电阻率测定方法、半导体器件的制造方法、电阻率测定程序以及电阻率测定器技术

提供一种技术，其具备：存储部，其至少存储对被测定物进行测定的制程以及对被测定物进行测定的测定模式；以及以使对被测定物进行测定的方式进行控制的控制部，控制部算出在按照在制程中设定的各测定点的设定顺序进行了测定时的预测时间，并且根据测定模式变更在制程中设定的各测定点的设定顺序，算出在按照该变更后的设定顺序进行了测定时的预测时间，选定分别算出的预测时间中的、预测时间最短的设定顺序，并按照该选定的设定顺序对被测定物进行测定。测定。测定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电阻率测定方法、半导体器件的制造方法、电阻率测定程序以及电阻率测定器


[0001]本公开涉及电阻率测定方法、半导体器件的制造方法、电阻率测定程序以及电阻率测定器。

技术介绍

[0002]半导体晶片的电阻率测定器为对硅晶片的电阻率、在晶片表面形成的外延晶片的电阻率、以及从表面扩散或者注入了杂质的情况下的扩散层或者注入层的贴片电阻以及在表面生成的金属膜的贴片电阻等进行测定的装置，其测定结果被反馈至各半导体制造装置的工艺条件，该装置为用于保持半导体元件的品质统一的重要的测定装置之一。作为这种测定装置，例如有专利文献1记载的内容。
[0003]在专利文献1中记载了提高半导体晶片的电阻率的测定精度的4探针电阻率测定装置。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：JP特开2013
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153021号公报

技术实现思路

[0007]在按照登记的制程的设定顺序测定半导体晶片的各点的电阻值的情况下，根据制程的登记方式不同，有因电阻率测定器的台部或臂部做了无用的动作而导致到测定完毕为止花费很多时间的情况。
[0008]本公开的课题在于，提供一种能够缩短半导体晶片的电阻率的测定时间的技术。
[0009]根据本公开的一方面，提供一种技术，其包括：
[0010]接收对被测定物进行测定的制程的工序；
[0011]第1算出工序，算出在按照在所述制程中设定的各测定点的设定顺序进行了测定时的预测时间；
[0012]第2算出工序，根据对所述被测定物进行测定的测定模式，变更在所述制程中设定的各测定点的设定顺序，算出在按照该变更后的设定顺序进行了测定时的预测时间；
[0013]选定在所述第1算出工序和所述第2算出工序中分别算出的预测时间中的、预测时间最短的设定顺序的工序；以及
[0014]按照该选定的设定顺序对所述被测定物进行测定的工序。
[0015]专利技术效果
[0016]根据本公开，能够缩短半导体晶片的电阻率的测定时间。
附图说明
[0017]图1是示出本公开的一实施方式的半导体晶片电阻率测定器的构成的框图。
[0018]图2是示出本公开的一实施方式的探头上下驱动部、4探针探头、半导体晶片和测定台的构成的外观图。
[0019]图3是表示示出了探针的压入量、上下驱动凸轮旋转角度与凸轮应力的关系的实验值的曲线图。
[0020]图4的(a)是用于说明本公开的一实施方式的相对于在测定台上配置的半导体晶片定位4探针探头之前的状态的平面概略图。(b)是用于说明本公开的一实施方式的相对于在测定台上配置的半导体晶片定位4探针探头之后的状态的平面概略图。
[0021]图5的(a)是示出定位在测定点1的状态的图，(b)是示出定位在测定点2的状态的图，(c)是示出定位在测定点3的状态的图，(d)是示出定位在测定点4的状态的图，(e)是示出定位在测定点5的状态的图。
[0022]图6的(a)是示出制程的图。(b)是说明将制程设定顺序设为测定顺序的测定模式A的图。
[0023]图7是说明测定模式B中的测定顺序的选定方法的流程图。
[0024]图8的(a)是示出利用测定模式B对图6的(a)的制程进行了重新排序的状态的图。(b)是在晶片上体现了(a)的图。
[0025]图9是说明测定模式C中的测定顺序的选定方法的流程图。
[0026]图10的(a)是示出利用测定模式C对图6的(a)的制程进行了重新排序的状态的图。(b)是在晶片上体现了(a)的图。
[0027]图11是说明臂部移动量以及台部移动量的图。
[0028]图12的(a)是示出针对臂部移动量与测定时间的关系的测定值和其近似曲线的图。(b)是示出针对台部移动量与测定时间的关系的测定值和其近似曲线的图。
[0029]图13的(a)是示出被设定测定模式C中的测定顺序的制程例的图。(b)是示出利用测定模式B对(a)的制程进行了重新排序的状态的图。(c)是示出利用测定模式C对(a)的制程进行了重新排序的状态的图。
[0030]图14是示出选定测定模式A中的测定顺序的制程例的图。
[0031]图15是说明算出图14的制程中的测定模式A的预测测定时间的图。
[0032]图16是说明算出利用测定模式B对图14的制程进行了重新排序的预测测定时间的图。
[0033]图17是说明算出利用测定模式C对图14的制程进行了重新排序的预测测定时间的图。
[0034]图18是示出选定测定模式B中的测定顺序的制程例的图。
[0035]图19是说明图18的制程中的测定模式A的预测测定时间的算出的图。
[0036]图20是说明算出利用测定模式B对图18的制程进行了重新排序的预测测定时间的图。
[0037]图21是说明算出利用测定模式C对图18的制程进行了重新排序的预测测定时间的图。
具体实施方式
[0038]以下，参照图1～图21说明本公开的一实施方式。
[0039]如图1所示，半导体晶片的电阻率测定器10由测定台11、旋转驱动部13、4探针探头14、计测部15、探头上下驱动部16、探头水平驱动部17、操作部18、显示部19、控制部20以及电源部21构成。
[0040]测定台11为供测定对象(被测定物)的半导体晶片12载置的圆盘状的台部。旋转驱动部13使测定台11旋转并停止在规定的角度。4探针探头14为具有与载置在测定台11的上方的半导体晶片12的上表面接触来测定半导体晶片12的电阻率的4根探针的探头。计测部15利用4探针探头14针对向半导体晶片12供给测定电流而求出电阻率的多个测定项目进行测定。
[0041]探头上下驱动部16为使4探针探头14在上下方向上移动而与半导体晶片12接触的上下驱动部。探头水平驱动部17为使探头上下驱动部16和4探针探头14在测定台11的径向、即，半导体晶片12的直径方向上移动的水平驱动部。通过探头水平驱动部17以及旋转驱动部13这两者的动作，能够测定半导体晶片12的期望的位置中的电阻率。
[0042]操作部18输入制定半导体晶片12的上表面的所需的测定点位置的制程。显示部19显示测定点位置、测定出的结果的电阻率等数据。控制部20具备CPU和保存由CPU执行的控制程序的存储装置(存储部)，与至少存储制程以及测定半导体晶片12的测定模式的存储部一起构成为计算机，根据由操作部18指令的制程对旋转驱动部13、探头水平驱动部17和探头上下驱动部16进行驱动控制，以使4探针探头4接触半导体晶片12的上表面的指定的测定点位置的方式进行控制。电源部21供给使电阻率测定器10的各部分动作的电力。此外，图1的操作部18与显示部19分体，但也可以结合成一个而构成为操作显示部。另外，存储部设在控制部20内，但也可以将存储部设在外部。
[0043]在图1中，其动作为，使基于从操作部18输入的制程来控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电阻率测定方法，其包括：接收对被测定物进行测定的制程的工序；第1算出工序，算出在按照在所述制程中设定的各测定点的设定顺序进行了测定时的预测时间；第2算出工序，根据对所述被测定物进行测定的测定模式，变更在所述制程中设定的各测定点的设定顺序，算出在按照该变更后的设定顺序进行了测定时的预测时间；选定在所述第1算出工序和所述第2算出工序中分别算出的预测时间中的、预测时间最短的设定顺序的工序；以及按照该选定的设定顺序对所述被测定物进行测定的工序。2.一种半导体器件的制造方法，其中，还包括基于通过权利要求1记载的电阻率测定方法测定电阻率得到的结果对所述被测定物实施规定的处理的工序。3.一种电阻率测定程序，其使计算机执行如下的步骤：接收对被测定物进行测定的制程的步骤；第1算出步骤，算出在按照在所述制程中设定的各测定点的设定顺序进行了测定时的预测时间；第2算出步骤，根据对所述被测定物进行测定的测定模式，变更在所述制程中设定的各测定点的设定顺序，算出在按照该变更后的设定顺序进行了测定时的预测时间；选定在所述第1算出步骤和所述第2算出步骤中分别算出的预测时间中的、预测时间最短的设定顺序的步骤；按照该选定的设定顺序对所述被测定物进行测定的步骤。4.一种电阻率测定器，其具备：存储部，其至少存储对被测定物进行测定的制程以及对所述被测定物进行测定的测定模式；以及控制部，其以对所述被测定物进行测定的方式进行控制，所述控制部构成为，算出在按照在所述制程中设定的各测定点的设定顺序进行了测定时的预测时间，并且根据所述测定模式变更在所述制程中设定的各测定点的设定顺序，算出在按照该变更后的设定顺序进行了测定时的预测时间，选定分别算出的预测时间中的、预测时间最短的设定顺序，并按照该选定的设定顺序对所述被测定物进行测定。5.根据权利要求4所述的电阻率测定器，其中，具备：供所述被测定物载置的台；使多个探针接触所述被测定物的探头；使所述探头在水平方向上移动的水平驱动部；以及使所述探头在上下方向上动作的上下驱动部。6.根据权利要求5所述的电阻率测定器，其中，所述测定模式为构成为将所述水平驱动部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：铁山千寻，
申请(专利权)人：株式会社国际电气半导体技术服务，
类型：发明
国别省市：