先显示行业常用的非晶硅TFT的迁移率低，开态电流(Ion)低，无法满足高阶显示产品的需求，具体表现为液晶显示面板的充电不足或自发光显示面板的亮度不足。而金属氧化物TFT的迁移率高达非晶硅TFT的10
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100倍，可以满足新型高阶显示产品的需求，因此金属氧化物TFT及其显示面板越来越受到业界的重视。
[0003]但是，由于硅氮化物中的氢原子会导致氧化物半导体材料电阻率降低，影响金属氧化物TFT的特性。因此，在氧化物阵列基板的制作过程中，栅极绝缘层与氧化物层接触部分一般采用硅氧化物。
[0004]但同时也带来一个问题，作为数据线走线的金属层与硅氧化物之间的粘附力不佳，容易在后续蚀刻过程中引发数据线断线，尤其是在栅极线的爬坡处，这一异常大大影响了氧化物显示面板的生产良率，提高了生产成本。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现有技术中显示面板的生产良率低、生产成本高等技术问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底层、栅极层、第一绝缘层、第二绝缘层、有源层以及源漏极层。所述栅极层设于所述衬底层上。所述第一绝缘层设于所述衬底层上，并覆盖所述栅极层。所述第二绝缘层设于所述第一绝缘层远离所述栅极层的一表面上。所述有源层设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一表面上。所述源漏极层设于所述第一绝缘层上，并与所述有源层电连接。其中，所述第一绝缘层的材料包括硅氮化物，所述第二绝缘层的材料包括硅氧化物。
[0007]进一步地，所述第二绝缘层的宽度小于所述第一绝缘层的宽度。
[0008]进一步地，所述有源层在所述衬底层上的正投影落入所述第二绝缘层在所述衬底层上的正投影中。
[0009]进一步地，所述源漏极层从所述第一绝缘层远离所述栅极层的一表面，经过所述有源层的侧边，延伸至所述有源层的顶面。
[0010]进一步地，所述阵列基板还包括保护层，所述保护层设于所述第一绝缘层上，并覆盖所述源漏极层和所述有源层的裸露面。
[0011]本专利技术中还提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：在一衬底层上形成栅极层；在所述衬底层上形成覆盖所述栅极层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述栅极层的一表面上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层远离所述第一
绝缘层的一表面上形成有源层；在所述第一绝缘层和所述有源层上形成源漏极层。其中，所述第一绝缘层的材料包括硅氮化物，所述第二绝缘层的材料包括硅氧化物。
[0012]进一步地，通过同一道光刻工艺在所述第一绝缘层上同时形成所述第二绝缘层和所述有源层。
[0013]进一步地，在所述第一绝缘层上形成所述第二绝缘层和所述有源层步骤中包括：在所述第一绝缘层远离所述栅极层的一表面上形成硅氧化物层；在所述硅氧化物层远离所述第一绝缘层的一表面上形成半导体层；在所述半导体层远离所述硅氧化物层的一表面上涂布所述光阻材料；将所述光阻材料图案化，形成光阻层；通过所述光阻层将所述半导体层和所述硅氧化物层图案化，分别形成所述有源层和所述第二绝缘层；去除所述光阻层。
[0014]进一步地，所述阵列基板的制备方法还包括以下步骤：在所述第一绝缘层上形成覆盖所述源漏极层和所述有源层的保护层。
[0015]本专利技术中还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板以及设于所述阵列基板上的发光层。
[0016]本专利技术的优点是：本专利技术的一种阵列基板及其制备方法，使源漏极层与有硅氮化物制备的第一绝缘层相接触，从而增加源漏极层与基板膜层之间的粘附力，降低源漏极层断线的风险，进而提高生产良率，降低生产成本。同时，在第一绝缘层与有源层之间设置由硅氧化物制备的第二绝缘层，防止第一绝缘层中的氢原子影响有源层的电阻率，进而延长显示面板的使用寿命。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本专利技术实施例中阵列基板的层状结构示意图；
[0019]图2为本专利技术实施例中阵列基板制备方法的流程示意图；
[0020]图3为本专利技术实施例中步骤S10中形成栅极层的层状结构示意图；
[0021]图4为本专利技术实施例中步骤S20中形成第一绝缘层后的层状结构示意图；
[0022]图5为本专利技术实施例中步骤S30中形成硅氧化物层和半导体层后的层状结构示意图；
[0023]图6为本专利技术实施例中步骤S30中形成光阻层后的层状结构示意图；
[0024]图7为本专利技术实施例中步骤S30中形成有源层后的层状结构示意图；
[0025]图8为本专利技术实施例中步骤S30中形成第二绝缘层后的层状结构示意图；
[0026]图9为本专利技术实施例中步骤S40后形成源漏极层后的层状结构示意图。
[0027]图中部件表示如下：
[0028]阵列基板1；
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衬底层10；
[0029]栅极层20；
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第一绝缘层30；
[0030]第二绝缘层40；
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有源层50；
[0031]源漏极层60；
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源极层61；
[0032]漏极层62；
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保护层70；
[0033]硅氧化物层40
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；
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半导体层50
’
；
[0034]光阻层80。
具体实施方式
[0035]以下参考说明书附图介绍本专利技术的优选实施例，证明本专利技术可以实施，所述专利技术实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本专利技术，使其
技术实现思路
更加清楚和便于理解。本专利技术可以通过许多不同形式的专利技术实施例来得以体现，本专利技术的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
[0036]在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。附图所示的每一部件的尺寸和厚度是任意示出的，本专利技术并没有限定每个组件的尺寸和厚度。为了使图示更清晰，附图中有些地方适当夸大了部件的厚度。
[0037]此外，以下各专利技术实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定专利技术实施例。本专利技术中所提到的方向用语，例如，“上”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底层；栅极层，设于所述衬底层上；第一绝缘层，设于所述衬底层上，并覆盖所述栅极层；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层远离所述栅极层的一表面上；有源层，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一表面上；源漏极层，设于所述第一绝缘层上，并与所述有源层电连接；其中，所述第一绝缘层的材料包括硅氮化物，所述第二绝缘层的材料包括硅氧化物。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层的宽度小于所述第一绝缘层的宽度。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层在所述衬底层上的正投影落入所述第二绝缘层在所述衬底层上的正投影中。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极层从所述第一绝缘层远离所述栅极层的一表面，经过所述有源层的侧边，延伸至所述有源层的顶面。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：保护层，设于所述第一绝缘层上，并覆盖所述源漏极层和所述有源层的裸露面。6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在一衬底层上形成栅极层；在所述衬底层上形成覆盖所述栅极层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述栅极层的一表面上形成第二绝缘层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：