半导体器件和电源电压控制方法技术

根据不同的第１和第２电源电位分别使内部电路动作的半导体器件，具备：判定上述第１电源电位是否比第１基准电位还高的第１判定电路；判定上述第２电源电位是否比第２基准电位还高的第２判定电路；判定上述第１电源电位是否比上述第２电源电位还高的第３判定电路；当在上述第１到第３判定电路的所有判定电路中判定都被肯定时就向上述内部电路供给上述第１和上述第２电源电位，当上述第１到第３判定电路中至少有一个判定被否定时就输出使上述内部电路进行初始化的信号的电源电压控制电路。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及根据多个电源电位驱动内部电路的，例如以与逻辑电路用的电源电压分开、另外需要升压电路或降压电路用的电源电路的半导体存储器件等为对象。
技术介绍
人们早就知道检测外部电源下降到某一电位电平后产生复位信号的电源电位检测电路。该复位信号，在供往半导体器件的外部电源进行预想不到的不规则的瞬停、瞬断或不稳定的ON、OFF这样的情况下，为了确实地使内部电路进行初始化而停止内部电源产生电路的动作，是重要的信号。产生该复位信号的电源电位检测电路，例如可以象图21那样地构成。在图21中，外部电源VDD如图22A所示当电位从某一恒定的电位状态不断下降(时间t1)时，具有阈值Vtp的PMOS晶体管Q21的栅极电位和漏极电位(节点12)如图22B所示就渐渐地从VDD-Vtp下降。当节点12的电位不断下降时，在电位下降得比反相器IV21内的NMOS晶体管的阈值还低(时间t2)的时刻，如图22B所示，输出电位14就变成为OFF。图21那样的电源电位检测电路，在有多个供往半导体器件的外部电源的情况下，在每一个电源电位上都要设置。但是，在使用供给不同的2个外部电源VDD、VCC的半导体器件时，就存在着两方或一方的外部电源产生预期不到的不规则的瞬停或瞬断的可能性。例如，当一方的外部电源产生瞬停或瞬断时，在2个电源电位VDD、VCC之内电位高的一方的外部电源就将急剧地下降，或在电源OFF时电位高的一方的外部电源比电位低的一方先下降，使得电位关系得以逆转。当产生了这样的电位关系逆转时，就要产生结漏电流，存在着内部电路进行误动作之虞。
技术实现思路
为了解决上述课题，本专利技术，在根据不同的第1和第2电源电位分别使内部电路动作的半导体器件中，具备判定上述第1电源电位是否比第1基准电位还高的第1判定电路；判定上述第2电源电位是否比第2基准电位还高的第2判定电路；判定上述第1电源电位是否比上述第2电源电位还高的第3判定电路；当在上述第1到第3判定电路的所有判定电路中判定都被肯定时就向上述内部电路供给上述第1和上述第2电源电位，当上述第1到第3判定电路中至少有一个判定被否定时就输出使上述内部电路进行初始化的信号的电源电压控制电路。此外，在根据不同的第1和第2电源电位分别使内部电路动作的半导体器件中，具备判定上述第1电源电位是否比第1基准电位还高的第1判定电路；只有在上述第2电源电位为规定电位以上时才输出上述第1电源电位的电平移位电路；判定上述第1电源电位是否比上述第2电源电位还高的第2判定电路；当上述第1和第2判定电路的每一个判定电路中判定都被肯定，而且从上述电平移位电路输出上述第1电源电位时，就向上述内部电路供给上述第1和第2电源电位，当上述第1和第2判定电路中至少有一个判定被否定，或上述电平移位电路不输出上述第1电源电位的情况下，就输出使上述内部电路进行初始化的信号的电源电压控制电路。附图说明图1的半导体器件的框图示出了本专利技术的基本原理。图2示出了内部电源电压产生电路的动作范围。图3的框图示出了本专利技术的半导体器件的实施例1的概略构成。图4的电路图示出了VCC检测电路的内部构成。图5A、B示出了图2的VCC检测电路的电位波形图。图6的电路图示出了电位比较电路的内部构成。图7A、B是电位比较电路的电位波形图。图8示出了电位比较电路的内部构成。图9A、B是电位比较电路的电位波形图。图10示出了内部电源产生电路的动作范围。图11A、B示出了电源电位VDD、VCC瞬停的例子。图12的框图示出了本专利技术的半导体器件的实施例2的概略构成。图13的电路图示出了电平移位电路的内部构成。图14A、B是图12的电平移位电路的电位波形图。图15示出了内部电源产生电路的动作范围。图16是本专利技术的半导体器件的实施例3的框图。图17的电路图示出了VCC检测电路的内部构成。图18的电路图示出了电位比较电路的内部构成。图19的电路图示出了电位比较电路的内部构成。图20的流程图示出了控制电路的处理动作。图21的电路图示出了现有的电源电位检测电路的一个例子。图22A、B是外部电源VDD的电位波形图。具体实施例方式以下参看附图具体地对本专利技术的进行说明。以下，作为本专利技术的半导体器件的一个例子，对DRAM混合装配型的系统LSI进行说明。向该LSI至少供给2种电源电位VDD、VCC(但是，VDD＜VCC)，VDD(第2电源电位)被用做LSI内部逻辑电路或DRAM的外围电路等的电源，VCC(第1电源电位)用于产生DRAM中使用的升压电压(降压电压)的升压(降压)电路等中。(本专利技术原理电路图的说明)图1的电路图示出了本专利技术的半导体器件的基本原理。从外部向图1的半导体器件供给不同的2种电源电位VDD、VCC(但是，VDD＜VCC)。图1的半导体器件具备与图21的电源电位检测电路同样构成的VDD检测电路1和VCC检测电路2以及根据这些检测电路1、2控制内部电源产生电路5和内部电路6的控制电路7。控制电路7，在电源投入后，接受到电源电位VDD、VCC已变成为正常电位的信息后，控制多个内部电源产生电路的电位产生顺序。此外，在已处于稳定电平的电源电位VDD、VCC的电位电平下降的情况下，控制电路7就使内部电源产生电路5的动作停止并输出使内部电路6初始化的信号。图2示出了内部电源产生电路5的动作范围，图示的带影线的部分表示内部电源产生电路5停止动作的电压范围。VDD检测电路1，如图2的实线J21所示，在设VDD检测电路1内的NMOS晶体管和PMOS晶体管的阈值电压分别变成为Vth、Vtp时，检测电源电位是否满足VDD＞Vth+Vtp的关系。此外，VCC检测电路2，如图2的实线J22所示，在设VDD检测电路1内的NMOS晶体管和PMOS晶体管的阈值电压分别变成为Vth’、Vtp’时，检测电源电位是否满足VCC＞Vth’+Vtp’的关系。图2的2点锁线J23表示VDD＝VCC的线，比该线还往左侧，表示外部电源的电位进行逆转的状态。图1的半导体器件，由于仅仅在电源电压VDD、VCC处于图2中带影线部分的电压范围内的情况下，才使内部电源产生电路5或内部电路6的动作停止，故即便是变成为电源电位VDD和VCC的电位已经逆转的点C那样的异常状态，也不能停止内部电源产生电路5或内部电路6的动作。为此，在电位的逆转时，就存在着因在内部电源产生电路5内的升压电位产生电路等中产生结漏电流而流过大的电流使电路产生误动作的可能性。以下，说明经过努力研究使得不产生上述那样的缺点的半导体器件的例子。(实施例1) 图3的框图示出了本专利技术的半导体器件的实施例1的概略构成。图3的半导体器件具备检测电源电位VDD的电位电平的VDD检测电路(第1判定电路)1；检测电源电位VCC的电位电平的VCC检测电路(第2判定电路)2；判定电源电位VCC是否比电源电位VDD还高的电位比较电路(第3判定电路)3；判定电源电位VDD是否比电源电位VCC还高的电位比较电路(第4判定电路)4；对是否向内部电源产生电路5和内部电路6供给电源电位VDD、VCC进行控制的控制电路(电源电压控制电路)7。内部电源产生电路5，例如含有升压电源产生电路8、降压电源产生电路9、中间电位产生电路10、负电源电压产生电路11等。向内部电源产生电路5和内部电路6供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种根据不同的第１和第２电源电位分别使内部电路动作的半导体器件，具备：判定上述第１电源电位是否比第１基准电位还高的第１判定电路；判定上述第２电源电位是否比第２基准电位还高的第２判定电路；判定上述第１电源电位是否比上述第２电源电位还高的第３判定电路；当在上述第１到第３判定电路的所有判定电路中判定都被肯定时就向上述内部电路供给上述第１和上述第２电源电位，当上述第１到第３判定电路中至少有一个判定被否定时就输出使上述内部电路进行初始化的信号的电源电压控制电路。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：和田修，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]