显示基板和显示装置制造方法及图纸

本公开实施例提供一种显示基板和显示装置，显示基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的第一阻挡结构、第二阻挡结构、第二平坦化层和发光器件；其中，衬底基板包括显示区以及位于显示区周边的非显示区；第一阻挡结构和第二阻挡结构均位于非显示区，第二阻挡结构位于第一阻挡结构远离显示区的一侧；第一阻挡结构包括至少一个第一阻挡壁，第二阻挡结构包括至少一个第二阻挡壁；第二平坦化层位于显示区；发光器件的第一电极位于第二平坦化层远离衬底基板一侧，且与第二平坦化层接触；第一阻挡壁远离衬底基板的表面高于第二阻挡壁远离衬底基板的表面，且第一阻挡壁远离衬底基板的表面低于第二平坦化层远离衬底基板的表面。表面低于第二平坦化层远离衬底基板的表面。表面低于第二平坦化层远离衬底基板的表面。

Display substrate and display device

【技术实现步骤摘要】
显示基板和显示装置


[0001]本公开涉及显示
，具体涉及一种显示基板和显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)器件是一种以有机半导体材料为基础的电致发光器件，随着OLED显示行业的飞速发展，对OLED器件发光效率的要求越来越高。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种显示基板和显示装置。
[0004]第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的第一阻挡结构、第二阻挡结构、第二平坦化层和发光器件；其中，
[0005]所述衬底基板包括显示区以及位于所述显示区周边的非显示区；
[0006]所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构均位于所述非显示区，所述第二阻挡结构位于所述第一阻挡结构远离所述显示区的一侧；所述第一阻挡结构包括至少一个第一阻挡壁，所述第二阻挡结构包括至少一个第二阻挡壁；
[0007]所述第二平坦化层位于所述显示区；
[0008]所述发光器件包括叠设的第一电极、发光功能层和第二电极，第一电极位于所述第二平坦化层远离所述衬底基板一侧，且与所述第二平坦化层接触；
[0009]所述第一阻挡壁远离所述衬底基板的表面高于所述第二阻挡壁远离所述衬底基板的表面，且所述第一阻挡壁远离所述衬底基板的表面低于所述第二平坦化层远离所述衬底基板的表面。
[0010]在一些实施例中，所述显示基板还包括设置在所述衬底基板上的第三阻挡结构，所述第三阻挡结构包括至少一个第三阻挡壁；
[0011]所述第三阻挡结构位于所述非显示区，所述第二阻挡结构位于所述第三阻挡结构靠近所述显示区的一侧；
[0012]所述第三阻挡壁远离所述衬底基板的表面高于所述第二阻挡壁远离所述衬底基板的表面。
[0013]在一些实施例中，所述第一阻挡结构的高度和所述第三阻挡结构的高度之比在0.9～1.1之间。
[0014]在一些实施例中，所述第一阻挡壁包括层叠设置的n个第一膜层，所述第二阻挡壁包括层叠设置的m个第二膜层，所述第三阻挡壁包括层叠设置的n个第三膜层，其中，m、n均为正整数，n＞m；
[0015]所述显示基板还包括：
[0016]位于所述第二平坦化层和所述衬底基板之间的第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层，且所述第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层沿远离所述衬底基板的方向依次
设置；
[0017]转接电极，所述转接电极位于所述第一钝化层和所述第二钝化层之间；
[0018]薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一平坦化层和所述衬底基板之间，所述转接电极和所述薄膜晶体管的源漏极通过贯穿第一平坦化层和第一钝化层的过孔连接；
[0019]所述第一平坦化层、所述第一钝化层和所述第二钝化层、所述转接电极以及所述薄膜晶体管均位于所述显示区；
[0020]所述n个第一膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一平坦化层、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；所述m个第二膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；所述n个第三膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一平坦化层、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；
[0021]所述第一阻挡壁中与所述第一平坦化层同层设置的第一膜层与所述第一平坦化层连接。
[0022]在一些实施例中，所述第一阻挡壁、所述第二阻挡壁和所述第三阻挡壁中与所述转接电极同层设置的膜层，以及所述第二阻挡壁中与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置的膜层，均具有靠近所述显示区的第一侧面和远离所述显示区的第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面上均形成有凹槽。
[0023]在一些实施例中，所述第一阻挡壁包括层叠设置的n个第一膜层，所述第二阻挡壁包括层叠设置的m个第二膜层，所述第三阻挡壁包括层叠设置的n个第三膜层，其中，m、n均为正整数，n＞m；
[0024]所述显示基板还包括：
[0025]位于所述第二平坦化层和所述衬底基板之间的第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层，且所述第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层沿远离所述衬底基板的方向依次设置；
[0026]转接电极，所述转接电极位于所述第一钝化层和所述第二钝化层之间；
[0027]薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一平坦化层和所述衬底基板之间，所述转接电极和所述薄膜晶体管的源漏极通过贯穿第一平坦化层和第一钝化层的过孔连接；
[0028]所述第一平坦化层、所述第一钝化层和所述第二钝化层、所述转接电极以及所述薄膜晶体管均位于所述显示区；
[0029]所述n个第一膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层、所述第二平坦化层同层设置；所述m个第二膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；所述n个第三膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层、所述第二平坦化层同层设置；
[0030]所述第一阻挡壁中与所述第二平坦化层同层设置的膜层与所述第二平坦化层连接。
[0031]在一些实施例中，所述第二阻挡壁中分别与所述转接电极和所述薄膜晶体管的源漏极同层设置的膜层，均具有靠近所述显示区的第三侧面和远离所述显示区的第四侧面，所述第三侧面和所述第四侧面上均形成有凹槽。
[0032]在一些实施例中，所述第一阻挡结构包括间隔设置的多个第一阻挡壁，所述多个第一阻挡壁沿靠近所述显示区的方向依次设置；
[0033]所述第二阻挡结构包括间隔设置的多个第二阻挡壁，所述多个第二阻挡壁沿靠近所述显示区的方向依次设置；
[0034]所述第三阻挡结构包括间隔设置的多个第三阻挡壁，所述多个第三阻挡壁沿靠近所述显示区的方向依次设置。
[0035]在一些实施例中，所述第一阻挡结构和所述第三阻挡结构的宽度与所述第二阻挡结构的宽度之比均在0.8～1.2之间；
[0036]所述第一阻挡结构与所述第二阻挡结构之间形成第一缝隙，所述第二阻挡结构与所述第三阻挡结构之间形成第二缝隙，所述第一缝隙和所述第二缝隙的宽度相等。
[0037]第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示基板。
附图说明
[0038]附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
[0039]图1为一种异形显示基板的平面结构示意图；
[0040]图2为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
[0041]图3为本公开实施例提供的另一显示基板的结构示意图；
[0042]图4为本公开实施例提供的另一显示基板的结构示意图；
[0043]图5为本公开实施例提供的一种阻挡结构的结构示意图。
具体实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的第一阻挡结构、第二阻挡结构、第二平坦化层和发光器件；其中，所述衬底基板包括显示区以及位于所述显示区周边的非显示区；所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构均位于所述非显示区，所述第二阻挡结构位于所述第一阻挡结构远离所述显示区的一侧；所述第一阻挡结构包括至少一个第一阻挡壁，所述第二阻挡结构包括至少一个第二阻挡壁；所述第二平坦化层位于所述显示区；所述发光器件包括叠设的第一电极、发光功能层和第二电极，所述第一电极位于所述第二平坦化层远离所述衬底基板一侧，且与所述第二平坦化层接触；所述第一阻挡壁远离所述衬底基板的表面高于所述第二阻挡壁远离所述衬底基板的表面，且所述第一阻挡壁远离所述衬底基板的表面低于所述第二平坦化层远离所述衬底基板的表面。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述衬底基板上的第三阻挡结构，所述第三阻挡结构包括至少一个第三阻挡壁；所述第三阻挡结构位于所述非显示区，所述第二阻挡结构位于所述第三阻挡结构靠近所述显示区的一侧；所述第三阻挡壁远离所述衬底基板的表面高于所述第二阻挡壁远离所述衬底基板的表面。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡结构的高度和所述第三阻挡结构的高度之比在0.9～1.1之间。4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡壁包括层叠设置的n个第一膜层，所述第二阻挡壁包括层叠设置的m个第二膜层，所述第三阻挡壁包括层叠设置的n个第三膜层，其中，m、n均为正整数，n＞m；所述显示基板还包括：位于所述第二平坦化层和所述衬底基板之间的第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层，且所述第一平坦化层、第一钝化层和第二钝化层沿远离所述衬底基板的方向依次设置；转接电极，所述转接电极位于所述第一钝化层和所述第二钝化层之间；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一平坦化层和所述衬底基板之间，所述转接电极和所述薄膜晶体管的源漏极通过贯穿第一平坦化层和第一钝化层的过孔连接；所述第一平坦化层、所述第一钝化层和所述第二钝化层、所述转接电极以及所述薄膜晶体管均位于所述显示区；所述n个第一膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一平坦化层、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；所述m个第二膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；所述n个第三膜层分别与所述薄膜晶体管的源漏极、所述第一平坦化层、所述第一钝化层、所述转接电极、所述第二钝化层同层设置；所述第一阻挡壁中与所述第一平坦化层同层设置的第一膜层与所述第一平坦化层连接。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，
所述第一阻挡壁、所述第二阻挡壁和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴刘，袁志东，李永谦，袁粲，郭春升，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：