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超微功耗红外自控电路制造技术

技术编号:3413124 阅读:212 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
超微功耗红外自控电路静态功耗小于0.6毫瓦,其电路中仅设置一片CMOS集成电路芯片IC;不用放大整形,采用在单稳触发端预置窄脉冲串的方法使静态时单稳处于临界待触发状态,当与预置脉冲波形、相位均相同的微弱有用信号迭加上去即突破阈值导致触发翻转。IC外围多数晶体管基-射电压在静态和动态都小于0.1伏。光敏管不设偏置。本电路结构简单,功耗低,被控对象功能可靠,电源电压可用普通干电池,使用方便。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种由集成电路芯片IC,红外发光二极管D↓[2];红外光敏管D↓[3],多谐振荡器T↓[1]、T↓[2],以及IC外围T↓[1]-T↓[6]等组成的红外自控电路,其特征在于:A.电路中仅设置一片CMOS双单稳集成电路芯片IC,其外围的T ↓[1]、T↓[2]、T↓[4]、T↓[5]、T↓[6]5只双极型晶体管的基-射电压U↓[BE]无论在静态还是在动态均小于0.1伏,B.利用IC中的一个单稳把T↓[1]和T↓[2]组成的多谐振荡器产生的宽脉冲串压缩为原来的千分之一后供给 T↓[3]及其以后的各晶体管,C.在静态时,IC中的另一个单稳的触发端预置了脉冲串,该脉冲串与有用信号波形相同,相位相同,D.红外光敏管D↓[3]不设偏置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡宗翰
申请(专利权)人:胡宗翰程金明
类型:发明
国别省市:51[中国|四川]

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