磁性体逻辑元件及磁性体逻辑元件阵列制造技术

提供一种小型、能进行逻辑处理的新的磁性体逻辑元件及将该元件阵列化了的磁性体逻辑元件阵列。该磁性体逻辑元件具有：至少两个以上的磁性层（ＨＭ、ＳＭ）；磁性层之间的中间单元；以及磁性层（ＳＭ）的磁化方向控制单元，将控制磁性层（ＳＭ）的磁化方向用的输入信号设为Ａ、Ｂ两个以上，分别分配０、１，用输入信号Ａ、Ｂ的组合，决定磁性层（ＳＭ）的磁化，将通过了中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号Ｃ。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种磁性体逻辑元件，其特征在于具有：至少两个以上的磁性单元；设置在上述两个以上的磁性单元之间的中间单元；以及控制上述两个以上的磁性单元中的至少某一个的磁化方向的磁化方向控制单元，设有控制上述磁性单元的磁化方向用的输入信号Ａ及 输入信号Ｂ，分别将“０”和“１”分配给它们，利用上述输入信号Ａ和上述输入信号Ｂ的组合，决定上述磁性单元的磁化，将通过了上述中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号Ｃ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村志保，羽根田茂，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]